《电子技术》-第一章　半导体器件

第一章半导体器件第一节ＰＮ结第二节半导体二极管第三节半导体三极管第四节场效应晶体管第五节晶体二极管、三极管的识别与简单测试返回第一节ＰＮ结一、半导体的基本特性物质按导电能力的强弱可分三大类。一是导体，其导电能力特别强，例如铜、铝、银等金属材料；二是绝缘体，其导电能力非常弱，几乎可以看成不导电，例如塑料、橡胶、陶瓷等材料；三是半导体，其导电能力介于导体和绝缘体之间，常用的半导体材料是硅（Ｓｉ）和锗（Ｇｅ）。用半导体材料制作电子元器件，不是因为它的导电能力介于导体和绝缘体之间，而是由于其导电能力会随着温度的变化、光照或掺入杂质的多少发生显著的变化，这也是半导体不同于导体的特殊性质。下一页返回第一节ＰＮ结（１）热敏性所谓热敏性，就是半导体的导电能力随着温度的升高而迅速增加。半导体的电阻率对温度的变化十分敏感。例如，纯净的锗从２０℃升高到３０℃时，它的电阻率几乎减小为原来的１／２。而一般的金属导体的电阻率随温度的变化则较小，例如铜，当温度同样升高１０℃时，它的电阻率几乎不变。利用半导体这一特性，可以制造出各种不同用途的温控元件。（２）光敏性半导体的导电能力随光照的变化有显著改变的特性叫作光敏性。一种硫化铜薄膜在暗处其电阻为几十兆欧姆，受光照后，电阻可以下降到几十千欧姆，只有原来的１％。自动控制中用的光电二极管和光敏电阻，就是利用光敏特性制成的。而金属导体在阳光下或在暗处其电阻率一般没有什么变化。上一页下一页返回第一节ＰＮ结（３）杂敏性所谓杂敏性，就是半导体的导电能力会因掺入适量杂质而发生很大的变化。在半导体硅中，只要掺入亿分之一的硼，电阻率就会下降到原来的几万分之一。因此，利用这一特性，可以制造出不同性能、不同用途的半导体器件。而金属导体即使掺入千分之一的杂质，其电阻率也几乎没有什么变化。二、ＰＮ结如果将一块半导体的一侧掺杂成为Ｐ型半导体，而另一侧掺杂成为Ｎ型半导体，则在二者的交界处将形成一个ＰＮ结。上一页下一页返回第一节ＰＮ结１.ＰＮ结的形成在Ｐ型和Ｎ型半导体的交界面两侧，由于自由电子和空穴的浓度相差悬殊，所以Ｎ区中的多数载流子自由电子要向Ｐ区扩散，同时Ｐ区中的多数载流空穴也要向Ｎ区扩散，并且当电子和空穴相遇时，将发生复合消失。如图１－１所示。于是，在交界面两侧将分别形成不能移动的正、负离子区，正、负离子处于晶格位置而不能移动，所以称为空间电荷区（亦称为内电场区）。由于空间电荷区内的载流子数量极少，近似分析时可忽略不计，所以也称其为耗尽层。空间电荷区一侧带正电，另一侧带负电，所以形成了内电场Ｅｉｎ，其方向由Ｎ区指向Ｐ区。在内电场Ｅｉｎ的作用下，Ｐ区和Ｎ区中的少子会向对方漂移，同时内电场将阻止多子向对方扩散，当扩散运动的多子数量与漂移运动的少子数量相等，两种运动达到动态平衡的时候，空间电荷区的宽度保持一定，ＰＮ结就形成了。上一页下一页返回第一节ＰＮ结２.ＰＮ结的单向导电性在ＰＮ结的两端引出电极，Ｐ区的一端称为阳极，Ｎ区的一端称为阴极。在ＰＮ结的两端外加不同极性的电压时，ＰＮ结表现出截然不同的导电性能，称为ＰＮ结的单向导电性。（１）外加正向电压时ＰＮ结处于导通状态当外加电压使ＰＮ结的阳极电位高于阴极电位时，称ＰＮ结外加正向电压或ＰＮ结正向偏置（简称正偏），如图１－２所示。图中实心点代表电子，空心圈代表空穴。