CN119422460A 包括沟槽桥接件的三维存储器器件及其形成方法 （桑迪士克科技有限责任公司）

2024.11.20PCT/US2023/0250572023.06.12WO2024/035487EN2024.02.15包括沟槽桥接件的三维存储器器件及其形叠中的每个层堆叠包括第一绝缘层和第一导电层的第一层交替堆叠以及第二绝缘层和第二导2一对层堆叠，所述一对层堆叠沿着第一水平方向横向延伸并存储器开口填充结构，所述存储器开口填充结构位于相应存储器开桥结构，所述桥结构沿着所述第二水平方向跨越所述背侧沟槽的整2.根据权利要求1所述的三维存储器器件，所述三维存储器器件还包括位于所述背侧3.根据权利要求2所述的三维存储器器件，其中所述桥结构包括接触所述一对层堆叠4.根据权利要求3所述的三维存储器器件，所述三维存储器器件还包括位于所述背侧方向并且接触所述背侧沟槽填充结构的相应侧壁表面区段的相5.根据权利要求4所述的三维存储器器件，其中所述多个桥结构的所述顶部表面中的每个顶部表面接触所述背侧沟槽填充结构的相应6.根据权利要求4所述的三维存储器器件，其中所述背侧沟槽填充结构包括接触所述一对层堆叠的纵向侧壁并且横向包围背侧接触通孔结所述绝缘间隔物包括接触所述多个桥结构中的相应一个桥结构的底部表面的多个上所述多个上部绝缘桥部分沿着所述第一水平方向具有与所述多个桥结构中的相应一所述绝缘间隔物包括接触所述背侧沟槽下面的半导体材料层的相应顶部表面区段的所述多个源极区通过所述半导体材料层的位于所述绝缘间隔物的所述多个下部绝缘所述一对层堆叠还包括覆盖在第二层交替堆叠上面的第二绝缘帽盖层和接触层级介所述背侧接触通孔结构从包括所述半导体材料层的顶部表面的第一水平平面竖直延3伸到包括所述一对层堆叠的所述接触层级介电层第一层后向阶梯式介电材料部分，所述第一层后向阶梯式介电第二层后向阶梯式介电材料部分，所述第二层后向阶梯式介电其中所述第一层后向阶梯式介电材料部分的顶部表面位于包括所述第一绝缘帽盖层11.根据权利要求10所述的三维存储器器件，其中所述一对层堆叠中的每个层堆叠包括接触相应第一层后向阶梯式介电材料部分的顶部表面、相应第一绝缘帽盖层的顶部表每个第一侧壁具有邻接于所述第一绝缘帽盖层中的相应一个第一绝缘帽盖层的侧壁的相形成沿着第一水平方向横向延伸并且沿着第二水平方向通过第一层背侧沟槽彼此横缘层和第一牺牲材料层的第一层交替堆叠和覆盖在所述第一层交替堆叠上面的第一绝缘在所述第一层背侧沟槽中的每个第一层背侧沟槽中形成包括牺牲沟槽填充结构和桥在所述第一层交替堆叠上方形成第二层层堆叠，其中所述第二其中所述第二层层堆叠中的每个第二层层堆叠包括第二绝缘层和第二牺牲材料层的第二将所述桥材料基质中的每个桥材料基质图案化为沿着所述第一水平方向横向间隔开分别用第一导电层和第二导电层替换所述第一牺牲材料层和所述牺牲沟槽填充结构是通过在所述第一层背侧沟槽中沉积牺牲沟槽填充材料并且所述桥材料基质是通过在所述牺牲沟槽填充结构上方沉积桥材料并且从包括所述第一绝缘帽盖层的顶部表面的水平平面上方移除所述桥材所述桥材料基质的顶部表面形成在包括所述第一绝缘帽盖层的所述顶部表面的水平4在所述第二层交替堆叠上方和在所述第二层背侧沟槽中施将所述光致抗蚀剂层图案化为沿着所述第二水平方向横向延伸并且沿着所述第一水蚀刻所述桥材料基质的未被所述多个光致抗蚀剂材料条带掩蔽的所述第一层背侧沟槽中的每个第一层背侧沟槽具有垂直于所述第二水平方向的相应所述第二层背侧沟槽中的每个第二层背侧沟槽具有垂直于所述第二水平方向的相应形成第一连续绝缘层和第一连续牺牲材料层的第一竖直交替序列；穿过所述第一连续绝缘帽盖层和所述第一竖直交替序列形成所述第中所述第一层层堆叠包括所述第一连续绝缘帽盖层和所述第一竖直交替序列的图案化部在所述第一层层堆叠和所述填充材料堆叠上方形成第二连续绝缘层和第二连续牺牲穿过所述第二竖直交替序列形成所述第二层背侧沟槽，其中所述第在所述存储器开口中形成存储器开口填充结构，其中所述存储个存储器开口填充结构包括存储器元件的相应竖直堆叠和相应竖直一对层堆叠，所述一对层堆叠沿着第一水平方向横向延伸并存储器开口填充结构，所述存储器开口填充结构位于相应存储器开22.根据权利要求21所述的三维存储器器件，所述三维存储器器件还包括位于所述背背侧接触通孔结构包含竖直延伸穿过所述穿孔桥结构中的所述竖直延伸开口的圆柱形连5下部背侧接触通孔部分，所述下部背侧接触通孔部分位于所述一对上部背侧接触通孔部分，所述上部背侧接触通孔部分位于所述一所述下部背侧接触通孔部分邻接于所述背侧接触通孔结构的所述圆柱形连接部分的所述上部背侧接触通孔部分邻接于所述背侧接触通孔结构的所述圆柱形连接部分的25.根据权利要求23所述的三维存储器器件，其中所述下部背侧接触通孔部分嵌入相26.根据权利要求23所述的三维存储器器件，其中所述背侧接触通孔结构还包括横向包围所述下部背侧接触通孔部分并且接触所述穿孔桥结构的整个底部表面的第一绝缘间27.根据权利要求26所述的三维存储器器件，其中所述第一绝缘间隔物包括接触所述穿孔桥结构中的所述多个竖直延伸开口的侧壁的管28.根据权利要求26所述的三维存储器器件，其中所述背侧接触通孔结构还包括横向包围所述上部背侧接触通孔部分的下部部分并且接触所述穿孔桥结构的顶部表面的周边29.根据权利要求28所述的三维存储器器件，其中所述第二绝缘间隔物和所述第一绝30.根据权利要求28所述的三维存储器器件，其中所述背侧接触通孔结构还包括覆盖在所述第二绝缘层上面并且横向包围所述上部背侧接触通孔部分的上部部分的第三绝缘所述第二绝缘间隔物包括一对横向起伏外侧壁，所述一对横向起伏外所述第三绝缘间隔物包括沿着所述第一水平方向横向延伸的一对横向31.根据权利要求21所述的三维存储器器件，其中所述穿孔桥结构的顶部表面位于所所述一对层堆叠中的每个层堆叠包括位于相应第一层交替堆叠与相应第二层交替堆所述穿孔桥结构的顶部表面位于包括所述第一绝缘帽盖层的顶部表面的水平平面内；所述穿孔桥结构接触所述第一绝缘帽盖层的侧壁并且包括掺杂半导33.