CN109060860B 一种二次离子质谱分析曲线的比较方法及装置 （洪启集成电路(珠海)有限公司）

镇港湾大道科技一路10号主楼第六层一种二次离子质谱分析曲线的比较方法及本发明提供一种二次离子质谱分析曲线的2所述非参数量化指标为柯尔莫可洛夫-斯米洛夫K-S统计量DKS，其公式为DKS＝max|F5.如权利要求1、3及4中任一项所述的二次离子质谱分析曲线的比较方法，其特征在于，所述非参数量化指标为柯尔莫可洛夫-斯米洛夫K-S统计量DKS时，如果显著性水平a=测采用非线性回归诊断的方法，包括在一个自变量X上找到另一个随机变量Y的条件概率，3在两条椭圆曲线之间并且在观察值上没有检测到特定的形状时，认定该模型整体拟合较4样品表面信息的图谱。相较于其他表面分析技术，如扫描电子显微术(SEM,ScanningElectronMicroscopy),能量色散谱(EDS,EnergyDispersiveSpectroscopy),歇电子能谱(AES,AugerElectronSpectroscopy)和X射线光电子能谱(XPS,X-rayPhotoelectron是一个SIMS工作原理示意图。主要离子束用能量范围在250eV到30KeV轰击样品表面并产深度曲线(SDP,SIMSdepthprofiles)的稳健分析和比较。要是在离子注入(IMP,ion(WAT,WaferAcceptanceTest)和/或随后的芯片探测(CP,ChipProbing)/最终测试(FT,可通过SIMS探测的到。器件形成是从晶圆上的IMP或掺杂剂扩散到由掩模限定的特定图案直观的反映离子浓度随着样品深度的变化情况，所以当离子注入机将离子注入到控片度或剂量的标准用于对每个样本的定量校准。SIMS已经从半定量方法发展到剂量测量技5[0006]SIMS在深度剖面的应用成为半导体行业的主流。通常，非晶层的SDP服从高斯分离子平行于晶轴或平面移动并显示出异常深的渗透到晶体晶格的情况。沟道效应是IMP过[0007]IMP是一种将精确控制的杂质引入半导体的低温工艺，它提供了比扩散过程更多高能(HE,highenergy)和低能(LE,lowenergy)。光束线离子注入机的典型性能指标有均以最大限度地减少工艺变异。通常采用测量热波(TW,thermal-wave)信号和线电阻(Rs,6较两个或更多个SDP相对可靠和准确的判断，前人已经花费了很大的努力。文献[1](CN104237279A)提出了一种计算偏离率的判断方法来比较SDP。它采域的认定(覆盖95％的有效剂量)也需要离子注入是否存在异常，以解决现有技术中二次离子质谱分析曲线的比较参数过于主观，离子注入结果分析不全面的问题，有效的实现早期检测和指导从业人员及时制定解决方[0024]S5，计算相关的非参数量化指标并按照该指标进行二次离子质谱分析曲线的比7[0038]决策单元，用于机台进行离子注入剂量偏差自校验，若离子注入剂量偏差小于8[0054]图3(a)为鉴定样本与参考样本匹配良好的SDP曲线图，图3(b)为鉴定样本与参考9[0069]以下结合附图和具体实施例对本发明提供的二次离子质谱分析曲线的比较方法[0075]S5，计算相关的非参数量化指标并按照该指标进行二次离子质谱分析曲线的比号二次离子信号可能深陷于分析的样品中并掩盖了真正的杂质分布.在统计学中，这些模组数值数据，而不做任何基础统计分布的假设。盒子的宽度，定义为四分位距(IQR,interquartilerange)，等于第三四分位数(Q3,3rdquartile)减去第一四分位数(Q1,1st测值之间的距离,另外其本身就是特别针对多变量异常值检测而开发。该方法也无须考虑删除异常值之前(左)和之后(右)的残差的四分位数(QQ[0092]虽然通过使用箱线图检测异常值既简单又直接,但[0094]准确估计出SDP的潜在函数是可靠的量化分析的最关键和最基本的问题。通常基于先验知识提出参数形式。然而,当这些严格的参数假设在不准确的情况下可能导致SDP的最佳特征函数。这些非参数平滑模型是三次样条插值(CSI,CubicSplineInterpolation),局部加权回归散点平滑(LOWESS,locallyweightedscatterplot[0095]NNs提供了一种灵活的为非线性回归模型的拟合方法，它们是过度参数化的非线[0096]最常见的NN形式是多层感知器(MLP,multi-layerperceptron),其由一个输入，个隐藏层(以避免过度拟合单变量回归)和10个节点。如图13,其中较粗的线表示系数具有中设定为切线双曲函数和指数函数在输出层。将输入表示为xi,对于具有一个隐藏层的MLP,其输出tk可以由公式(1)得到：重例如在可以假设响应变量的分布的情况下最小化预测变量的平方误差的总和或最大化[0101]MLP的结构使得它能够拟合输入和输出间非常一般的非线性函数关系。研究表明we⃞(2)。权值衰减的使用似乎既有助于优化过程又避免过度拟合。调整参数k可以通过交叉验证来图中深度的拟合值和索引的拟合值和指数呈现为均值为0处水平直线线周围的随机散布；表征这两个轮廓之间差异的问题可以简单地解释为判断等式成立的如何。为了获得曲线重[0115]如图17所示，SDP(图3a，3b和2)的各个Ratio(x)函数由不同的线类型(分别为点设是样本是从双样本情况中的相同分布中抽取的。KS统计量，DKS定义为DKS＝max|F(x)-G过在任何可能的排序下找到CDF之间的最大差异来使统计独立于任何特定排序的想法。在