CN119133398B 硅碳负极材料、制备方法及应用 （湖北匠芯新材料有限公司）

本发明公开了一种硅碳负极材料及其制备体积占比为10～30b、介孔体积占比为60~小于200m2/g3/g径D50为1～20μm。本发明通过对多孔碳基底的活化处理可以从基底制备的角度为纳米硅颗粒2S4：以步骤S3制备的多孔碳为基底，依次进行硅沉2.根据权利要求1所述的硅碳负极材料，其特征在于，所述硅碳负极材料的平均孔径3采用的气源中包括硅源气体、惰性气氛和可选择性加入的第二气源所述碳源气体选自裂解温度在碳沉积温度范围内4有望替代石墨成为下一代锂离子电池负极材料。但是硅作为负极材料在电化学循环过程纳米硅颗粒进一步提供缓冲空间；但该方法提供的缓冲空间为硅烷气体分解释放氢气形52.0cm3/g；[0024]本发明通过特殊的二次活化方式制备得到具有类树枝状的孔道结构的多孔碳基硅的沉积提供更多的空间，又可以(尤其是小于1nm的6[0063]所述第二气源可与硅源气体共混后进行共沉积，也可以与硅源气体进行交替沉[0064]可选地，当进行共沉积时，硅源气体占比为30～80vol第二气源占比为10~30vol余量为惰性气氛；更可选地，硅源气体占比为50～80vol第二气源占比为78[0085]在本发明可选的实施方式中公开了上述范围内的介孔和微孔的体积占比确保了大以使得能够在可接受的加工时间下在多孔碳骨架的[0086]d、比表面积不小于200m2/g，可选地为200～4000m2/g；具体地可以为200m2/g、2222/g或上述范围内的任意数值。[0087]e、孔容不小于0.4cm3/g，可选地为0.4～2.0cm3/g；具体地可以为0.4cm3/g、/3333333/g或上述范围内的9m222222222/g或小于10m2/g范围内的任意数[0092]本发明实施方式提供一种前述实施方式任意一项所述的硅碳负极材料的制备方[0097]本发明通过特殊的二次活化方式制备得到具有类树枝状的孔道结构的多孔碳基9硅的沉积提供更多的空间，又可以(尤其是小于1nm的1500℃。500～800℃;化处理温度为650～1000℃。[0119]在可选的实施方式中，所述二次活化处理，压力为0.1～10Kpa；具体地可以为[0131]在可选的实施方式中，所述硅沉积的温度为400～1000℃；具体地可以为400℃、[0141]在可选的实施方式中，共沉积时，硅源气体占比为30～80vol具体地可以为[0142]在可选的实施方式中，共沉积时，第二气源占比为10～30vol具体地可以为占比为50～99vol具体地可以为50vol％、55vol％、60vol％、65vol％、70vol％、极材料以及如前述实施方式任意一项所述的制备方法制备得到的硅碳负[0161]S4：将多孔碳材料置于CVD炉中，调整炉内温度为500℃,以10L/min[0185]制备工艺与实施例1基本相同，区别仅在于将步骤S3中的二氧化碳替换为等体积[0192]将步骤S1中的碳源替换为500g的椰壳粉末，碳化温度替换为1300℃,碳化时间替[0197]制备工艺与实施例1基本相同，区别仅在于步骤S4中分别以5L/min的流速交替通制成正极浆料(固含