此时，外加电场Ｅｏｕｔ与内电场Ｅｉｎ的方向相反，其作用是增强扩散运动而削弱漂移运动。上一页下一页返回第一节ＰＮ结所以，外电场驱使Ｐ区的多子空穴进入空间电荷区抵消一部分负空间电荷，也使Ｎ区的多子电子进入空间电荷区抵消一部分正空间电荷，其结果是使空间电荷区变窄，ＰＮ结呈现低电阻（一般为几百欧姆）；同时由于扩散运动占主导，形成了较大的正向电流（ｍＡ级），此时ＰＮ结导通，相当于开关的闭合状态。由于ＰＮ结导通时，其电位差只有零点几伏，且呈现低电阻，所以应该在其所在回路中串联一个限流电阻，以防止ＰＮ结因过流而损坏。上一页下一页返回第一节ＰＮ结（２）外加反向电压时ＰＮ结处于截止状态当外加电压使ＰＮ结的阳极电位低于阴极电位时，称ＰＮ结外加反向电压或ＰＮ结反向偏置（简称反偏），如图１－３所示。此时，外加电场Ｅｏｕｔ与内电场Ｅｉｎ的方向一致，并与内电场一起阻止扩散运动而促进漂移运动。其结果是使空间电荷区变宽。ＰＮ结呈现高电阻（一般为几千欧姆到几百千欧姆）。同时由于漂移运动占主导，而少子由本征激发产生，数量极少，因而由少子形成的反向电流很小（μＡ级），近似分析时可忽略不计。此时ＰＮ结截止，相当于开关的断开状态。在一定温度下，当外加反向电压超过某个值（大约零点几伏）后，反向电流将不再随外加反向电压的增加而增大，所以称其为反向饱和电流Ｉｓ。上一页返回第二节半导体二极管一、基本结构和表示符号在一个ＰＮ结的两端加上电极引线并用外壳封装起来，就构成了半导体二极管。由Ｐ型半导体引出的电极，叫作正极（或阳极）；由Ｎ型半导体引出的电极，叫作负极（或阴极）。通常用图１－４（ｃ）所示的符号表示。按照结构工艺的不同、二极管有点接触型和面接触型两类。它们的管芯结构和符号如图１－４（ａ）、（ｂ）所示。点接触型二极管（一般为锗管）的ＰＮ结结面积很小（结电容小），工作频率高，适用于高频电路和开关电路；面接触型二极管（一般为硅管）的ＰＮ结结面积大（结电容大），工作频率较低，适用于大功率整流等低频电路中。下一页返回第二节半导体二极管二、二极管的伏安特性二极管既然是一个ＰＮ结，它必然具有单向导电性。其伏安特性曲线如图１－５所示。所谓伏安特性，就是指加到二极管两端的电压与流过二极管的电流的关系曲线。二极管的伏安特性曲线可分为正向特性和反向特性两部分。１.正向特性当二极管加上很低的正向电压时，外电场还不能克服ＰＮ结内电场对多数载流子扩散运动所形成的阻力，故正向电流很小，二极管呈现很大的电阻。当正向电压超过一定数值即死区电压后，内电场被大大削弱，电流增长很快，二极管电阻变得很小。死区电压又称阈值电压，硅管的为０.４～０.５Ｖ，锗管的为０.１～０.２Ｖ。上一页下一页返回第二节半导体二极管２.反向特性二极管加上反向电压时，由于少数载流子的漂移运动，因而形成很小的反向电流。反向电流有两个特性，一是它随温度的上升增长很快；二是在反向电压不超过某一数值时，反向电流不随反向电压的改变而改变，故这个电流称为反向饱和电流。当外加反向电压过高时，反向电流将突然增大，二极管失去单向导电性，这种现象称为电击穿。发生击穿的原因，一种是处于强电场中的载流子获得足够大的能量碰撞晶格而将价电子碰撞出来，产生电子空穴对，新产生的载流子在电场作用下获得足够能量后又通过碰撞产生电子空穴对。上一页下一页返回第二节半导体二极管如此形成连锁反应，反向电流越来越大，最后使得二极管反向击穿。