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US2023205092A1,2023.0US2004019862A1,2004.01.29离子注入层的光学临近效应修正方法和半本发明提供一种离子注入层的光学临近效切角后的版图进行光学临近效应修正（OPC可以规避了掩模规则检查对这些角对角结构的限决现有技术下离子注入层中的角对角结构图形易失真而导致工艺热点的问题，提高OPC修正的了本发明的离子注入层的光学临近效应修正方2提供相关前层的版图，并基于所述相关前层的版图进行逻辑运算，以产从所述原始版图中找到需要处理的角对角结构，所述角对角结构包通过EDA工具版图设计软件切去所述角对角结构中的各个所述凸角，切角后每个所述采用如权利要求1_8中任一项所述的离子注入层的光学临近效应修正方法，获得所需通过光刻工艺将所述光罩上的图形转移到相应的硅片上的光3[0005]请参考图1，现有技术中虽然已采用光学临近修正(OpticalProximity光得到的离子注入层光刻图形存在明显的角对角结4OPC获得的最终版图的关键尺寸能符合目标值，能够解决现有技术下离子注入层中的角对正方法来获得所需的离子注入层的最终版图，并将该离子注入层的最终版图转移到光罩，实际硅片上得到的光刻胶图形与离子注入层的版图图形之间的差异能够满足离子注入工[0032]图3是本发明具体实施例的离子注入层的学临近效应修正方法中的版图变化的一5[0033]图4是本发明具体实施例的离子注入层的学临近效应修正方法中的版图变化的另领域技术人员。自始至终相同附图标记表示相同的元件。应当明白，当元件被称为"连接元件被称为"直接连接到"其它元件时，则不存在居间的元件。在此使用时，单数形式的"[0038]请参考图2和图3，本发明一实施例提供一种离子注入层的光学临近效应修正方注入层的原始版图。该离子注入层的原始版图可以具有多个相互间隔开的离子注入区，这些离子注入区可以包括矩形、L形、直角U形等任意合适的至少一种图形，相邻离子注入区6[0049]例如当本步骤找出的需要处理的角对角结构为两个呈矩形7术下离子注入层中的角对角结构图形易失真而导致工艺热点的问题，提高OPC修正的准确际硅片上得到的光刻胶图形与离子注入层的版图图形之间的差异能够满足离子注入工艺89

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