根据权利要求21所述的三维存储器器件，其中所述穿孔桥结构包括一对横向起伏6所述背侧沟槽的位于所述穿孔桥结构下面的底部部分包括一对横向起伏所述背侧沟槽的所述底部部分的所述一对横向起伏侧壁与所述穿孔桥结构的所述一形成第一连续绝缘层和第一连续牺牲材料层的第一竖直交替序列；通过形成第一层背侧沟槽将所述第一竖直交替序列分成第一绝缘层和第一牺牲材料水平方向通过所述第一层背侧沟槽彼此横向在所述第一层背侧沟槽中的每个第一层背侧沟槽中形成包括牺牲沟槽填充结构和桥在所述第一层交替堆叠和所述填充材料堆叠上方形成第二连续绝缘层和第二连续牺牲材料层的第二竖直交替序列；穿过所述第二竖直交替序列并且穿过所述桥材料基质形成多行分立通过横向扩展所述分立背侧开口将所述第二竖直交替序列分成第二绝缘层和第二牺分别用第一导电层和第二导电层替换所述第一牺牲材料层和将所述第一连续绝缘帽盖层分成覆盖在所述第一层交替堆叠中的相应一个第一层交所述牺牲沟槽填充结构是通过在所述第一层背侧沟槽中沉积牺牲沟槽填充材料并且所述桥材料基质是通过在所述牺牲沟槽填充结构上方沉积桥材料并且从包括所述第一绝缘帽盖层的顶部表面的水平平面上方移除所述桥材横向扩展所述第一层背侧开口，其中所述行中的每个行中的所述通过执行第一各向异性蚀刻工艺，在形成所述多行分立第一层背侧开口通过执行第二各向异性蚀刻工艺，在所述第一层存储器开口的区域7在所述第一层存储器开口的体积与所述第二层存储器开口的体积的每个连续组合内39.根据权利要求38所述的方法，其中所述存储器开口填充结构中的每个存储器开口填充结构包括存储器元件的相应竖直堆叠和相应竖直在形成所述第二层背侧沟槽之后移除所述牺牲沟槽填充结构，8[0002]本申请要求2022年8月11日提交的美国非临时专利申请第17/819,081号和2022年8月11日提交的美国非临时专利申请第17/819,097号的优先权权益，该美国非临时专利申[0004]包括每个单元具有一个位的三维竖直NAND串的三维存储器器件在T.Endom等人的名称为“具有堆叠的包围栅极晶体管(S_SGT)结构化单元的新型超高密度存储器(NovelUltraHighDensityMemoryWithAStacked_SurroundingGateTransistor(S_SGT)上方的第一绝缘帽盖层和位于第一绝缘帽盖层上方的第二绝缘层和第二导电层的第二层该存储器开口填充结构位于相应存储器开口中并且包括存储器元件的相应竖直堆叠和相方向横向延伸并且沿着第二水平方向通过第一层背侧沟槽彼此横向间隔开的第一层层堆第二层层堆叠中的每个第二层层堆叠包括第二绝缘层和第二牺牲材料层的第二层交替堆9一对层堆叠中的每个层堆叠包括第一绝缘层和第一导电层的第一层交替堆叠以及第二绝沿着第一水平方向横向延伸并且沿着第二水平方向通过所述第一层背侧沟槽彼此横向间电层和第二导电层替换第一牺牲材料层和第二牺[0009]图1是根据本公开的第一实施方案的在形成任选的半导体器件、任选的下部层级料层的第一竖直交替序列之后的第一示例性结构的竖[0010]图2是根据本公开的第一实施方案的在形成第一阶梯式表面和第一层后向阶梯式[0011]图3A是根据本公开的第一实施方案的在形成第一层开口之后的第一示例性结构[0019]图5A是根据本公开的第一实施方案的在形成牺牲第一层开口填充结构和牺牲停[0023]图6A是根据本公开的第一实施方案的在形成第一层背侧沟槽之后的第一示例性[0027]图7A是根据本公开的第一实施方案的在形成牺牲沟槽填充结构之后的第一示例[0031]图8A是根据本公开的第一实施方案的在形成桥材料基质和移除牺牲停止材料层[0036]图9A是根据本公开的第一实施方案的在形成第二连续绝缘层和第二连续牺牲材[0040]图10A是根据本公开的第一实施方案的在形成第二层开口之后的第一示例性结构[0044]图11A是根据本公开的第一实施方案的在形成层间存储器开口和层间支撑开口之[0048]图12A至图12D示出了根据本公开的第一实施方案的在形成存储器开口填充结构[0049]图13A是根据本公开的第一实施方案的在形成存储器开口填充结构和支撑柱结构[0053]图14A是根据本公开的第一实施方案的在形成第二层背侧沟槽之后的第一示例性[0057]图15A是根据本公开的第一实施方案的在形成图案化光致抗蚀剂层之后的第一示[0061]图16A是根据本公开的第一实施方案的在将桥材料基质图案化为桥结构和移除牺牲沟槽填充结构之后的第一示例性结构的竖直[0065]图17是根据本公开的第一实施方案的在形成背侧凹陷部之后的第一示例性结构[0066]图18是根据本公开的第一实施方案的在形成导电层之后的第一示例性结构的竖[0067]图19A是根据本公开的第一实施方案的在形成源极区和背侧沟槽填充结构之后的[0070]图20是根据本公开的第一实施方案的在形成各种接触通孔结构之后的第一示例[0071]图21A是根据本公开的第二实施方案的在形成包括第一层背侧开口的第一层开口[0074]图22A是根据本公开的第二实施方案的在形成牺牲介电衬垫层、牺牲半导体衬垫[0077]图23A是根据本公开的第二实施方案的在形成和图案化第一牺牲封盖层和移除牺牲背侧开口填充结构之后的第二示例性结构的竖直[0080]图24A是根据本公开的第二实施方案的在形成第一层背侧沟槽之后的第二示例性[0083]图25A是根据本公开的第二实施方案的在形成牺牲沟槽填充结构之后的第二示例[0086]图26A是根据本公开的第二实施方案的在形成桥材料基质和移除第一牺牲封盖层[0090]图27A是根据本公开的第二实施方案的在形成第二连续绝缘层和第二连续牺牲材[0093]图28A是根据本公开的第二实施方案的在形成包括第二层背侧开口的第二层开口之后并且在将桥材料基质图案化为穿孔桥结构之后的第二示例性结构的竖[0096]图29A是根据本公开的第二实施方案的在形成第二层牺牲开口填充结构之后的第[0099]图30A是根据本公开的第二实施方案的在形成第二牺牲封盖层和图案化光致抗蚀剂层以及图案化第二牺牲封盖层之后的第二示[0102]图31A是根据本公开的第二实施方案的在形成存储器开口填充结构和支撑柱结构[0105]图32A是根据本公开的第二实施方案的在沉积和图案化接触层级介电层之后的第[0108]图33A是根据本公开的第二实施方案的在移除第二层背侧开口填充结构之后的第[0111]图34A是根据本公开的第二实施方案的在形成第二层背侧沟槽之后的第二示例性[0114]图35A是根据本公开的第二实施方案的在移除第一层牺牲背侧沟槽填充结构之后[0117]图36A是根据本公开的第二实施方案的在用导电层替换牺牲材料层之后的第二示[0121]图37A是根据本公开的第二实施方案的在形成源极区和背侧沟槽填充结构之后的[0127]图37G是沿着对应于图37A的水平平面D_D’的水平平面的第二示例性结构的另选[0128]图38是根据本公开的第二实施方案的在形成各种接触通孔结构之后的第二示例[0129]如上所述，本公开的实施方案涉及包含桥接件的三维存部表面和底部表面之间或在第一连续结构的顶部表面和底部表面处的任何一对水平平面本上竖直的平面是沿偏离竖直方向小于5度的角度的方向直线延伸的平面。