CN119419023A 一种纳米晶体磁性材料及其制备方法 (中国科学技术大学)_第1页
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本发明公开了一种纳米晶体磁性材料及其3:1:6,该晶体具有中心对称破缺的六方层状结电子性质,在多个领域展现出了潜在的应用价21:6,具体的,Nb原子百分比为30.83404%、V原子百分比为9.84943%、Se原子百分比为3[0004]在低维磁性材料领域,特别是那些能够在二维或更低维度下展示铁磁有序的材2Ge2Te63GeTe2和Cr3VS6等,它们的发现和发展不仅极大地扩展了我们对材料磁电阻_温度关系可能与材料内部的磁性转变有关,对于深入理解材料的磁性和电输运性质一种Nb3VSe6低维磁性材料及其在低温下的电阻特性材料,该材料为磁性Nb3VSe64[0009]Nb3VSe6单晶是一种在低温至室温范围内展现出独特电阻_温[0014]探索并掌握人工合成含硒单晶的方法不仅是进一步深化对该类材料晶体结构特5域展现出了潜在的应用价值,尤其是在高频器件、自旋电子学元件和磁阻尼器等方面。Se,三种元素计量摩尔比为3:1:6,具体的,Nb原子百分比为30.83404%、V原6[0028]图2表示Nb3VSe6单晶样品的EDS光谱,以及样品形貌图表面形貌789

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