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文档简介

本发明提供一种单脉冲雪崩击穿能量测试电感)充电预设时间后关闭，由此保证储能电路2对所述单脉冲信号的关断时刻延迟一预设时4.如权利要求3所述的单脉冲雪崩击穿能量测试方法，其特征在于，所述被测器件为6.一种测试电路，用于实现如权利要求1_5中任一项所述的单脉冲雪崩击穿能量测试流阻抗串联在所述被测器件的控制端与所述单脉冲信号的关断时刻延迟一预设时间后关断，以关断所述直流电源对所述储能电路的充3测试。器件的EAS(单脉冲雪崩击穿能量)测试标定了器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量真实雪崩值或者雪崩测试导致被测器件的背面金属熔融损伤进而损伤4[0023]图2是应用图1所示的测试电路进行单脉冲雪崩击穿能量测试的一种方法的曲线[0024]图3是应用图1所示的测试电路进行单脉冲雪崩击穿能量测试的另一种方法的曲领域技术人员。自始至终相同附图标记表示相同的元件。应当明白，当元件被称为"连接元件被称为"直接连接到"其它元件时，则不存在居间的元件。在此使用时，单数形式的"5驱动电路VG通过输出相应的单脉冲来控制被测器件DUT的源极S和漏极D之间的通断，被测电源VDD的持续加电会导致被测器件DUT的管芯正面的损伤尺寸加大，同时导致被测器件现有技术中原有的测试过程情况下，在雪崩测试完成后，控制直流电源VDD再给储能电路(例如电感L等)充电预设时间(例如2.5μs)，保证储能电路存储的能量足以达到被测器件6种实现如本发明所述的单脉冲雪崩击穿能量测试方过电源开关MOS_SW与储能电路的一端(即电感L的一的另一端)经过电流传感器ID连接被测器件DUT的漏极D；被测器件DUT的栅极G经限流阻抗测器件DUT的源极S和漏极D之间的通断，被测器件DUT的源极S、单脉冲驱动电路VG的另一实施例中电源开关MOS_SW还可以被替换为三极管等只要能通过软件来实现可控开关功能冲信号的关断时刻延迟一预设时间t0后产生相应的控制信号，以控制电源开关MOS_SW关[0046]测试前，电源开关MOS_SW导通，被测器件DUT漏源电压VDS等于直流电源VDD的电而能够测出被测器件DUT的真实雪崩值的同时，还能够减少被测器件DUT的正面烧伤点尺关断电源开关MOS_SW，由此使得直流电源VDD相对单脉冲信号的关断时刻延迟预设时间t07证直流电源VDD对储能电路(即图5中的电感L)的充电足[0050]通常雪崩失效时长是很短的，因此该预设时间t0设置为被测器件DUT的雪崩失效电感)存储的能量足以达到被测器件的雪崩点，从而能够测出被测器件的真实雪崩值的同

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