CN110426399B 一种颗粒物清除效率的快速评价方法 （武汉鼎泽新材料技术有限公司）

本发明公开了一种颗粒物清除效率的快速清洗前/后三维形貌图像分别在垂直方向上截取得到清洗前/后颗粒污染物数量或面积，计算清洗效率，其中高度H大于晶片样品表面的平均粗25)对清洗前三维形貌图像和清洗后三维形貌图洗前/后三维形貌图像分别在垂直方向上截取高度H处的横截面，对应得到晶片表面清洗述高度H不小于晶片样品表面的最大粗糙度且不大于最小颗粒污染物粒径的一半，其中最后三维形貌图像是对位置标记标示出的同一区域拍摄得34抛光(ChemicalMechanismPolishing，CMP)已经成为实现晶圆表面高度平坦化的主要手采用清洗液将污染物尽可能地去除。清洗液对于CMP处理后颗粒污染物的清除能力2最为常用；此外也有少量抛光液中的氧化剂成分与铜反应形成的Cu2O和CuO等[0003]研究清洗液对CMP处理后颗粒物的清除能力，通常采用与芯片生产工艺相当的设等)抛光后吹干，通过晶圆缺陷检测系统(如KLATencor公司的SURFSCANSP2等)检测晶圆[0006]本发明还有一个目的是提供一种颗粒物清除效率的快速评价方法，通过预处理、5[0013]其中，所述高度H大于晶片样品表面的平均粗糙度且小于颗粒污染物平均粒径的[0016]优选的是，步骤5)中所述高度H不小于晶片样品表面的最大粗糙度且不大于最小间的表面最大高度，最小颗粒污染物粒径为颗粒污染物的粒径服从正态分布的情况下，晶片样品置于旋涂仪上，均匀滴加颗粒物悬浊液/清洗液进行沾污/清洗，滴加速度为1~6形貌图像和步骤4)中获得的清洗后三维形貌图像是对位置标记标示出的同一区域拍摄得洗前/后情况对应得到的多张图片拼接得到的3mm×3mm大小械抛光处理后的晶圆表面颗粒物的清除效率[0032]数据采集采用白光干涉仪替代SEM进行表面三维形貌拍摄，可以实现快速高分辨[0033]本发明中在垂直方向上截取高度H处的横截面得到三维形貌图像，并根据对颗粒污染物的清洗原理，限定高度H大于晶片样品表面的平均粗糙度且小于颗粒污染物平均粒[0034]由于采用传统方式评价一个配方通常耗时包括清洗液准备测试时间、前值测试、7示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，并不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。[0043]本发明的颗粒物清除效率的快速评价方法可以延伸应用到其他旨在评价表面颗[0046]本发明中使用的旋涂设备为经过可以实现颗粒污染物和清洗液的定量匀速沾污[0048]本发明采用的清洗液清除效率快速评价方法的技术路线图如图2所示，通过预处8[0052]2)将沾污后的晶片置于Bruker3D光学表面轮廓仪拍摄晶片表面三维形貌。Bruker3D光学表面轮廓仪可以实现多张表面三维形貌的无缝拼接，因此可以快速采集大[0056]本发明数据处理方法的依据即原理示意图如图3所示。经过颗粒物沾污之后的晶[0057]所述高度H大于晶片样品自身表面的平均粗糙度，而小于平均颗粒污染物粒径的里最大粗糙度与最小颗粒污染物粒径均是通过假设晶片表面的粗糙状态和颗粒污染物的粒径服从正态分布的情况下得到的95％置信区间的果选取的颗粒污染物平均粒径为50nm，在95％置信区间下(标准差为5)表面最小高度颗粒9[0060]通过对比清洗前后的颗粒污染物的数量或面积可以很容易得到清洗液对颗粒物XxYyZz[0074]从表3中可以看出，对比组B1和B2中由于未在本发明限定高度处截取的图像测得[0078]从表4中可以