CN111161777B 非易失性存储器装置、对其执行操作的方法以及存储装置 （三星电子株式会社）

US2016133329A1,2016.0作中从所述多个存储器块中的选择的存储器块关闭操作中将虚设数据写入由行解码器电路选2行解码器电路，被配置为：在写入操作中从所述多个存储器块中的选其中，调节关闭单元的大小的处理包括：在关闭与先前写缓冲器电路从选择的存储器块的存储器单元之中以关闭单元为单位顺序地选择先前未写单元中以及数据被先前写入连接到与特定字线邻近的字线的邻近存储器单元中的状态下，单元中以及数据被先前写入连接到与特定字线邻近的字线的邻近存储器单元中的状态下，3缓冲器电路以关闭单元为单位将连接到所述多条字线中的多条第一字线的第一存储器单缓冲器电路以关闭单元为单位将连接到所述多条字线中的多条第一字线的第一存储器单其中，响应于被检测为验证读取操作的结果的导通单元的第一控制器，被配置为：将要从所述多个存储器块中选择其中，调节关闭单元的处理包括：在关闭与先前写入数据其中，在关闭操作中，非易失性存储器装置以关闭单元4器装置发送选择的存储器块的最终关闭单元之后对选择的存储器块执行擦除操作的次数19.一种对非易失性存储器装置执行关闭操作的方法，所述非易失性存储器装置包括将虚设数据写入从所述多个存储器块中选择的存储器块的存储器单元之中的数据未当在验证读取操作的执行中检测到的导通单元的第一数量或截止单元的第二数量大5[0001]本申请要求于2018年11月7日提交到韩国知识产权局的第10-2018-0135621号韩[0005]一方面提供一种防止数据由于耦合而受到干扰并具有提高的可靠性的非易失性中，并且在关闭操作中将虚设数据写入由行解码器电路选择的关闭单元的存储器单元中。闭命令发送到非易失性存储器装置。非易失性存储器装置响应于关闭命令执行关闭操作，6器块的存储器单元之中的数据未被先前写入的第一存储器单元之中的第一大小的存储器[0012]图3是示出图2的非易失性存储器装置的多个存储器块中的一个存储器块的示例[0014]图5示出数据被写入存储器块的第一存储器单元至第八存储器单元中的一些存储[0018]图9示出根据实施例的通过写入操作和关闭操作改变存储器单元的阈值电压的示[0021]图12是示出根据实施例的非易失性存储器装置检测关闭单元的方法的示例的流[0022]图13示出根据实施例的非易失性存储器装置验证较低存储器单元和较高存储器过在存储器单元的浮栅累积或捕获电荷或者从浮栅释放电荷来改变存储器单元的阈值电7收与写入命令对应的命令CMD时，非易失性存储器装置110可从控制器120接收用于写入操[0031]当从控制器120接收到与读取命令对应的命令CMD时，非易失性存储器装置110可[0034]非易失性存储器装置110可包括关闭控制块(closecontrolblock)117。当接收行关闭操作以将打开的存储器块改变为关闭的[0035]控制器120可将命令CMD和地址ADDR发送到非易失性存储器装置110，并且可与非[0036]控制器120可包括关闭启动块(closeinitiateblock)121。关闭启动块121器装置110的关闭控制块117可通过将虚设数据写入选择的存储器块的所有未存储数据的8[0040]存储器单元阵列111包括多个存储器块BLK1至BLKz。存储器块BLK1至BLKz中的每[0041]存储器块BLK1至BLKz中的每个存储器块可通过多条位线BL连接到页缓冲器电路[0043]行解码器电路112通过多条地选择线GSL、多条字线WL和多条串选择线SSL连接到[0045]页缓冲器电路113通过多条位线BL连接到存储器单元阵列111。页缓冲器电路113电路113可基于存储的数据将电压施加到多条位线BL。在与写入操作或擦除操作相关联的验证读取操作或读取操作中，页缓冲器电路113可感测位线BL的电压并且可存储感测的结可将通过输入/输出通道从控制器120接收的数据发送到页缓从页缓冲器电路113接收感测结果。通过-失败检查电路115可基于接收的感测结果对导通单元(on-cell)或截止单元(off-cell)的数通过-失败检查电路115的计数结果。控制逻辑电路116可根据计数结果确定写入操作或擦和页缓冲器电路113，以便在关闭操作中将存储器单元划分到关闭单元并顺序地写入虚设9[0052]图3是示出图2的非易失性存储器装置110的存储器块BLK1至BLKz中的一个存储器明了基底SUB的位置以帮助理解存储器块B到单元串CS的下端是足够的，并且本发明构思不限于共源极线CSL物理地位于单元串CS的[0054]第一串选择线SSL1至第四串选择线SSL4中的每条可沿第一方向延伸。第一位线BL1至第四位线BL4中的每条可沿第二方向延伸。存储器单元MC1至MC8可沿第三方向堆叠。