另一种原因是强电场直接将共价键的价电子拉出来，产生电子空穴对，形成较大的反向电流。二极管被击穿后，一般不能恢复原来的性能。产生击穿时加在二极管上的反向电压称为反向击穿电压ＵＢＲ有时为了讨论方便，在一定条件下，可以把二极管的伏安特性理想化，即认为二极管的死区电压和导通电压都等于零，同时认为反向饱和电流也为零。这样的二极管称为理想二极管。上一页下一页返回第二节半导体二极管三、主要参数二极管的特性除用伏安特性曲线表示外，还可用一些数据来说明，这些数据就是二极管的参数。二极管各种参数都可从半导体器件手册中查出，下面只介绍几个常用的主要参数。１.最大整流电流ＩＦ最大整流电流是指二极管长时间使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。当电流超过这个允许值时，二极管会因过热而烧坏，使用时务必注意。２.反向峰值电压ＵＲＭ它是保证二极管不被击穿而得出的反向峰值电压，一般是反向击穿电压的一半或２／３。上一页下一页返回第二节半导体二极管３.反向峰值电流ＩＲＭ它是指在二极管上加反向峰值电压时的反向电流值。反向电流大，说明单向导电性能差，并且受温度的影响大。四、二极管基本电路及其应用二极管的应用范围很广，主要都是利用它的单向导电性。它可用于钳位、限幅、整流、开关、稳压、元件保护等，也可在脉冲与数字电路中作为开关元件等。在进行电路分析时，一般可将二极管视为理想元件，即认为其正向电阻为零，正向导通时为短路特性，正向压降忽略不计；反向电阻为无穷大，反向截止时为开路特性，反向漏电流忽略不计。上一页下一页返回第二节半导体二极管１.整流应用利用二极管的单向导电性可以把大小和方向都变化的正弦交流电变为单向脉动的交流电，如图１－６所示。这种方法简单、经济，在日常生活及电子电路中经常采用。根据这个原理，还可以构成整流效果更好的单相全波、单相桥式等整流电路。２.钳位应用利用二极管单向导电性在电路中可以起到钳位的作用。３.限幅应用利用二极管的单向导电性，将输入电压限定在要求的范围之内，叫作限幅。上一页下一页返回第二节半导体二极管４.稳压应用在需要不高的稳定电压输出时，可以利用几个二极管的正向压降串联来实现。还有一种稳压二极管，可以专门用来实现稳定电压输出。稳压二极管有不同的系列用以实现不同的稳定电压输出。５.开关应用在数字电路中经常将半导体二极管作为开关元件来使用，因为二极管具有单向导电性，可以相当于一个受外加偏置电压控制的无触点开关。上一页下一页返回第二节半导体二极管如图１－９所示，为监测发电机组工作的某种仪表的部分电路。其中ｕｓ是需要定期通过二极管Ｄ加入记忆电路的信号，ｕｉ为控制信号。当控制信号ｕｉ＝１０Ｖ时，Ｄ的负极电位被抬高，二极管截止，相当于“开关断开”，ｕｓ不能通过Ｄ；当ｕｉ＝０Ｖ时，Ｄ正偏导通，ｕｓ可以通过Ｄ加入记忆电路，此时二极管相当于“开关闭合”情况。这样，二极管Ｄ就在信号ｕｉ的控制下，实现了接通或关断ｕｓ信号的作用。６.特殊二极管除了上述普通二极管外，还有一些特殊二极管，如稳压二极管、发光二极管和光电二极管等，下面对它们仅作简单的介绍。上一页下一页返回第二节半导体二极管（１）稳压管稳压管是一种特殊的硅二极管，由于它在电路中与适当数值的电阻配合后能起稳定电压的作用，故称为稳压管。