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文档简介
横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备本申请涉及一种横向扩散金属氧化物半导2于所述衬底上形成注入掩蔽结构，所述注入于所述衬底内形成漂移区；所述漂移区与所对所述阻挡层进行刻蚀，以使所述第二部分沿所述第对所述第一光刻胶层进行刻蚀，以形成第二光刻胶层；述第二部分的厚度与所述第一部分的厚度之于所述衬底内形成第一掺杂区；所述第一掺杂3括依次连接的多个子漂移区；每一所述子漂移区由所述衬底的表面至所述衬底的内部延其中，所述第一掺杂区包括多个子掺杂区，每一所述4[0002]功率器件中横向扩散金属氧化物半导体场效应管(LateralDouble_Diffused[0007]于所述衬底上形成注入掩蔽结构，所述注入掩蔽结构覆盖于所述衬底的部分表5[0031]在其中一个实施例中，所述横向扩散金属氧化物半导体器件还6[0035]图1为本申请一实施例提供的一种横向扩散金属氧化物半导体器件的制备方法的[0039]图9为本申请一实施例提供的一种横向扩散金属氧化物半导体器件的结构示意第一掺杂类型可以为P型且第二掺杂类型可以为N型，或第一掺杂类型可以为N型且第二掺7[0047]这里参考作为本申请的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述申绝缘体上硅(Silicon_On_Insulator，SOI)或低温多晶硅(LowTemperaturePoly_8[0058]本申请实施例提供的横向扩散金属氧化物半导体器件1的制备方法，通过在衬底9于衬底11内注入第一掺杂类型的离子以形成体引出区116，注入第二掺杂类型的离子以形可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者阶段的至少一[0088]本申请实施例提供的横向扩散金属氧化物半导体器件1，通过在衬底11内形成由[0093]在其中一个实施例中，横向扩散金属氧化物半导体器件1还包括第[0094]在其中一个实施例中，结合图8和图9所示，第一掺杂区113包括多个子掺杂区靠近体区111的子漂移区1121以及该子漂移区1121对应的子掺杂区1131的深度之和，不小
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