CN119422226A 降低euv光刻胶图案的线边缘粗糙度的方法 （应用材料公司）

2025.01.07PCT/US2023/0280882023.07.19WO2024/025773EN2024.02.01描述了在EUV光刻胶上沉积保形含碳膜以降低线边缘粗糙度(LER)的方法。示例性处理方法可包括使第一前驱物在图案化的EUV表面上方流方法可包括从图案化的EUV光刻胶移除第一前驱物流出物。可随后使第二前驱物在图案化的EUV光刻胶上方流动以与初始含碳膜的第一部分反应。这些方法可包括从图案化的EUV光刻胶移除以移除含碳膜的一部分并暴露图案化表面的顶2使第一前驱物在包含图案化表面的EUV光刻胶上方流动以在所述图案化表面上形成含从所述EUV光刻胶移除包含所述第一前驱物的第一前驱物使包含第二反应性基团的第二前驱物在所述EUV光刻胶上方流动以与所述第一反应性从所述EUV光刻胶移除包含所述第二前驱物的第二前驱物4.如权利要求1所述的方法，其中所述第一前驱物及所述第二前驱物独立地选自下列5.如权利要求4所述的方法，其中所述第一前驱物包含对苯二甲醛并且所述第二前驱从所述EUV光刻胶移除所述第一前驱物流出物及所述净化气体的nn其中所述第一前驱物与所述图案化表面上的反应性基团反应以形成含碳膜的第一部3从所述EUV光刻胶移除包含所述第一前驱物的第一前驱物蚀刻所述EUV光刻胶以从所述图案化表面的一顶表面移除所述含碳膜13.如权利要求12所述的方法，其中所述第一前驱物及所述第二前驱物独立地选自下14.如权利要求13所述的方法，其中所述第一前驱物包含对苯二甲醛并且所述第二前从所述EUV光刻胶移除所述第一前驱物流出物及所述净化气体的18.如权利要求12所述的方法，进一步包括以下步骤：重复所述方法以形成具有在从使第一前驱物在包含所述图案化表面的所述EUV光刻胶上方流动以在所述图案化表面从所述EUV光刻胶移除包含所述第一前驱物的第一前驱物使包含第二反应性基团的第二前驱物在所述EUV光刻胶上方流动以与所述第一反应性从所述EUV光刻胶移除包含所述第二前驱物的第二前驱物其中所述含碳膜在所述EUV光刻胶的侧壁4公开的实施例涉及沉积基于碳的膜以改进图案化的EUV光刻胶的线边缘粗糙度及/或线宽粗糙度(linewidthroughness;LWR)处理以溶解或以其他方式移除经涂布的基板的暴露于辐射的区域或未暴[0003]然而，用于产生具有三十纳米或更小的大小的特征的平版印刷技术存在数个缺分类为线边缘粗糙度(lineedgeroughness;集成电路的关键尺寸持续收缩，线宽波动将在平版印刷术的关键尺寸(critical[0005]极紫外(extremeultraviolet;EUV)平版印刷术(EUVL)显示出作为下一代平版驱物在包含图案化表面的EUV光刻胶上方流动以在图案化表面上形成含碳膜的第一部分，该第一前驱物包含第一反应性基团；从EUV光刻胶移除包含第一前驱物的第一前驱物流出物；使包含第二反应性基团的第二前驱物在EUV光刻胶上方流动以与第一反应性基团反应来在图案化表面上保形地形成含碳膜；以及从EUV光刻胶移除包含第二前驱物的第二前驱5光刻胶以从图案化表面的顶表面移除含碳膜的一层沉积包括：使第一前驱物在包含图案化表面的EUV光刻胶上方流动以在图案化表面上形物的第一前驱物流出物；使包含第二反应性基团的第二前驱物在EUV光刻胶上方流动以与第一反应性基团反应来在图案化表面上保形地形成含碳膜；以及从EUV光刻胶移除包含第二前驱物的第二前驱物流出物，其中含碳膜在EUV光刻胶的侧壁上形成并且降低线边缘粗6及类似者可互换使用以指可以与基板表面反应的 合物被引入处理腔室的反应区中。准图案化等等。一个或多个实施例包括使用分子层沉积(molecularlayerdeposition;MLD)形成这些含碳材料作为图案化的EUV光刻胶[0026]本技术的实施例包括用于在图案化光刻胶上形成含碳材料的分子层沉积(MLD)方层的额外化合物层可在沉积层上累积，直到累积的化合物层的数量达到在EUV光刻胶的图7[0027]一个或多个实施例有利地提供了在EUV光刻胶上形成含碳材料的习知方法的问题的解决方案。