稳压管的伏安特性曲线与普通二极管的类似，如图１－１０（ａ）所示，其差异是稳压管的反向特性曲线比较陡。如图１－１０（ｂ）所示为稳压管的符号。稳压管正常工作于反向击穿区，且在外加反向电压撤除后，稳压管又恢复正常，即它的反向击穿是可逆的。从反向特性曲线上可以看出，当稳压管工作于反向击穿区时，电流虽然在很大范围内变化，但稳压管两端的电压变化很小，即它能起稳压的作用。如果稳压管的反向电流超过允许值，则它将会因过热而损坏。所以，与稳压管配合的电阻要适当，才能起稳压作用。上一页下一页返回第二节半导体二极管（２）光电二极管光电二极管也是一种特殊二极管。它的特点是：在电路中它一般处于反向工作状态，当没有光照射时，其反向电阻很大，ＰＮ结流过的反向电流很小；当光线照射在ＰＮ结上时就会在ＰＮ结及其附近产生电子空穴对，电子和空穴在ＰＮ结的内电场作用下做定向运动，形成光电流。如果光照强度发生改变，电子空穴对的浓度也相应改变，光电流强度也随之改变。可见光电二极管能将光信号转变为电信号输出。光电二极管可用来作为光控元件。当制成大面积的光电二极管时，能将光能直接转换为电能，可作为一种能源，因而称为光电池。目前正大量应用于太阳能热水器中。光电二极管的管壳上有一个玻璃口，以便接收光照。光电二极管的伏安特性曲线及符号如图１－１１所示。上一页下一页返回第二节半导体二极管（３）发光二极管发光二极管简写为ＬＥＤ，其工作原理与光电二极管相反。由于它采用砷化镓、磷化镓等半导体材料制成，所以在通过正向电流时，由于电子与空穴的直接复合因而会发出光来。如图１－１２所示为发光二极管的符号及其正向导通发光时的工作电路。当发光二极管正向偏置时，其发光亮度随注入的电流的增大而提高。为限制其工作电流，通常都要串接限流电阻Ｒ。由于发光二极管的工作电压低（１.５～３Ｖ）、工作电流小（５～１０ｍＡ），所以用发光二极管作为显示器件具有体积小、显示快和寿命长等优点。上一页返回第三节半导体三极管一、三极管的基本结构、符号和分类半导体三极管的种类很多，按照半导体材料的不同分有硅管、锗管；按功率分有小功率管、中功率管和大功率管；按照频率分有高频管和低频管；按照制造工艺分有合金管和平面管等。通常，按照结构的不同分为两种类型：ＮＰＮ型管和ＰＮＰ型管。图１－１３给出了ＮＰＮ和ＰＮＰ管的结构示意图和电路符号，符号中的箭头方向由Ｐ指向Ｎ。下一页返回第三节半导体三极管由图１－１３可见，三极管有三个区，分别叫作发射区、基区和集电区。引出的三个电极相应叫作发射极、基极和集电极，分别记为ｅ、ｂ、ｃ。两个ＰＮ结分别叫作发射结（发射区与基区交界处的ＰＮ结）和集电结（集电区与基区交界处的ＰＮ结）。图１－１３只是三极管结构的示意图，三极管的实际结构并不是对称的，发射区掺杂浓度远远高于集电区掺杂浓度；基区很薄并且掺杂浓度低；而集电结的面积比发射结的要大得多，所以三极管的发射极和集电极不能对调使用。图１－１４所示为几种常见三极管的外形图。上一页下一页返回第三节半导体三极管二、三极管的电流放大原理ＮＰＮ管和ＰＮＰ管的结构对称，工作原理类似，不同之处只是两者工作时连接的电源极性相反。下面以ＮＰＮ管为例，讨论三极管的基本工作原理。晶体管在电路中工作时，为了正常地发挥其电流放大作用，必须给它的各电极外加大小和极性合适的直流工作电压，即必须给发射结加正向电压（也叫正偏电压），给集电结加反向电压（也叫反偏电压）。