竖直平面或基×10_5S/m至1.0S/m的范围内的电导率的材料，并且能够在适当掺杂电掺杂剂时产生具有[0136]单体三维存储器阵列是在单个衬底(诸如半导体晶圆)上方形成多个存储器层级利第5,915,167号中所述，通过在单独的衬底上形成存储器级和垂直地堆叠存储器级来构[0140]半导体器件720可形成在衬底半导体层9上，该衬底半导体层至少设置在衬底8的上部部分内。嵌入下部层级金属互连结构780(由虚线区域示意性地表示)的下部层级介电顶部表面上方形成的场效应晶体管。下部层级介电层760可以是嵌入下部层级金属互连结[0143]半导体材料层110以及第一连续绝缘层132L和第一连续牺牲材料层142L的第一竖一材料不同的第二材料构成。第一连续绝缘层132L中的每一者是在衬底8的整个区域上方有均匀厚度。可用于第一连续绝缘层132L的绝缘材料包括但不限于氧化硅(包括掺杂硅酸[0146]第一连续绝缘帽盖层170L包括与第一连续牺牲材料层142L的材料不同的介电材掩模层中最靠近存储器阵列区域100的每个矩形开口的区段不由可微调掩模层掩蔽，而每形状具有垂直于第一水平方向并且平行于第二水平方向处理步骤的次数为第一竖直交替序列内的第一连续牺牲材料层142L的总数减去1。该组层模微调工艺之后执行最终的各向异性蚀刻工艺，并且可例如通过灰化来移除可微调掩模一介电填充材料的剩余部分构成第一层后向阶梯式介电[0150]参考图3A至图3D，可穿过第一连续绝缘帽盖层170和第一竖直交替序列(132L,142L)并且进入半导体材料层110形成各种第一层开口。可在第一竖直交替序列(132L,142L)上方施加光致抗蚀剂层(未示出)，并且可对该光致抗蚀剂层进行光刻图案化以形成[0151]各种第一层开口可包括存储器阵列区100中形成的第一层存储器开口149和阶梯区200中形成的第一层支撑开口129。第一层存储器开口149的每个集群可形成为第一层存在沿着第一水平方向(例如，字线方向)hd1横电衬垫层121L可在随后处理步骤中在牺牲填充材料层124L对牺牲介电衬垫层121L的材料组成来优化牺牲介电衬垫层121L和牺牲半导体衬垫层122L中的每一者的存在或不存在及面的水平平面上方移除牺牲介电衬垫层121L、牺牲半导体衬垫层122L和牺牲填充材料层124L的部分。平面化工艺可采用化学机械抛光(CMP)工艺和/或至少一个凹陷回蚀刻工艺。牺牲介电衬垫层121L的保留在第一层开口(149,129)中的每个剩余部分在本文中被称为牺的牺牲半导体衬垫122和填充第一层存储器开口149的牺牲填充材料部分124的每个组合构122和填充第一层支撑开口129的牺牲填充材料部分124的每个组合构成牺牲第一层支撑开此外，牺牲停止材料层126可包括随后可对第一连续绝缘帽盖层170L的材料选择性地移除可对该光致抗蚀剂层进行光刻图案化以形成沿着第一水平方向hd1横向延伸的细长开口。的细长开口可覆盖在没有第一层存储器开口149和第一层支撑开口129的相应条带形区域[0157]可执行各向异性蚀刻工艺以蚀刻第一连续绝缘帽盖层170L和第一竖直交替序列第一层背侧沟槽179中的每个第一层背侧沟槽之下。随后可例如通过灰化移除图案化光致[0158]牺牲停止材料层126可被分成位于相应相邻的一对第一层背侧沟槽179之间的多个部分。第一连续绝缘帽盖层170L可由第一层背侧沟槽179分成多个第一绝缘帽盖层170。第一竖直交替序列(132L,142L)可被分成第一绝缘层132和第一牺牲材料层142的多个第一第一层背侧沟槽179中的每个第一层背侧沟槽可具有沿着第一水平方向hd1横向延伸的相二水平方向hd2具有均匀宽度。第一层交替堆叠(132,142)和第一绝缘帽盖层170的每个连[0159]一般来讲，可穿过第一连续绝缘帽盖层170L和料层110上方。第一层层堆叠(132,142,170)沿着第一水平方向hd1横向延伸并且沿着第二水平方向hd2通过第一层背侧沟槽179彼此横向间隔开。第一层层堆叠(132,142,170)中的每个第一层层堆叠包括第一绝缘层132和第一牺牲材料层142的第一层交替堆叠(132,中的每个第一层背侧沟槽具有垂直于第二水平方向hd2的相应一[0160]参考图7A至图7D，可在第一层背侧沟槽179中沉积任选的牺牲沟槽衬垫材料和牺牲沟槽填充材料。牺牲沟槽衬垫材料(如果采用)可包括厚度在1nm至6nm的范围内的氧化和牺牲沟槽填充材料的覆盖在包括牺牲停止材料层126的顶部表面的水平平面上面的部可选择凹陷蚀刻工艺的持续时间，使得牺牲沟槽填充结构174的顶部表面形成在包括第一[0162]用于随后形成桥结构的桥材料可沉积在覆盖在牺牲沟槽填充结构174上面的线形热磷酸随后可用于在湿法蚀刻工艺中移除氮化硅。在存储器膜50包括氧化硅层的情况下，的顶部表面形成在包括第一绝缘帽盖层170的顶部表面的水平平面处或附近。可通过CMP在本文中被称为桥材料基质176。牺牲停止材料层126可在凹陷工艺期间或在形成桥基质[0163]虽然上文描述了其中竖直凹陷距离在整个牺牲沟槽填充结构174上方相同的实施方案，但本文明确设想了其中采用蚀刻掩模层和附加蚀刻工艺来增加阶梯区200中的牺牲沟槽填充结构174的竖直凹陷距离而不增加存储器阵列区100中的竖直凹陷距离的另选实厚度的较薄部分和位于阶梯区200中的具有第二厚度的较厚部分。第二厚度比第一厚度大[0164]可在第一层背侧沟槽179中的每个第一层背侧沟槽中形成包括任选的牺牲沟槽衬成在包括第一绝缘帽盖层170的顶部表面的水平平面内。