CN119422470A 电子器件的制造方法及成膜方法 （佳能特机株式会社）

2024.12.25PCT/JP2023/0204122023.06.01WO2024/004502JA2024.01.04封工序之后，形成通过光刻而图案化的第二掩2及在所述第一掩模形成工序之前，形成所述第一发光层的像在所述第一掩模形成工序之前，形成所述第二发光层的像在所述第一掩模形成工序之前，形成覆盖所述第一发光层的极用接触部以及所述第二发光层的像素的所述阳极电极和阴极用接触部的钝化膜的工序；所述第一掩模使所述第一发光层的像素的阳极电极的至少一部蚀刻后的所述钝化膜使所述第一发光层的像素的阳极电极的至少一部分和所述第一所述电子器件的制造方法具有第三成膜工序，在所述第三成膜工序中，所述电子器件的制造方法在所述第一密封工序之后且所述第二掩模形成工序之前具及345[0032]在成膜块301中配置有多个处理室303a～303d和掩模储存室305，该多个处理室303a～303d在具有在俯视观察时呈八边形的形状的输送室302的周围进行相对于基板100机器人302a。输送机器人302a包括保持基板100的机械手和使机械手在水平方向上移动的多关节臂。换言之，成膜块301是以包围输送机器人302a的周围的方式配置有多个处理室[0034]输送机器人302a进行从上游侧的交接室308向输送室302的基板100的送入、处理[0035]缓冲室306是用于根据成膜装置1的运转状况而暂时储存基板100的室。在缓冲室306设置有多层构造的基板收纳架(也称为盒体)和升降机构，该基板收纳架能够保持基板6而在缓冲室306内和交接室308中基板100的输送方向(箭头方向)上的前端和后端调换。由[0037]交接室308是用于将由回旋室307的输送机器人307a送入的基板100向下游的成膜块301的输送机器人302a交接的室。也可以根据需要而在交接室308中进行形成在基板100[0038]成膜装置1的控制系统包括作为主计算机而控制整个生产线的上位装置300以及[0040]利用图2说明本实施方式的成膜方法。图2的工序ST2a表示在基板100的上方形成[0041]图2的工序ST2b～ST2c表示在处理室303中经由掩模102在基板100上成膜的工沉积)、PVD(PhysicalVaporDeposition：物理气相沉积)、ADL(AtomicLayer[0043]为了进行这样的成膜方法，成膜装置可以在1个腔室中包括多个不同的材料的成7从2个成膜工序之间省略基板100与掩模102的位置调整的工序。因此，能够实现工序的简即使在经由共同的掩模进行成膜的情况下，膜110和膜114也形成于基板100的相互不同的[0050]在如图3这样将基板100与掩模102隔开间隔地配置的情况下，在材料的直进性高[0052]即使在基板100与掩模102紧贴的情况下，由于先成膜的膜110的材料容易进入到8[0057](3)在膜110的形成和膜114的形成中，即使在相同的条件下使用相同的成膜方法模102的开口的形状进行投影得到的区域形成发光层407。由于蒸镀材料绕行到掩模102与9102的开口进行投影得到的区域的外侧。通过使用与发光层407共同的掩模102的同时在与[0068]在本实施方式的发光元件中，以覆盖堤405及阴极电极409的方式形成有钝化膜[0072]在图5的工序ST5b中，将光刻用的抗蚀剂701涂布于基板100。在涂布了抗蚀剂之的工序中形成的阴极电极409。钝化膜411a优选通过与图5的工序ST5a的钝化膜411的形成中的形成于抗蚀剂701的开口的部分也可以成为相对于其他部分的凹部或凸部。这样表面