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文档简介
基于椎间盘退变阶段性治疗策略的椎间盘一种基于椎间盘退变阶段性治疗策略的椎间盘重电活性支架包括具有导电贯穿孔道结构的导电多孔支架及位于导电多孔支架上下两侧的压以Co_Ni双金属氧化物为核,聚多巴胺为壳的核2电活性支架包括具有导电贯穿孔道结构的导电多孔支架及位于导电多孔支架上下两侧的2.根据权利要求1所述的基于椎间盘退变阶段性治疗策略的椎间盘修复材料,其特征3.根据权利要求1所述的基于椎间盘退变阶段性治疗策略的椎间盘修复材料,其特征4.根据权利要求1所述的基于椎间盘退变阶段性治疗策略的椎间盘修复材料,其特征5.权利要求1至4任一所述的基于椎间盘退变阶段性治疗策略的椎间盘修复材料的制6.根据权利要求5所述的基于椎间盘退变阶段性治疗策略的椎间盘修复材料的制备方7.根据权利要求5所述的基于椎间盘退变阶段性治疗策略的椎间盘修复材料的制备方3均匀形成静电纺丝液;再通过静电纺丝方法在导电多孔支架的上下两侧形成压电纤维薄8.根据权利要求5所述的基于椎间盘退变阶段性治疗策略的椎间盘修复材料的制备方9.根据权利要求5所述的基于椎间盘退变阶段性治疗策略的椎间盘修复材料的制备方10.根据权利要求5或9所述的基于椎间盘退变阶段性治疗策略的椎间盘修复材料的制11.根据权利要求5所述的基于椎间盘退变阶段性治疗策略的椎间盘修复材料的制备退火条件为40~50℃退火4~6h。4直接有效的手段,但术后造成的椎间盘缺损若不进行处理会造成髓核再突出及病理滑脱[0006]本发明的目的是针对不同椎间盘退变时期的治疗策略并研究其作用效果针对椎5①向早期退变椎间盘中注射抗氧化纳米酶,阻断炎症与氧化应激之间的恶性循[0010]本发明提供了一种基于椎间盘退变阶段性治疗策略构双重电活性支架包括具有导电贯穿孔道结构的导电多孔支架及位于导电多孔支架上下[0014]本发明还提供了上述基于椎间盘退变阶段性治疗策略的椎间盘修复材料的制备6种。所述第一有机溶剂的使用量按照每1g脂溶性生物可降解材料使用7~8ml第一有机溶剂二甲氧基甲烷等中的一种。所述第五有机溶剂的使用量按照溶质与溶剂的质量体积比为7烯醇加入甘油水溶液后于90~95℃搅拌4~6h溶解。图3为本发明实施例1制备的三明治结构双重电活性支架在循环应力下的电流输8图4为本发明实施例1制备的三明治结构双重电活性支架对细胞迁移能力影响的图6为支架G10B5和电活性支架增强的复合水凝胶G10B5/PG一P@C10的应力测试结图8为不同组分水凝胶对细胞内相关蛋白表达水平测试结果;其中,A对应蛋白图9为实施例4制备的电活性支架增强的复合水凝胶表面细胞黏附测试结果;其本实施例提供的三明治结构双重电活性支架制备步骤命名为G10B5。将三明治结构双重电活性支架在37℃下真空干燥过夜以充分蒸发去除残留9量多于横跨孔洞表面的纤维数量。这是由于导电胶丝横竖交叉排列形成的G10支架会使接双重电活性支架两面贴上铝箔作为电极,然后用绝缘胶带固定;然后用电化学工作站所示。干细胞迁移能力对缺损椎间盘修复十分重要。接下来通过Transwell迁移实验评估电活性向Transwell小室中加入100μLBMSCs(骨髓间充质干细胞)悬液(105个/mL将G10和G10B5组小室下表面有更多细胞出现。施加超声后的G0_US+和G10_US+组与其对应的液;将该溶液于室温下静置24h,收集底部的沉淀物,然后用去离子水洗涤并于室温干燥CNO表面聚合后得到具有明显核壳结构的PDA本实施例提供的复合水凝胶前驱体溶液制备步骤将实施例1制备的三明治结构双重电活性支架浸没于消泡后的复合水凝胶前驱体算支架G10B5和电活性支架增强的复合水凝胶G10B5/PG_P@C10的压缩模量。本实验中所用到的样品尺寸为长×宽×高=10×10×10mm3,压缩应变速率为1mm/min,压缩比例为为进一步研究含有功能性纳米酶的PG_P@C水凝胶在高ROS水平环境中对细胞的保[0064]水凝胶PG_P@C10的制备,将实施例3制备的复合水凝胶前驱体溶液进行消泡并冷异常反应,阻碍组织修复过程。因此,接下来用免疫荧光染色法对各组细胞内相关蛋白P@C10组中红色荧光强度明显降低,表明水凝胶中引入抗氧化纳米酶可以逆转由环境内高[0070]TNF_α是人体最主要的促炎因子之一,具有募集免疫细胞及促进其它炎症因子分泌的功能。通过测定细胞内TNF_α的水平来反应不同组分水凝胶对细胞炎症反应的抑制效2O2刺激下软骨细胞内产生大量C10水凝胶可抑制细胞炎症反应。[0072]因此,PG_P@C10水凝胶可通过降低氧化应激状态下细胞内ROS水平而减少细胞衰C10表面的细胞呈现良好铺展状态且有伪足伸出;外加间歇性超声处理组中,细胞伪足更
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