在一个实施方案中，桥材料基质176中的每个桥材料基质可具有邻接于第一绝缘帽盖层170中的相应一个第一绝缘帽盖层[0165]一般来讲，可通过在牺牲沟槽填充结构174上方沉积桥材料并且通过从包括第一层包括穿过其的多行开口。每行开口覆盖在牺牲沟槽填充结构174中的相应一个牺牲沟槽填充结构上面。可执行凹陷蚀刻工艺以对牺牲停止材料层126的材料选择性地使牺牲沟槽中，并且可通过平面化工艺从包括牺牲停止材料层126的顶部表面的水平平面上方移除桥槽填充结构174的物理暴露顶部表面相同的水平[0167]虽然上文描述了其中竖直凹陷距离在牺牲沟槽填充结构174的所有凹陷区上相同并且所有桥结构178以相同厚度形成的实施方案，但本文明确设想了其中采用蚀刻掩模层和附加蚀刻工艺来增加阶梯区200中的牺牲沟槽填充结构174的竖直凹陷距离而不增加存构178可具有类似于存储器阵列区100中的层170的厚度的第一厚度和阶梯区200中的较大竖直交替序列。第二连续绝缘层232L中的每一者是在衬底8的整个区域上方连续延伸的绝该牺牲材料层包含介电材料并且在衬底8的整个区域上方连续延伸，并且可整体具有均匀[0169]第二阶梯式表面可形成在阶梯区200内。第二阶梯式表面的区域沿着第一水平方阶梯式表面可位于未被第二竖直交替序列(232L,242L)的图案化部分覆盖的区域中。一般来讲，用于形成第一竖直交替序列(132L,142L)的第一阶梯式表面的方法可在任何所需改硅酸盐玻璃或掺杂硅酸盐玻璃)可沉积在第二阶梯式腔体中。可将第二介电填充材料平坦化以从包括第二连续绝缘帽盖层270L的顶部表面的水平平面上方移除第二介电填充材料介电材料部分265。因此，第二层后向阶梯式介电材料部分265形成在第二竖直交替序列可在第二竖直交替序列(232L,242L)上方施加光致抗蚀剂层(未示出)，并且可对该光致抗一层开口(149,129)的图案相同。可通的图案转移通过第二垂直交替序列(232L,242L)以同时形成[0172]各种第二层开口(249,229)可包括形成在牺牲第一层存储器开口填充结构140中的相应一个牺牲第一层存储器开口填充结构上的存储器阵列区100中的第二层存储器开口249和形成在牺牲第二层支撑开口填充结构120中的相应一个牺牲第二层支撑开口填充结构上的阶梯区200中的第二层支撑开口229。第二层存储器开口249的每个集群可以形成为[0173]参考图11A至图11D，可通过执行一系列蚀刻工艺而从第二层存储器开口249和第二层支撑开口149之下移除牺牲第一层存储器开口填充结构140和牺牲第一层支撑开口填蚀刻工艺或各向同性蚀刻工艺。第一蚀刻工艺可对任选的牺牲半导体衬垫122(如果存在)[0174]第二层存储器开口249和下面的第一层存储器开口149的体积的每个连续组合构过第二竖直交替序列(232L,242L)并且穿过第一层层堆叠(132,142,170)形成存储器开口[0175]图12A至图12D示出了根据本公开的第一实施方案的在形成存储器开口填充结构介电层52可以包括具有大于7.9的介电常数(即，具有大于氮化硅的介电材料层54可以是包括介电电荷捕获材料(例如其可以是氮化硅)的电荷捕获材料的连续层料)的连续层或图案化分立部分，该导电材料例如通过在横向凹陷部内形成为牺牲材料层料层(142,242L)的层级处的存储器元件通过热载流子注入或通过福勒_诺德海姆隧穿感应电荷转移来执行电荷隧穿，这取决于待料层54和介电材料衬垫56的堆叠构成存储存储位的存储器52的水平部分。半导体材料层110的表面可物理地暴露在每个存储器开口49内的每个腔体材料层60L包括硼掺杂非晶硅或硼掺杂多晶硅并且/或者基本上由硼掺杂非晶硅或硼掺杂如磷原子或砷原子)以1.0×1012/cm3至1.0×10更小和更大的厚度。腔体49’可存在于每个层间存储器开口49的未填充有沉积的材料层如通过凹陷蚀刻移除介电芯层的覆盖第二连续绝缘帽盖层270L的水平部分。凹陷蚀刻继[0183]参考图12D和图13A至图13D，可在覆盖介电芯62的腔体中沉积具有第二导电类型艺来移除沉积的掺杂半导体材料和半导体沟道材料层60L的覆盖在包括第二连续绝缘帽盖[0185]半导体沟道材料层60L的每个剩余部分都构成竖直半导体沟道60，当包括竖直半[0186]层间存储器开口49内的存储器膜50和竖直半导体沟道60的每个组合构成存储器第二竖直交替序列的存储器阵列区域100形成存储器堆叠结构55，其中存在第一竖直交替顶部表面可形成在包括第二连续绝缘帽盖层270L的顶部表面层280上方施加光致抗蚀剂层(未示出)，并且可对该光致抗蚀剂层进行光刻图案化以形成[0189]可执行各向异性蚀刻工艺以蚀刻接触层级介电层280、第二连续绝缘帽盖层270L层级介电层280L、第二连续绝缘帽盖层270L和第二竖直交替序列(232L,242L)的材料的体[0190]接触层级介电层280可被分成位于相应相邻的一对第二层背侧沟槽279之间的多二竖直交替序列(232L,242L)可被分成第二绝缘层232和第二牺牲材料层242的多个第二层二层背侧沟槽279中的每个第二层背侧沟槽可具有沿着第一水平方向hd1横向延伸的相应水平方向hd2具有均匀宽度。第二层交替堆叠(232,242)和第二绝缘帽盖层270的每个连续[0191]可穿过第二连续绝缘帽盖层270L和第二竖直交替序列(232L,242L)形成第二层背列(232L,242L)的图案化部分。第二层层堆叠(232,242,270)可形成在第一层层堆叠(132,水平方向hd2通过第二层背侧沟槽179彼此横向间隔开。第二层层堆叠(232,242,270)中的每个第二层层堆叠包括第二绝缘层232和第二牺牲材料层234的第二层交替堆叠(232,中的每个第二层背侧沟槽具有垂直于第二水平方向hd2的相应一向hd1横向延伸并且沿着第二水平方向hd2通过第二层背侧沟槽279彼此横向间隔开。