例如，与使用旋涂碳(spin_on_carbon;SOC)及可流动化学气相沉积[0028]一个或多个实施例有利地提供了在EUV光刻胶上形成含碳材料的习知等离子体沉EUV光刻胶上的基板特征的损坏并且亦可以产生重新溅射的离子及其他物质，这些物质可[0030]图1A至图1D图示了根据一个或多个实施例的方法处理的EUV光刻胶的横截面图。在一个或多个实施例中，薄分子层沉积(MLD)基于碳的膜106在图案化表面104的光刻胶图8[0034]如本领域技术人员认识到，在EUV光刻胶102上可能存在多于一个图案化表面104[0035]在一个或多个实施例中，其上形成含碳材料的图案化表面104可包括其中可形成征101可借由包括在两个侧壁之间的跨特征的窄宽度或直径表征，诸如在从5nm至500nm[0036]在一个或多个实施例中，在图案化表面104的每一者之间的距离d1是在从5nm至[0040]在一个或多个实施例中，第一前驱物可是具有至少两个反应性基团的含碳前驱物的分子与EUV光刻胶102及图案化表面104的表面基团反应以形成将第一前驱物分子链接到EUV光刻胶102及图案化表面104的键。在第一前驱物分子与EUV光刻胶102及图案化表面104上的基团之间的反应继续，直到大部分或全部表面基团结合到第一前驱物分子上的反9数量的成核位点可沿着EUV光刻胶102及图案化表面104可用，此可借由改进每个位置处的[0050]第一前驱物流出物可保持在基板处理区域中达一时间段以几乎或完全形成含碳[0053]在一个或多个实施例中，第二前驱物可是具有至少两个反应性基团的含碳前驱性基团形成含碳膜106的第一部分。第二前驱物的分子与第一前驱物的未反应的反应性基的第二前驱物分子与含碳膜106的第一部分之间的2独立地选基板沉积区域达从约10秒至约100秒范围变化的时间段来移除。额外的示例性时间范围可[0058]在一个或多个实施例中，含碳膜106的第二部分的形成速率亦可取决于基板处理区域中的第二前驱物流出物的压力。基板处理区域中的示例性流出物压力可从约1mTorr光刻胶102及图案化表面104上的所沉积含碳膜106的目标厚度。若尚未达到所沉积的含碳膜的循环的示例性数量可包括1个循环至2000个循环。循环数量的额外示例性范围可包括[0061]在一个或多个实施例中，含碳膜106可具有任何适宜厚度。在一个或多个实施例[0063]在一个或多个实施例中，在沉积含碳膜之后在图案化表面104的每一者之间的距离d2是在从5nm至500nm的范围中、或在从10nm至200nm的范围中、或在从20nm至100间的距离d2可小于在沉积含碳膜106之前在图案化表面104的每[0064]在图2的方法200中图示的实施例中，在EUV光刻胶102及图案化表面104上的所沉积的含碳膜106可视情况于操作216后处理。可选的后处理操作216可以是例如用于改质膜臭氧(O3分并且暴露图案化表面104的顶表面110及暴露在图案化表面104之间的EUV光刻胶102的一[0066]本公开的一些实施例涉及包含纳米结构的电子装置，这些纳米结构具有含碳膜106作为在蚀刻工艺从结构之间的沟槽的底部部分移除含碳膜106之后剩余的层。含碳膜膜106用作间隔件以降低线边缘粗糙度(L于将基板从一个腔室搬运到另一个腔室及/或搬运到在群集工具的前端处定位的装载锁定何形状的局部变化性的影响来产生更均匀的沉积幕及/或真空遮幕分离。气体遮幕可以是到处理腔室中的惰性气体流动及离开处理腔室的反应并且随后从处理腔室净化。借由在后续暴露之间净化处理腔室来防止反应性气体混[0076]在一些实施例的时域ALD工艺的另一态样中，时间延迟在反应性气体的脉冲之间[0077]针对每次脉冲/给料的持续时间是可