通常晶体管在放大电路中的连接方式有三种，如图１－１５所示，它们分别称为共基极接法、共发射极接法和共集电极接法。所谓共什么极接法是指电路的输入、输出端是以哪个电极作为公共端的。无论哪种接法，外加直流工作电压都必须保证使晶体管的发射结正偏、集电结反偏，即Ｕｃ＞Ｕｂ＞Ｕｅ。上一页下一页返回第三节半导体三极管半导体三极管具有的电流放大功能，完全取决于三极管内部结构的特殊性及其内部载流子的运动规律。先做一个实验，实验电路如图１－１６所示。外部直流电源ＥＢ、ＥＣ为三极管的两个ＰＮ结提供偏置电压，使集电结反向偏置，发射结正向偏置。改变可变电阻ＲＢ，则基极电流ＩＢ、集电极电流ＩＣ和发射极电流ＩＥ都会发生变化。电流方向如图中所示。测量结果列于表１－１中。上一页下一页返回第三节半导体三极管三、特性曲线三极管的特性曲线是用来表示该管各极电压和电流之间相互关系的，这里只介绍三极管共发射极接法的两种特性，即基极特性（或输入特性）和集电极特性（或输出特性）。１.输入特性输入特性是指在三极管集电极与发射极之间的电压ＵＣＥ为一定值时，基极电流ＩＢ同基极与发射极之间的电压ＵＢＥ的关系，即ＩＢ＝ｆ（ＵＢＥ）ＵＣＥ＝常数，如图１－１７所示。从理论上讲，对应于不同的ＵＣＥ值，可做出一簇ＩＢ与ＵＢＥ的关系曲线，但实际上，当ＵＣＥ＞１Ｖ以后，ＵＣＥ对曲线的形状几乎无影响，故只需做一条对应ＵＣＥ≥１Ｖ的曲线即可。上一页下一页返回第三节半导体三极管２.输出特性输出特性是指在基极电流ＩＢ为一定值时，三极管集电极电流ＩＣ同集电极与发射极之间的电压ＵＣＥ的关系，即ＩＣ＝ｆ（ＵＣＥ）ＩＢ＝常数在不同的ＩＢ下，可得出不同的曲线。所以三极管的输出特性曲线是一组曲线，如图１－１８所示。四、三极管的主要参数三极管的性能除了用上述输入、输出特性描述外，还可用一些参数来表示其性能和使用范围。三极管的参数很多，现将其中较重要的介绍如下。上一页下一页返回第三节半导体三极管１.电流放大系数β、β当三极管接成共发射极电路时，在静态（无输入信号）时集电极电流ＩＣ（输出电流）与基极电流ＩＢ（输入电流）的比值称为共发射极静态电流（直流）放大系数，即２.集－射极反向截止电流ＩＣＥＯ它是指基极开路（ＩＢ＝０）时，集电结处于反向偏置和发射结处于正向偏置时的集电极电流。又因为它好像是从集电极直接穿透三极管而到达发射极的，所以又称为穿透电流。这个电流应越小越好。上一页下一页返回第三节半导体三极管３.集电极最大允许电流ＩＣＭ当集电极电流超过一定值时，三极管的β值就要下降，ＩＣＭ就是表示当β值下降到正常值的２／３时的集电极电流。４.集电极最大允许耗散功率ＰＣＭ由于集电极电流在流经集电结时将产生热量，使结温升高，从而会引起三极管参数变化。当三极管因受热而引起的参数变化不超过允许值时，集电极所消耗的最大功率就称为集电极最大允许耗散功率ＰＣＭ。ＰＣＭ与ＩＣ、ＵＣＥ的关系是ＰＣＭ＝ＩＣ·ＵＣＥ可在三极管的输出特性曲线上作出ＰＣＭ曲线，它是一条双曲线，如图１－１９所示。ＰＣＭ主要受结温度的限制，一般来说，锗管允许结温度为７０℃～９０℃，硅管允许结温度约为１５０℃。