第二层层堆叠(232,242,270)中的每个第二层层堆叠包括第二绝缘层232和第二牺牲材料层242[0193]多个层堆叠(132,142,170,180,232,242,270,280)可形成在半导体材料层110上着第二水平方向hd2通过填充材料堆叠(171,174,176)和第二层背侧沟槽279彼此横向间隔[0194]在一个实施方案中，每个存储器开口49竖直延伸穿过相应第一层交替堆叠(132,142)、相应第一绝缘帽盖层170、相应第二层交替堆叠(232,242)和相应第二绝缘帽盖层后向阶梯式介电材料部分165可接触第一层交替堆叠(132,142)中的相应一个第一层交替介电材料部分165的每个顶部表面可位于包括第一绝缘帽盖层170的顶部表面的水平平面并且沿着第一水平方向hd1横向间隔开的多个光致抗蚀剂材料条带。由图案化光致抗蚀剂层287覆盖的填充材料堆叠(171,174,176)的顶部表面的区域相对于填充材料堆叠(171,[0196]参考图16A至图16D，可执行蚀刻工艺以移除桥材料基质176的未被图案化光致抗被称为桥结构178。沿着第一水平方向hd1布置的一行桥结构178可形成在每个第一层背侧周期性阵列可形成在每个第一层背侧沟槽1沟槽填充结构174。随后，可通过执行各向同性蚀刻工艺来移除牺牲沟槽衬垫171(如果存在)。第二层背侧沟槽279的体积和相应下面的第一层背侧沟槽179的体积的每个连续联合[0198]在一个实施方案中，桥结构178中的每个桥结构可具有位于包括第一绝缘帽盖层结构可具有接触相应一对第一绝缘帽盖层170的侧壁并且沿着第一水平方向横向延伸的相应一对第一侧壁。桥结构178的第一侧壁可以是竖直的或基本上竖直的。在一个实施方案中，桥结构178中的每个桥结构可具有物理地暴露在相应背侧沟槽79内的空隙并且平行于一个实施方案中，多个桥结构178的第一侧壁中的每个第一侧壁具有邻接于第一绝缘帽盖[0199]在采用图8E所例示的第一示例性结构的另选实施方案代替图8A至图8D所例示的第一示例性结构的情况下，可在图14A至图14D的处理步骤处形成第二层背侧沟槽279之后层、存储器堆叠结构58的最外层(诸如阻挡介电层52)和半导体材料层110选择性地移除牺牲材料层(142,242)。在一个实施方案中，可在各向同性蚀刻工艺期间将相对于绝缘层(132,232)、阻挡介电层52和半导体材料层110的材料选择性地蚀刻牺牲材料层(142,242)的材料的蚀刻剂引入背侧沟槽79中。例如，牺牲材料层(142,242)可包括氮化硅，绝缘层(132,232)和阻挡介电层52的材料可包括氧化硅材料，并且各向同性蚀刻工艺可采用热磷部(143,243)包括形成在从中移除第一牺牲材料层142的体积中的第一背侧凹陷部143以及形成在从中移除第二牺牲材料层242的体积中的第二背侧凹陷部243。背侧凹陷部(143,243)中的每个背侧凹陷部可以是横向延伸腔体，其具有的横向尺寸大于腔体的竖直范围。换句话讲，背侧凹陷部(143,243)中的每个背侧凹陷部的横向尺寸可大于相应的背侧凹陷表面延伸。背侧凹陷部(143,243)可由下层绝缘层(132,232)的顶部表面和上覆绝缘层[0204]可通过执行至少一个保形沉积工艺将至少一种导电材料沉积在背侧凹陷部(143,金属元素的导电材料。可在背侧凹陷部(143,243)中沉积的非限制性示例性金属材料包括背侧凹陷部(143,243)的至少一种导电材料可以是氮化钛层和钨填充[0205]可在背侧凹陷部(143,243)中通过沉积至少一种导电材料来形成导电层(146,243中形成多个第二导电层246，并且可在每个背侧沟槽79的侧壁上形成连续金属材料层的任选部分和第二导电层246替换。背侧腔体存在于每个背侧沟槽79的未填充有连续金属[0206]可通过各向异性工艺和/或各向同性蚀刻工艺从背侧沟槽79内部和从接触层级介[0207]导电层(146,246)的子集层和最底部导电层可包括选择栅极电极。半导体器件720(如果存在)可包括驱动器电路晶体管(诸如被配置成控制到相应字线的电压的字线开关器件)和/或位线驱动器器件(诸如被配置成控制到待形成在存储器开口填充结构58面并且未被相应上覆桥结构178掩蔽的表面部分可被转换为具有第二导电类型的掺杂的源极区61。半导体材料层110的位于源极区61与存储器开口填充结构58的竖直半导体沟道60小于每个背侧沟槽79的宽度的一半，并且可在每个背侧沟槽79的宽度的1％至30％的范围桥部分74U沿着第一水平方向hd1具有与多个桥结构178中的相应上覆的一个桥结构相同的方案中，绝缘间隔物74包括接触半导体材料层110的相应顶部表面区段的多个下部绝缘桥化工艺从包括接触层级介电层280的顶部表面的水平平面上方移除至少一种导电材料的多少一种导电材料的每个剩余部分构成背侧接触通孔结构76。在形成桥结构178之后填充背侧沟槽79的空间的一种或多种材料在本文中被称为[0213]每个背侧沟槽填充结构(74,76)可任选地包括嵌入多个桥结构178的背侧接触通堆叠(132,146,170,180,232,246,270,280)的纵向侧壁并且横向包围相应背侧接触通孔结232,246,270,280)内的第一绝缘帽盖层170的相应一对第一侧壁，并且包括在包括第一绝缘帽盖层170的顶部表面的水平平面内的相[0214]在一个实施方案中，每个背侧接触通孔结构76接触嵌入在半导体材料层110内的中，每个背侧接触通孔结构76从包括半导体材料层110的顶部表面的第一水平平面竖直延伸到包括层堆叠(132,146,170,180,232,246,270,280)的接触层级介电层280的顶部表面方向hd1并且接触背侧接触通孔结构76的相应侧壁表面区段的相应一对第二侧壁。在一个实施方案中，多个桥结构178的顶部表面中的每个顶部表面接触背侧接触通孔结构76的相包括漏极接触通孔结构88，该漏极接触通孔结构穿过接触层级介电层280直接形成在存储后向阶梯式介电材料部分265并且任选地穿过第一后向阶梯式介电材料部分165并且直接同时穿过第一竖直交替序列(132L,142L)执行附加开口而从图3A至3D所例示的第一示例性形成第一层存储器开口149和第一层支撑开口129之前或之后形成第一层背侧开口377。在存储器开口149和第一层支撑开口129之前或之后形成第一层背侧[0217]第一层背侧开口377可形成为沿着第一水平方向hd1布置的多行第一层背侧开口的相邻群集之间的相应条带区域内。