中国电科：PECVD技术在N型电池的创新应用探讨

中电科红太阳目录创新应用探讨未来技术展望关于红太阳节能降耗、大产能、高均匀性正/背面减反射层氮化硅/氧化硅掩膜层粘片/碎片/粉尘UV衰减5124低温钝化解决方案低温钝化解决方案3绕镀不良降级CE¹C中国电科平板式容性耦合射频放电沉积沉积速度快、镀膜均匀性好电离能力强，特气流量小，粉尘少沉积速度快、镀膜均匀性好电离能力强，特气流量小，粉尘少CE¹CCE¹C中国电科☆☆☆原子层沉积方式的高台阶覆盖率产生绕度问题无法避免，严重的绕度会导致焊点虚焊原子层沉积方式氧化铝粉尘多导致粘片(长时间高温/水汽工艺黏附腔体/载具/硅片)PECVD定向沉积无肉眼可见的绕镀射频等离子沉积电离能力强，特气耗量低，粉尘少预计增益0.25%进一步抑制外延预计增益0.2%IPECVD非晶硅边缘钝化技术—UV改善CE1C红太阳增强外层介质膜的保护增强外层介质膜的保护同时提高反射外层非晶硅增加吸光作用a-Si层保持电池片低温防止高温破坏UV衰减降低0.2%UV衰减降低0.2%客户端组件UV60批量验证可以达到1.5%提效~0.2%提效~0.2%提效~0.2%红太阳PECVD 红太阳9600psc/管；工艺时间>50000半片/小时新型边缘钝化路线●钝化效果更优工艺时间短/低温钝化潜力·工艺时间60min,单台最大产能大于5万半片/h·工艺温度低、沉积时间480s以内，无热暗衰无绕镀/粉尘/粘片无边缘绕镀、无粘片●正面卡点印●折射率/膜厚均匀性◆沉积温度降80-100度◆全新匀流进气/控温控压技术双面双面PE正背膜均匀性测试F十正膜(去除顶底)■桨/舟/硅片吸热沉积温度降低80-100度单面工艺能耗降低30%10GW车间年省电1500W目录创新未来技术展望关于红太阳◆硼扩湿氧二合一技术◆无舟托扩散退火◆炉体节能保温技术◆磷扩快速冷却技术◆顺气流磷扩散，产能提升70%钙钛矿/叠层目录创新未来技术展望关于红太阳中国电科部级央企CET红太阳成立时间技术研发成立时间技术研发国家第三代半导体技术创新中心(湖南)国家第三代半导体技术创新中心(湖南)国家火炬计划重点高新技术企业工程技术研究中心国家绿色工厂国家智能制造试点示范专业从事半导体装备的研发研制生产出多晶铸锭炉、软着陆扩散炉、管式PECVD等专业光伏设备成立湖南红太阳光电公司公司100MW电池产线投产同年销售收入突破10亿元国内首条PERC电池智能制造示范线国产首台背钝化平板式PECVD设备光伏装备年销售额突破16亿元研制硼扩散设备大批量市场化应用同年新签合同突破40亿元首台4.5代MLED显示用PVD设备发货斩获多个行业头部企业智能立库订单2016年3月，时任国务院副总理刘延东安卡拉500MW光伏产业园智能工厂明明国家光伏装备工程技术研究中心(光伏装备领域唯一国家级)CE1C红太阳智能制造智能制造智能仓储物流非标柔性生产线制造数智化半导体核心工艺装备光伏核心工艺装备整线建设服务硼扩散磷扩散/退火湿法清洗正面沉积氧化铝正背面镀氮化硅丝印烧结LECO半片钝化ALD设备边缘钝化设备双面抛光图形化1火图形化2酸刻+制绒清洗膜丝印烧结LPCVD设备LPCVD设备、PECVD设备ALD设备PECVD设备吸杂设备清洗制绒非晶硅薄膜电极印刷/烧结透明导电层顶电极)空穴传输层(HTL)钙钛矿层电子传输层扫描式磁控溅射设备原子层沉积设备/扫描式磁控激射设备