CN110875194B 芯片封装结构的形成方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）

US2016233196A1,201US2017365581A1,201本公开实施例提供一种芯片封装结构的形2形成一第一模制层于该介电层之上并围绕该导电结构和该介电层，其将一芯片结构接合至该重分布结构以形成该芯片封装结构，其中2.如权利要求1所述的芯片封装结构的形成方法，其中该第一模制层连续地覆盖该介在将该芯片结构接合至该重分布结构之后，形成一导电凸块4.如权利要求3所述的芯片封装结构的形成方法，其中该导电凸块直接接触该介电层5.如权利要求3所述的芯片封装结构的形成方法，其中该导电凸块在该介电层的切线7.如权利要求6所述的芯片封装结构的形成方法，其中在切穿该第一模制层和该重分9.如权利要求1所述的芯片封装结构的形成方法，其中该重分布结构直接接触该导电形成一第一模制层于该介电层之上以围绕该导电结构，其中该介电形成一重分布结构于该第一模制层和该导电结构之上，其中该重分将一芯片结构接合至该重分布结构，其中该介电层的该底表面与该第3移除该遮罩层和位于该遮罩层之下的该种子层，其中该导电13.如权利要求11所述的芯片封装结构的形成方法，其中在移除该导电结构之上的该14.如权利要求13所述的芯片封装结构的形成方法，其中形成该重分布结构于该第一形成一第二介电层于该第一模制层和该导电结构之上，其中该第二形成一第二布线层于该第二介电层之上和该开口中以连接至该导电结15.如权利要求11所述的芯片封装结构的形成方法，其中所述凸块直接接触该介电层形成一第一模制层于该介电层之上，其中该导电结构从该第一模制层暴该介电层的一底表面与该第一模制层的一底表面形成一重分布结构于该第一模制层和该导电结构之上，其中该导电形成一凸块直接接触该介电层的一底表面以形成该芯片封装结17.如权利要求16所述的芯片封装结构的形成方法，还包括形成一底部充填层部分地18.如权利要求17所述的芯片封装结构的形成方法，其中该芯片结构包括一第一芯片和一第二芯片，该方法还包括移除该第二模制层的一部分以露出该第一芯片的一顶表面，19.如权利要求16所述的芯片封装结构的形成方法，还包括在该芯片结构与该重分布凸块包括该第一芯片与该重分布结构之间的一第一导电凸块以及该第二芯片与该重分布20.如权利要求16所述的芯片封装结构的形成方法，其中该第一模制层的一第一侧壁一基板，包括一介电层和位于该介电层中的一布线层，其中该基4一第一模制层，位于该第一表面和该侧壁之上以围绕该电层的一底表面与该第一模制层的一底表面朝向相同的方向且从该芯片封装结构暴露出22.如权利要求21所述的芯片封装结构，其中该第一模制层的一第一侧壁与该重分布一第二模制层，位于该重分布结构之上并围绕该芯片三侧壁与该第一模制层的该第一侧壁及该重分布结构的该第24.如权利要求21所述的芯片封装结构，其中该第一模制层的一第一顶表面与该导电25.如权利要求21所述的芯片封装结构，其中该基板具有与该第一表面相反的一第二一第一模制层，位于该介电层的一顶表面之上，其中该介电层的一导电结构，位于该第一模制层中且位于该介电层之上，其中一重分布结构，位于该第一模制层和该导电结构之上，其中一第二模制层，围绕该第一芯片结构和该第二芯片结28.如权利要求27所述的封装结构，其中该第一模制层和该第二模制层被该重分布结29.如权利要求27所述的封装结构，其中该重分布结构的一侧壁从该第一模制层和该5一第一模制层，位于该介电层的一顶表面上方，其中该介电层的一导电结构，位于该第一模制层中且位于该介电层上方，其中一第一重分布结构，位于该模制层与该导电结构之上，其中37.如权利要求36所述的封装结构，其中该第二模制层接触该底部充填层和该第三模40.