第一层背侧开口377中的每个第一层背侧开口的横向尺寸(诸如直径)可在第一层存储器开口149中的每个第一层存储器开口的横向尺寸(诸如第一层背侧开口377之间的横向间距可在每个第一层背侧开口377的横向尺寸的5％至绝缘帽盖层170L和第一竖直交替序列(132L,142L)转移光致抗蚀剂层中的开口的图案，可一各向异性蚀刻工艺穿过第一竖直交替序列(132L,142L)形成多行分立第一层背侧开口122L的材料选择性地移除的材料。牺牲半导体衬垫层122L包括随后可对牺牲介电衬垫层中的每个剩余部分在本文中被称为牺牲半导体衬垫122。牺牲填充材料层124L的保留在第牺牲介电衬垫121、任选的牺牲半导体衬垫122和填充第一层存储器开口149的牺牲填充材任选的牺牲半导体衬垫122和填充第一层支撑开口129的牺牲填充材料部分124的每个组合122和填充第一层存储器开口149的牺牲填充材料部分124的每个组合构成牺牲第一层背侧[0221]第一牺牲封盖层172可沉积在第一连续绝缘帽盖层170L和第一层后向阶梯式介电材料部分165上方。第一牺牲封盖层172可包括介电材料(诸如氧化硅)并且可具有在100nm讲，第一牺牲封盖层172的厚度可大于相邻多对牺牲第一层背侧开口填充结构之间的横向[0222]可在第一牺牲封盖层172上方施加光致抗蚀剂层387并且可对该光致抗蚀剂层进个实施方案中，光致抗蚀剂层387中的伸长开口可具有沿着第二水平方向hd2的均匀宽度，该均匀宽度大于下面的牺牲第一层背侧开口填充结构沿着第二水平方向hd2的横向尺寸。可执行各向异性蚀刻工艺以移除第一牺牲封盖层172的未被图案化光致抗蚀剂层187掩蔽[0223]随后，可通过执行一系列蚀刻工艺而从第一牺牲封盖层之间的线沟槽279之下移填充结构内的牺牲填充材料部分124，该第一蚀刻工艺可包括各向异性蚀刻工艺或各向同果存在)的材料选择性地蚀刻牺牲半导体衬垫122的半导体材料。如果存在牺牲介电衬垫第一牺牲封盖层172之间的每个线沟槽下面。随后可例如通过灰化来移除光致抗蚀剂层[0224]参考图24A至图24C，可执行一系列各向同性蚀刻步骤以使第一竖直交替序列步骤以使第一连续绝缘层132L和第一连续绝缘帽盖层170L的物理暴露侧壁从第一层背侧开口377周围横向凹陷，并且可执行第二各向同性蚀刻步骤以使第一连续牺牲材料层142L第一层背侧开口377在每行第一层背侧开口377内合并以形成相应第一层背侧沟槽379。第一牺牲封盖层172可在第一各向同性蚀刻步骤期间和/或在第二各向同性蚀刻步骤期间并侧沟槽379而将第一竖直交替序列(132L,142L)分成第一绝缘层132和第一牺牲材料层142的第一层交替堆叠(132,142)。第一层交替堆叠(132,146)沿着第一水平方向hd1横向延伸170L可被分成覆盖在第一层交替堆叠(132,146)中的相应一个第一层交替堆叠的多个第一大体上沿着第一水平方向hd1延伸并且包括彼此邻接的相应一组竖直直侧壁区段和横向凸导体材料层110的位于第一层级背侧开口379下面的物理暴露的表面部分中以形成任选的盖在包括第一牺牲封盖层172的顶部表面的水平平面上面的部分。平面化工艺可采用化学衬垫材料的保留在第一层背侧沟槽379中的每个剩余部分构成牺牲沟槽衬垫(未示出)。牺牲沟槽填充材料的保留在第一层背侧沟槽379中的每个剩余部分构成牺牲沟槽填充结构[0227]可通过执行凹陷蚀刻工艺来使牺牲沟槽填充结构374竖直凹陷。可选择凹陷蚀刻顶部表面的水平面下方和包括第一绝缘帽盖层170的底部表面的水平平面上方。具有横向起伏宽度的细长凹陷部379R可形成在牺牲沟槽填充结构374的每个凹陷顶部表高耐蚀刻性的材料，该湿法蚀刻化学品随后用于移除存储器膜和第一牺牲材料层142的圆用三甲基2羟乙基氢氧化铵(TMY)或四甲基氢氧化铵(TMAH)的湿法蚀刻工艺中提供高耐蚀的顶部表面的水平平面处或附近。桥材料的形成在相应第一层背侧沟槽379的上部区379R中的每个部分在本文中被称为桥材料基质376。随后可例如通过选择性蚀刻来移除第一牺[0229]虽然上文描述了其中竖直凹陷距离在整个牺牲沟槽填充结构374上方相同的实施方案，但本文明确设想了其中采用蚀刻掩模层和附加蚀刻工艺来增加阶梯区200中的牺牲沟槽填充结构374的竖直凹陷距离而不增加存储器阵列区100中的竖直凹陷距离的实施方[0230]可在第一层背侧沟槽379中的每个第一层背侧沟槽中形成包括任选的牺牲沟槽衬一水平方向hd1延伸并且包括彼此邻接的多个竖直直侧壁区段和横向凸形侧壁区段。桥材接于第一绝缘帽盖层170中的相应一个第一绝缘帽盖层的侧壁并且大体上沿着第一水平方[0231]一般来讲，可通过在牺牲沟槽填充结构374上方沉积桥材料并且通过从包括第一邻接并且与相应上覆桥材料基质376的相应横向起伏侧壁竖直重合的相应一组竖直直侧壁过执行平面化工艺从包括第一绝缘帽盖层170的顶部表面的水平平面上方移除桥材料的多牺牲沟槽填充结构374中的每个牺牲沟槽填充结构的上[0233]虽然上文描述了其中竖直凹陷距离在牺牲沟槽填充结构374的所有凹陷区上相同并且所有桥材料基质376以相同厚度形成的实施方案，但本文明确设想了其中采用蚀刻掩模层和附加蚀刻工艺来增加阶梯区200中的牺牲沟槽填充结构374的竖直凹陷距离而不增100中形成具有第一厚度的桥材料基质376的第一子集，并且可在阶梯区200中形成具有第因此，每个桥材料基质376可具有类似于存储器阵列区100中的层170的厚度的第一厚度和二竖直交替序列。第二连续绝缘层232L中的每一者是在衬底8的整个区域上方连续延伸的可被称为第二牺牲材料层或牺牲材料层。第二连续绝缘层232L可具有与第一连续绝缘层132L相同的材料组成和相同的厚度。第二连续牺牲材料层242L可具有与第一牺牲材料层[0235]第二阶梯式表面可形成在阶梯区200内。第二阶梯式表面的区域沿着第一水平方阶梯式表面可形成在未被第二竖直交替序列(232L,242L)的图案化部分覆盖的区域中。一般来讲，用于形成第一竖直交替序列(132L,142L)的第一阶梯式表面的方法可在任何所需硅酸盐玻璃或掺杂硅酸盐玻璃)可沉积在第二阶梯式腔体中。可将第二介电填充材料平坦化以从包括第二连续绝缘帽盖层270L的顶部表面的水平平面上方移除第二介电填充材料介电材料部分265。