上一页返回第四节场效应晶体管一、基本结构Ｎ沟道增强型ＭＯＳＦＥＴ的结构示意图和符号如图１－２０所示，它是在一块低掺杂的Ｐ型硅片上生成一层ＳｉＯ２薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的Ｎ型区，并引出两个电极，分别是漏极Ｄ和源极Ｓ。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极Ｇ。Ｐ型硅片称为衬底，用字母Ｂ表示。下一页返回第四节场效应晶体管二、工作原理１.栅源电压ｕＧＳ的控制作用当ｕＧＳ＝０Ｖ时，漏源之间相当于两个背向的二极管，不存在导电沟道，在Ｄ、Ｓ之间加上电压也不会在Ｄ、Ｓ极间形成电流。当栅源极加有电压时，若０＜ｕＧＳ＜ｕＧＳ（ｔｈ）（ｕＧＳ（ｔｈ）称为开启电压）时，通过栅极和衬底间的电场作用，将靠近栅极下方的Ｐ型半导体中的空穴向下方排斥，出现了一薄层负离子的耗尽层。耗尽层中的少子电子将向表层运动，但数量有限，不足以形成的导电沟道，将漏极和源极沟通，所以仍然不足以形成漏极电流ｉＤ，如图１－２１（ａ）所示。上一页下一页返回第四节场效应晶体管２.漏源电压ｕＤＳ对漏极电流ｉＤ的控制作用当ｕＧＳ＞ｕＧＳ（ｔｈ）且固定为某一数值时，来分析漏源电压ｕＤＳ对漏极电流ｉＤ的影响。ｕＤＳ的不同变化对沟道的影响如图１－２２所示。根据此图可知有如下关系：ｕＤＳ＝ｕＤＧ＋ｕＧＳ＝－ｕＧＤ＋ｕＧＳｕＧＤ＝ｕＧＳ－ｕＤＳ３.特性曲线转移特性曲线如图１－２３（ａ）所示，当ｕＧＳ＜ｕＧＳ（ｔｈ）时，导电沟道没有形成，ｉＤ＝０。当ｕＧＳ≥ｕＧＳ（ｔｈ）时开始形成导电沟道，ｉＤ随ｕＧＳ增大而增大。输出特性曲线如图１－２３（ｂ）所示，它分成三个区：可变电阻区、恒流区和夹断区。上一页返回第五节晶体二极管、三极管的识别与简单测试一、晶体管的识别根据晶体管的引线数可以判断是二极管还是三极管（有的三极管有四根引线，其中一根接管壳，使用时接地）。根据部分二极管上标有的符号和二极管的外型可以判断出二极管的极性。对于常用的双极型晶体管，可根据它的管脚排列顺序，判断出它的发射极、基极和集电极。在晶体管上一般都有晶体管的型号，根据型号可以知道晶体管的材料、类别、序号。通过查阅手册，还可得知晶体管的主要参数、使用方法等技术资料。下一页返回第五节晶体二极管、三极管的识别与简单测试二、晶体管的测试１.用万用表测试晶体二极管①判断二极管的极性。测二极管时，使用指针式万用表的Ｒ×１００或Ｒ×１Ｋ挡。这时万用表等效电路如图１－２４所示。其中Ｒ０为等效内阻，Ｕ０为表内电池电压。当万用表处于Ｒ×１００或Ｒ×１Ｋ挡时，Ｕ０＝１.５Ｖ。若将黑表笔接二极管的正极，红表笔接二极管的负极，则二极管处于正向偏置，呈现低阻，万用表指示电阻较小。反之，二极管处于反向偏置，呈现高阻，万用表显示电阻较大。据此可判断出二极管的极性，测得电阻较小时，黑表笔所连接的是二极管的正极。上一页下一页返回第五节晶体二极管、三极管的识别与简单测试②判断二极管的好坏。判断二极管好坏的方法与判别二极管极性相同。若两次测得的阻值均很小，则二极管内部短路；若两次测得的阻值均为无穷大，则二极管内部开路；若两次测得的阻值差别甚大，说明二极管单向导电特性较好。必须注意，用万用表不同的电阻挡，其等效电阻Ｒ０和Ｕ０是不同的，测量时不宜使用Ｒ×１或Ｒ×１０Ｋ挡。因为使用Ｒ×１挡时，Ｉ０较大，易损坏晶体管；使用Ｒ×１０Ｋ挡时，Ｕ０较大，也易损坏晶体管。