如权利要求35所述的封装结构，其中该芯片具有面向该第二重分布结构的一底表一重分布结构之间的一第一距离小于该底部充填层的该顶表面与该第一重分布结构之间一第一模制层，位于该介电层的一顶表面上，其中该介电层的一一导电结构，位于该第一模制层中且位于该介电层上方，其中一重分布结构，位于该第一模制层与该导电结构之上，其中642.如权利要求41所述的封装结构，其中该底部充填层连续地延伸于所述芯片结构之7[0008]图1A至图1I根据一些实施例示出形成芯片封装结构的工艺的各个阶段的剖面示8[0040]以下内容提供了许多不同的实施例或范例，用于实施所提供的标的的不同部第一和第二部件直接接触的实施例，也可能包含额外的部件形成于第一和第二部件之间，9度或其他方位)，则其中所使用的空间相对形容词也将依转向后的方位来解释。应理解的[0042]图1A至图1I根据一些实施例示出形成芯片封装结构的工艺的各个阶段的剖面[0045]根据一些实施例，基板130包含介电层132、布线层(wiringlayers)134、导孔电垫138和139位于介电层132中。根据一些实施例，一些导孔136在布线层134之间电性连process)或其他合适的工艺来形成导电层146，所述电镀工艺例如为电镀工艺(electro-platingprocess)或无电电镀工艺(electrole导电迹线与随后形成的布线层的布线(ro材料、环氧树脂，聚酰亚胺(polyimide)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate；PET)、聚氯乙烯(polyvinylchloride；PVC)、聚甲基丙烯酸甲酯可由例如环氧甲酚酚醛清漆(epoxycresolnovolac；ECN)、联苯环氧树脂(biphenyl些实施例，移除工艺包含平坦化工艺，例如化学机械研磨工艺(chemicalmechanical[0056]根据一些实施例，导电结构147的厚度T1大致上等于模制层150在基板130之上的基板130之上的模制层150之间的平均厚度的10％之内。此差异可能是由于生产工艺所导到重分布结构160的底表面168。根据一些实施例，导电垫166的宽度W2小于开口163a的宽过重分布结构160和导电结构147电性连接至[0066]基板172a也可包含多层半导体、绝缘体上覆半导体(semiconductoron[0069]根据一些实施例，导电垫P1内埋于(embedded)介电层DI1中并且电性连接至电子线层172c的内连线结构将导电垫166电(例如SiGe或GaAsP)或前述的组合的化合物半导体[0073]基板174a也可包含多层半导体、绝缘体上覆半导体(例如绝缘体上覆硅或绝缘体线层174c的内连线结构将导电垫166电性连包含动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory；DRAM)芯片、高带宽存储器[0080]根据一些实施例，导电凸块176c将芯片176b电性连接至重分布结构176a的布线分布结构176a的布线层和导电凸块176c将导电垫166电性连接至绝缘材料例如为聚合物材料或由环氧树脂和充填材料组成的模制[0087]根据一些实施例，在基板130的热膨胀系数(coefficientofthermal[0088]由于导电结构147、模制层150和重分布结构160以良好的共面性按序形成于基板[0090]根据一些实施例，如图1G所示，移除模制层210的上部以露出芯片174的顶表面切割工艺(或锯切(sawing)工艺)以切穿模制层150和210以及重分布结构160，以形成芯片[0100]由于导电结构147是通过在遮罩层144的开口144a中形成导电层146而形成，因此可利用光刻工艺来调整遮罩层144的开口144a(如图1A和图1B所示)以调节导电结构147的147之间的距离可小于焊球的尺寸/焊球之间的距离及/或比焊球的尺寸/焊球之间的距离构，其中第二模制层的第三侧壁与第一模制层的第一侧壁及重分布结构的第二侧壁共平基础来设计或修饰其他工艺及结构，并以此达到相同的目的及/或达到与在此介绍的实施