因此，第二层后向阶梯式介电材料部分265形成在第二竖直交替序列可在第二竖直交替序列(232L,242L)上方施加光致抗蚀剂层(未示出)，并且可对该光致抗一层开口(149,129,377)的图案相同。可开口的图案转移通过第二竖直交替序列(232L,242L)以同时形成各种第二层开口(249,[0238]各种第二层开口可包括形成在牺牲第一层存储器开口填充结构140中的相应一个牺牲第一层存储器开口填充结构上的存储器阵列区100中的第二层存储器开口、形成在牺牲第二层支撑开口填充结构120中的相应一个牺牲第二层级支撑开口填充结构上的阶梯区200中的第二层支撑开口以及形成在与相应第一层背侧开口377相同的区域中的第二层背梯式表面的相应水平表面形成第二层支撑开口的子[0239]第二层背侧开口477中的每个第二层背侧开口可穿过相应桥材料基质376形成并列(232L,242L)的材料的蚀刻步骤和蚀刻桥材料基质376的材料的附加蚀刻步骤。如上所过每个桥材料基质376形成一行分立开口，并且每个桥材料基质376可被转变为穿孔结构，过第一蚀刻工艺来移除牺牲第一层存储器开口填充结构140和牺牲第一层支撑开口填充结可执行第三蚀刻工艺(诸如各向同性蚀刻工艺)以层存储器开口填充结构140和牺牲第一层支撑开口填充结构120期间，第二层背侧开口477[0241]第二层存储器开口和下面的第一层存储器开口149的体积的每个连续组合构成层二竖直交替序列(232L,242L)并且穿过第一层层堆叠(132,142,170)形成存储器开口49和诸如凹陷蚀刻工艺从包括第二连续绝缘帽盖层270L的顶部表面的水平平面上方移除至少应第二层背侧开口477的每个剩余部分构成牺牲背侧开口[0244]参考图30A至图30C，第二牺牲封盖层281可沉积在第二连续绝缘帽盖层270L和各[0245]可在第二牺牲封盖层281上方施加光致抗蚀剂层并且可对该光致抗蚀剂层进行光充结构471而不覆盖牺牲存储器开口填充结构47或牺牲支撑开口填充结构17。可执行蚀刻撑开口填充结构17的顶部表面可物理地暴露，而牺牲背侧开口填充结构471由第二牺牲封绝缘帽盖层270L和半导体材料层110的材料选择性地移除牺牲存储器开口填充结构47和牺层间支撑开口19中。在移除牺牲存储器开口填充结构47和牺牲支撑开口填充结构17期间，第二牺牲封盖层281保护牺牲背侧开口填充半导体沟道材料层60L的覆盖在包括第二连续绝缘帽盖层270L的顶部表面的水平平面上面包括存储器元件(例如，存储器材料层54的部分)的相应竖直堆叠和相应竖直半导体沟道着第一水平方向hd1横向延伸的细长开口。细长开口可形成在包括相应一行牺牲背侧开口成在接触层级介电层280的相应一对图案化部分之间的多行牺牲背侧开口填充结构471上[0251]参考图33A至图33C，可通过线沟槽469选择性地移除牺牲背可由牺牲沟槽填充结构374和穿孔桥结构378的相应[0252]参考图34A至图34C，可执行一系列各向同性蚀刻步骤以使第二竖直交替序列步骤以使第二连续绝缘层232L和第二连续绝缘帽盖层270L的物理暴露侧壁从第二层背侧开口477周围横向凹陷，并且可执行第二各向同性蚀刻工艺以使第二连续牺牲材料层242L第二层背侧开口477在每行第二层背侧开口477内合并以形成相应第二层背侧沟槽479。接触层级介电层280可在第一各向同性蚀刻步骤期间和/或在第二各向同性蚀刻步骤期间并侧沟槽479而将第二竖直交替序列(232L,242L)分成第二绝缘层232和第二牺牲材料层242的第二层交替堆叠体(232,242)。第二层交替堆叠(232,242)沿着第一水平方向hd1横向延层270L可被分成覆盖在第二层交替堆叠(232,242)中的相应一个第二层交替堆叠的多个第壁大体上沿着第一水平方向hd1延伸并且包括彼此邻接的相应一组竖直直侧壁区段和横向[0254]多个层堆叠(132,142,170,180,232,242,270,280)可形成在半导体材料层110上着第二水平方向hd2通过填充材料堆叠(374,378)和第二层背侧沟槽479彼此横向间隔开。层堆叠(132,142,170,180,232,242,270,280)中的每个层堆叠包括第一绝缘层132和第一级介电层280。每个层级间介电层180可接触相应第一层后向阶梯式介电材料部分165的顶底部表面和相应第二层交替堆叠(232,242)[0255]在一个实施方案中，每个存储器开口49竖直延伸穿过相应第一层交替堆叠(132,142)、相应第一绝缘帽盖层170、相应第二层交替堆叠(232,242)和相应第二绝缘帽盖层后向阶梯式介电材料部分165可接触第一层交替堆叠(132,142)中的相应一个第一层交替介电材料部分165的每个顶部表面可位于包括第一绝缘帽盖层170的顶部表面的水平平面[0256]在一个实施方案中，每个穿孔桥结构378的顶部表面可位于包括第一绝缘帽盖层378包括一对横向起伏外侧壁，该一对横向起伏外侧壁包括彼此邻接的相应一组竖直直侧穿孔桥结构378和半导体材料层110的材料选择性地移除牺牲沟槽填充结构374。在一个实提供对穿孔桥结构378的材料选择性地蚀刻牺牲沟槽填充结构374的材料的蚀刻化学物质的各向同性蚀刻工艺可用于牺牲沟槽填充结构374的[0258]第二层背侧沟槽479的体积和第一层背侧沟槽379的体积的每个组合构成背侧沟可通过在形成第二层背侧沟槽479之后移除牺牲沟槽填充结构374来形成竖直延伸穿过第一层交替堆叠(132,142)和第二层交替堆叠(232,242)的背侧沟槽79。在一个实施方案中，每个背侧沟槽79的位于相应穿孔桥结构378之下的底部部分包括一对横向起伏侧壁，该一施方案中，每个背侧沟槽79的底部部分的一对横向起伏侧壁可与相应上覆穿孔桥结构378[0259]参考图36A至图36D，第一牺牲材料层142和第二牺牲材料层242可用第一导电层第二导电层246替换第一牺牲材料层142和第二牺的绝缘材料的厚度可小于每个背侧沟槽79沿着第二水平方向hd2的最小宽度的一半，并且积的绝缘材料的保留在相应背侧沟槽79中的每个剩余部分构成相应绝缘间隔物(74A,74B,[0261]绝缘间隔物(74A,74B,74C)可包括形成在包括穿孔桥结构378的顶部表面的水平平面下方的第一绝缘间隔物74A。