上一页下一页返回第五节晶体二极管、三极管的识别与简单测试２.用万用表测试晶体三极管①用万用表判别三极管的管型和管脚。ａ.管型和基极ｂ的判别。判别时可将三极管看成是一个背靠背的ＰＮ结，如图１－２５所示。按照判别二极管极性的方法，可以判断出其中一极为公共正极或公共负极，此极即为基极ｂ，对ＮＰＮ型管，基极是公共正极；对ＰＮＰ型管则是公共负极。因此，判别出基极是公共正极还是公共负极，即可知道被测三极管是ＮＰＮ还是ＰＮＰ型三极管。ｂ.发射极ｅ和集电极ｃ的判别。判别ｃ、ｅ极时按图１－２６所示，确定基极之后，再测量ｅ、ｃ极之间的电阻，然后交换表笔重测一次，两次电阻值应不相等，其中电阻较小的一次为正常接法。正常接法时，对于ＰＮＰ型，黑表笔接的是ｅ极，红表笔接的是ｃ极；对于ＮＰＮ型，红表笔接的是ｅ极，黑表笔接的是ｃ极。上一页下一页返回第五节晶体二极管、三极管的识别与简单测试②判别三极管的好坏。测试时用万用表分别测试三极管发射结、集电结的正、反向电阻，若两结正、反向电阻正常，那么，三极管一般为正常三极管。否则，三极管已损坏。③判别电流放大倍数的大小。以ＰＮＰ型三极管为例，将同型号的两个ＰＮＰ型三极管分别接入图１－２６所示的测试电路，因为ＩＣ＝βＩＢ，ＩＣ为流经万用表的电流，ＩＣ大则万用表显示阻值小，根据万用表所示阻值，可以判别β的大小。④判别ＩＣＥＯ的大小。如图１－２７所示，用万用表测试ｃ、ｅ间电阻，万用表所显示阻值越大，表示三极管的穿透电流ＩＣＥＯ越小。上一页下一页返回第五节晶体二极管、三极管的识别与简单测试三、器件手册的应用器件手册给出了器件的技术参数和使用资料，是我们正确使用器件的依据。器件的种类很多，其结构、用途和参数指标是不同的。在使用器件时，若不了解它的特性、参数和使用方法，就不能达到预期的效果，有时还会因器件的部分或某一项参数不满足电路要求而损坏器件或整个电路。由此可见，要正确使用器件，先要了解其性能、用途、参数和使用方法。而器件手册就为我们提供了这些有用的资料。１.器件手册的类型器件手册的种类很多，凡是能够系统地、详细地给出各种器件的特性、参数的资料都可作为器件手册。常用的器件手册有《常用晶体管手册》《常用线性集成电路大全》《中国集成电路大全》等。上一页下一页返回第五节晶体二极管、三极管的识别与简单测试２.器件手册的基本内容器件手册一般包括以下内容。①器件的型号命名方法。手册上附有按标准（国家标准或原电子工业部标准）规定的器件型号命名方法。告诉我们所介绍器件的型号由哪几部分组成，在各部分中数字或字母所表示的意义。②电参数符号说明。为了查阅和了解手册中介绍器件的功能及有关技术性能，手册中一般都给出器件通用的参数符号及其表示意义。在《集成运算放大器》手册中给出了一些主要的直流参数，并对这些参数的意义分别做了说明，例如：ＵＯＰＰ输出峰－峰值电压，表示运放在特定的负载条件下，运放能输出的最大电压幅度。上一页下一页返回第五节晶体二极管、三极管的识别与简单测试③器件的主要用途。各种器件由于其结构、制作工艺、特性参数不同，因而用途也就不同。手册介绍了器件的各种用途，为选用器件提供了可靠的依据。④主要参数和外形。手册上列表给出了器件的参数及这些参数的测试条件。当需要测试这些参数时，应根据所给的条件进行。对于集成电路，有的还附有相应的测试电路图。手册上都有所介绍器件的外型、尺寸和引线排列顺