CN111144020B 膜基系统屈曲模拟的方法、设备、计算机设备和存储介质 （浙江清华柔性电子技术研究院）

刻的位移增量，根据初始位移和t时刻的位移增始速度和初始加速度得到t时刻的加速度和t时刻的速度，解决了应用Green应变张量进行计算导致柔性电子器件的理论数值与实际情况偏差2获取薄膜屈曲的初始速度、初始特征矩阵和初始位移，根根据所述t时刻的等效刚度矩阵和所述t时刻的等效力向量，得到所述薄膜t时刻的位述初始加速度和所述t时刻的加速度得到t时刻2.根据权利要求1所述的膜基系统屈曲模拟的在所述时间步长累积的时间段大于预设时间段的情况下，停止所根据移动最小二乘MLS差值形函数对所述t时刻的位移增量、所述t时刻的速度进行近的加速度和所述近似速度，得到t+△t时刻的位移、t+△t时刻的加速度和t+△t时刻的速4.根据权利要求3所述的膜基系统屈曲模拟的方法，其特征在所述薄膜单轴屈曲模态为余弦曲线的情况下，在拖带坐标系根据所述轴向位移和所述薄膜屈曲的平均整旋角获取所述薄膜根据所述弯曲能量和所述薄膜能量，得到所述振幅和所述波长3所述动力学计算模块，用于根据所述t时刻的等效刚度矩阵和所述t时刻的等效力向所述停止模块，用于在所述时间步长累积的时间段大于预设时间段的9.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存被处理器执行时实现权利要求1至6中任一项所述的4[0002]由刚性薄膜和柔性衬底组成的结构简称为膜基系统，图1是根据相关技术中膜基尺度范围可以在100nm-100μm之间变化，即通过可控屈曲的方法实现了微纳尺度下的图形化。Bowden等人的这一创新型工作为膜基系统的应用提供了更多可能性，柔性电子技术变张量来计算几何非线性的形变。虽然Green应变张量克服了Cauchy应变张量在变形体作纯转动时产生虚假应变这一缺点，但是Green应变张量限制了该计算方法在大位移和大转[0004]针对相关技术中，应用Green应变张量进行计算导致柔性电子器件的理论数值与[0005]针对相关技术中，应用Green应变张量进行计算导致柔性电子器件的理论数值与[0009]根据所述t时刻的等效刚度矩阵和所述t时刻的等效力向量，得到所述薄膜t时刻时刻的位移增量、所述初始速度和所述初始加速度得到t时刻的加速度，根据所述初始速5[0014]根据移动最小二乘MLS差值形函数对所述t时刻的位移增量、所述t时刻的速度进6分常数和初始加速度得到t时刻的等效力向量，根据t时刻的等效刚度矩阵和t时刻的等效速度和t时刻的加速度得到t时刻的速度，解决了应用Green应变张量进行计算导致柔性电7根据该薄膜屈曲的时间步长，得到积分常数，服务器204根据初始刚度特征矩阵和积分常据初始等效力特征矩阵、该初始速度、该积分常数和该初始加速度得到t时刻的等效力向8为t时刻的位移增量。t时刻的加速度和t时刻的速度可以由Newmark法[0070]通过上述步骤S302至步骤S306，根据Newmark法计算薄膜屈曲过程中的动力学参应用Green应变张量进行计算导致柔性电子器件的理论数值与实际情况偏差较大的问题，[0071]在一个实施例中，图4是根据本发明实施例的膜基系统屈曲模拟的方法的流程图9[0075]在一个实施例中，图5是根据本发明实施例的膜基系统屈曲模拟的方法的流程图的拖带坐标系统的示意图，图中为变形前的矢量，g为变形后的矢量，[0086]在一个实施例中，增量变分方程根据罚函数法得到。由于MLS形函数近似不具备[0089]在一个实施例中，图7是根据本发明实施例的膜基系统屈曲模拟的模型建立的流挠度可以由如下公式11得到：[0093]步骤S704，根据该轴向位移和该薄膜屈曲的平均整旋角so公式13为对X2的协变导数。[0102]在一个实施例中，图8是根据本发明实施例的膜基系统屈曲模拟的模型建立的流角的计算公式可以得到挠度的时空变量计算公x.-8'-s。公式19[0118]应该理解的是，虽然图3至图8的流程图中的各个步骤按[0123]动力学计算模块96，用于根据该t时刻的等效刚度矩阵和图12是根据本发明实施例的薄膜屈meshfree为无网格法计算的结果，由实线表示，该铜箔的几何材料参数为：长厚比L/D=3随时间变化的曲线来描述铜箔的后屈曲行为，本实施例采用的无限元方法与有限元设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质、程序被处理器执行时以实现一种膜基系统屈曲机程序被处理器执行时实现上述各个实施例提供的膜基系统屈曲模拟的方法中非易失性和/或易失性存储器。非易失性存储器可包括只读存储器(ROM)、可编程ROM型SDRAM(ESDRAM)、同步链路(Synchlink)DRAM(SLDRAM)、存储器总线(Rambus)直接RAM