每个第一绝缘间隔物74A可接触相应穿孔桥结构378的整物74A包括一对横向起伏外侧壁，该一对横向起伏外侧壁包括彼此邻接的相应一组竖直直应穿孔桥结构378中的多个竖直延伸开口478的侧壁的在包括穿孔桥结构378的顶部表面的水平平面上方并且形成在包括接触层级介电层280的方案中，每个第三绝缘间隔物74C包括沿着第一水平方向hd1横向延伸的一对横向直外侧通过平面化工艺从包括接触层级介电层280的顶部表面的水平平面上方移除至少一种导电构378之外，填充背侧沟槽79的所有材料部分的组合在本文中被称为背侧沟槽填充结构[0265]在一个实施方案中，背侧沟槽填充结构(74A,74B,74C,76)位于每个背侧沟槽79可包括多个竖直延伸开口478，背侧接触通孔结构76的圆柱形连接部分竖直延伸穿过该多146,170,180,232,246,270,280)的第一层交替堆叠(132,146)之间的下部背侧接触通孔部分76L和位于一对层堆叠(132,146,170,180,232,246,270,280)的第二层交替堆叠(232,接于背侧接触通孔结构76的圆柱形连接部分76C的侧壁的底部周边，并且上部背侧接触通孔部分76U邻接于背侧接触通孔结构76的圆柱形连接部分76C的侧壁[0267]在一个实施方案中，下部背侧接触通孔结构76L嵌入没有任何固体材料的相应一隔物横向包围背侧接触通孔结构76的下部背侧接触通孔部分76L并且接触穿孔桥结构378第三绝缘间隔物74C包括沿着第一水平方向hd1横向延伸的[0270]虽然上文描述了其中穿孔桥结构378始终具有相同厚度的实施方案，但本文明确设想了其中采用蚀刻掩模层和附加蚀刻工艺来增加阶梯区200中的牺牲沟槽填充结构174穿孔桥结构378中的一者或多者可形成有在存储器阵列区100中具有第一厚度的较薄部分因此，每个穿孔桥结构378可具有类似于存储器阵列区100中的层170的厚度的第一厚度和包括漏极接触通孔结构88，该漏极接触通孔结构穿过接触层级介电层280直接形成在存储后向阶梯式介电材料部分265并且任选地穿过第一后向阶梯式介电材料部分165并且直接[0273]参考第一实施方案和图1至图20，三维存储器器件包括：一对层堆叠(132,146,过背侧沟槽79彼此横向间隔开，其中层堆叠(132,146,170,232,246)中的每个层堆叠包括第一绝缘层132和第一导电层146的第一层交替堆叠(132,146)、位于第一层交替堆叠上方的第一绝缘帽盖层170和位于第一绝缘封盖层270上方的第二绝缘层232和第二导电层246的第二层交替堆叠(232,246)；存储器开口49，该存储器开口竖直延伸穿过一对层堆叠桥结构178的顶部表面位于第二层交替堆叠(232,246)的顶部表面下方，并且桥结构178的底部表面位于第一层交替堆叠(132,246)的[0274]在一个实施方案中，背侧沟槽填充结构(的每个桥结构还包括垂直于第一水平方向hd1并且接触背侧沟槽填充结构(74,76)的相应个顶部表面接触背侧沟槽填充结构(74,76)的相应底分74U沿着第一水平方向hd1具有与多个桥结构178中的相应一个桥结构相同的宽度，并且缘间隔物74包括接触背侧沟槽79下面的半导体材料层110的相应顶部表面区段的多个下部[0278]在一个实施方案中，背侧接触通孔结构76接触嵌入在半导体材料层110内的多个源极区61。多个源极区61通过半导体材料层110的位于绝缘间隔物74的多个下部绝缘桥部[0279]在一个实施方案中，该一对层堆叠还包括覆盖在第二层交替堆叠(232,246)上面层110的顶部表面的第一水平平面竖直延伸到包括层堆叠(132,146,170,232,246,270,280)的接触层级介电层280的顶部表[0280]在一个实施方案中，三维存储器器件还包括：第一层后向阶梯式介电材料部分电材料部分接触第二层交替堆叠(232,246)中的相应一个第二层交替堆叠的阶梯式表面，其中第一层后向阶梯式介电材料部分165的顶部表面位于包括第一绝缘帽盖层170的顶部[0281]在一个实施方案中，一对层堆叠(132,146,170,180,232,246,270,280)中的每个层堆叠还包括层级间介电层180，该层级间介电层接触相应第一层后向阶梯式介电材料部部分265的底部表面和相应第二层交替堆叠(232,24[0282]在一个实施方案中，多个桥结构178的第一侧壁中的每个第一侧壁具有邻接于第一绝缘帽盖层170中的相应一个第一绝缘帽盖层的侧壁的相应底部边缘。在一个实施方案侧沟槽79彼此横向间隔开，其中一对层堆叠(132,146,232,246)中的每个层堆叠包括第一绝缘层132和第一导电层146的第一层交替堆叠(132,146)和第二绝缘层232和第二导电层[0284]背侧沟槽填充结构(74,76)位于背侧沟槽7上部背侧接触通孔部分76U，该上部背侧接触通孔部分位于该一对层堆叠的第二层交替堆接触通孔结构76的圆柱形连接部分76C的侧壁的顶一绝缘间隔物横向包围下部背侧接触通孔部分76L并且接触穿孔桥结构378的整个底部表二绝缘间隔物横向包围上部背侧接触通孔部分76U的下部部分并且接触穿孔桥结构378的三绝缘间隔物覆盖在第二绝缘层上面并且横向包围上部背侧接触通孔部分76U的上部部相应一组竖直直侧壁区段和横向凸形侧壁区段，而第三绝缘间隔物74C包括沿着第一水平(132,146)与相应第二层交替堆叠(232,246)之间的第一绝缘帽盖层170，并且穿孔桥结构378的顶部表面位于包括第一绝缘帽盖层170的顶部表面的水平平面内。在一个实施方案侧壁包括彼此邻接的相应一组竖直直侧壁区段和横向凸形侧壁区段。在一个实施方案中，背侧沟槽79的位于穿孔桥结构378之下的底部部分包括一对横向起伏侧壁，该一对横向起底部部分的该一对横向起伏侧壁与穿孔桥结构378的该一对横向起伏外(146,246)的替换工艺期间，可限制和/或控制在背侧沟槽79的中间和底部处的绝缘层(132,232)的横向移动，这归因于在下部交替堆叠与上部交替堆叠之间的中间竖直水平处人员将会想到，可对所公开的实施方案进行各种修改，并且此类修改旨在落在本公开的范不被明确地禁止或以其他方式被本领域的普通技术人员认为是不可能的。本文引用的所有