CN119364804B 一种抗辐射加固的SiC MOSFET器件结构及制备方法 （湖南大学）_第1页
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一种抗辐射加固的SiCMOSFET器件结构及设有P型掺杂区和填充区，所述沟槽的两侧设有2流子存储层，所述载流子存储层的上方设有源极金属层，所述源极金属下方的中间设有5.一种如权利要求1_2任一项所述的一种抗辐射加固的SiCMOSFET器件结构的制备方S2、在沟槽内的填充区填充高浓度的P型多晶硅源极3[0002]碳化硅(SiliconCarbide)高压功率器件较传统的硅器件具有更加优异的电热学动和强电场耦合作用在器件内部产生极大的瞬时热量，可能导致器件局部发生单粒子烧从而提升SiCMOSFET器件抗单粒子穿能力；同时沟槽底部和侧壁的P型掺杂区以及沟槽内与源极短接的P型多晶硅加大了有源区中的空穴抽取路径面积，可以实现加强重离子轰击储层掺杂浓度和沟槽内与源极短接的N型多晶硅大幅提升单粒子辐射瞬间空穴和电子的复[0006]本发明提供了一种抗辐射加固的SiCMOSFET器件结构及制备方法，包括N_漂移方的中间设有JFET区，所述JFET区内部引入沟槽，所述沟槽的内部设有4述P_base区中的N+源区的数量为两个SiCMOSFET器件的JFET区内引入沟槽结构，沟槽侧壁和底部注入P型杂质形成P型掺杂区[0017]沟槽底部和侧壁的P型掺杂区域以及沟槽内与源极短接的P型多晶硅加强了重离子轰击瞬间JFET区域附近空穴抽取效率，可以快速高效地移除重离子轰击产生的电子_空+5[0031]源极金属层5内设有层间介质层13和多晶硅14，多晶硅14位于层间介质层13的内[0036]通过在源极金属层5内部引入多晶硅14和层间介质层13，可以进一步优化器件的6制。层间介质层13和多晶硅14的排列和组合：层间介质层13和多晶硅14层可以按照特定件，在器件工作时动态地调节电流的大小，并通过金属化工艺与JFET区6形成良好的电接[0046]P+区12是在P_base区10内形成的重掺杂P型半导体区域，P+区12的主要作用是作7为器件的控制区，通过改变其电压来控制JFET区6的电流流动。当P+区12的电压发生变化槽7附近以及P_base区10内的电场分布和载流子行为。P_base区10内的N+源区11和P+区12SiCMOSFET器件的JFET区内引入沟槽结构，沟槽侧壁和底部注入P型杂质形成P型掺杂区[0053]沟槽底部和侧壁的P型掺杂区域以及沟槽内与源极短接的P型多晶硅加强了重离子轰击

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