[0055]每行的单元串CS可共同连接到第一地选择线GSL1至第四GS线SSL2和第三串选择线SSL3的单元串C[0056]每个单元串CS可包括分别连接到多条地选择线GSL1至GSL4的至少一个地选择晶每个单元串CS中，存储器单元MC1至MC8中的一个或多个可用作一个或多个虚设存储器单[0059]在一些实施例中，页的位于同一高度的子字线可在形成子字线的高度彼此连该理解，这里的存储器块的第m存储器单元MCm可表示存储器块的各个单元串中的第m存储对应的存储器单元的下端示出第二页PAGE2至第四页[0063]当非易失性存储器装置110开始将数据写入存储器块BLKa中时，存储器块BLKa可被打开。图5示出数据被写入存储器块BLKa的第一存储器单元MC1至第八存储器单元MC8中存在于打开状态的时间不小于阈值时间，或者响应于存储块BLKa由于突然断电(SPO)而存[0067]非易失性存储器装置110可自适应地对存储器块BLKa执行关闭操作。非易失性存储器装置110可将存储器块BLKa的未写入数据的存储器单元划分到关闭单元，以顺序地写[0069]在操作S120中，非易失性存储器装置110可将虚设数据写入第一大小的第一存储储器装置110可将虚设数据同时写入第一存储[0070]在操作S130中，非易失性存储器装置110可将虚设数据写入第二大小的第二存储将关闭单元包括或对应的存储器单元的数量调节为第一数量)并且可写入虚设数据，非易[0072]图7示出非易失性存储器装置110对图5的存储器块BLKa执行关闭操作的示例。参[0073]非易失性存储器装置110可将虚设数据顺序地或同时地写入第三页PAGE3的第三存储器单元MC3和第四页PAGE4的第三存储器单元MC3中。也就是说，针对第三存储器单元[0074]第三页PAGE3和第四页PAGE4的第三存储器单元MC3与先前写入数据的存储器单元及第一页PAGE1和第二页PAGE2的第三存储器单元MC3可受[0075]为了防止现有的数据由于耦合而受到干扰，非易失性存储器装置110可在将虚设数据写入与先前写入数据的存储器单元邻近的存储器单元中时，将关闭单元调节为相对入第一页PAGE1至第四页PAGE4的第四存储器单元MC4中。也就是说，针对第四存储器单元闭第四存储器单元MC4时，先前写入数据的第一页PAGE1和第二页PAGE2的第三存储器单元与在将虚设数据写入与先前写入数据的存储器单元不邻近的存储器单元中时调节的另一器单元MC5至第八存储器单元MC8时发生的耦合可能不对先前写入的数据具有影响(或者可[0081]如上所述，根据实施例的非易失性存储器装置110可在关闭与先前写入数据的存[0082]此外，根据实施例的非易失性存储器装置110可在关闭与先前写入数据的存储器[0084]在一些实施例中，参照图7和图8描述的关闭操作可响应于一个关闭命令来执非易失性存储器装置110可响应于一个关闭命令而整体关闭选择的存储器块的未写入数据[0085]图9示出根据实施例的通过写入操作和关闭操作来改变存储器单元的阈值电压的分别对应的验证读取电压来确定存储器单元的阈值电压是否达到第一编程状态P1至第七[0090]在执行关闭操作的情况下，存储器单元可具有与虚设编程状态DP对应的阈值电略。非易失性存储器装置110可通过将编程电压重复地施加到字线(或多条字线)来允许存储器单元的阈值电压形成类似于虚设编程状态D可通过关闭操作将未写入数据的存储器单元的擦除状态改变为虚设编[0096]为了防止上述问题，根据一个实施例的非易失性存储器装置110可在关闭与先前[0098]图12是示出根据实施例的非易失性存储器装置110检测关闭单元的方法的示例的通过将编程电压重复地施加到与关闭单元“N”对应的字线(或多条字线)来关闭关闭单元[0102]在操作S340中，非易失性存储器装置110可确定导通单元的数量或截止单元的数[0105]在操作S370中，非易失性存储器装置110可基于最终关闭单元将虚设数据写入尚之中的对应于最终关闭单元的大小的存储器单元划分为最存储器装置110可检测与存储器块BLK1至BLKz分别对应的最终关闭单元，并且可内部地存定存储器块的最终关闭单元被存储的情况下，非易失性存储器装置110可加载并使用特定可将存储器块BLK1至BLKz中的每个的最终关闭单元存储为非易失性存储器装置110的管理信息。控制器120可将存储器块BLK1至BLKz的最终关闭单元与任何其他管理信息一起备份的情况下，控制器120可将最终关闭单元与关闭命令一起发送到非易失性存储器装置110。非易失性存储器装置110可通过使用从控制器120发送的最终关闭单[0109]在特定存储器块的最终关闭单元未被存储为管理信息的情况下，控制器120可在没有最终关闭单元的情况下将关闭命令发送到非易失性存储器装置110。非易失性存储器装置110可检测特定存储器块的最终关闭单元，并且可通过使用检测到的最终关闭单元来[0110]图13示出根据实施例的非易失性存储器装置验证较低存储器单元和较高存储器一验证电压VV1施加到字线时导通的导通单元计数为[0111]此外，非易失性存储器装置110可通过使用高于虚设编程状态DP的上限的第二验证电压VV2来验证较高存储器单元。非易失性存储器装置110可将在将第二验证电压VV2施加到字线时截止的截止单元计数为较高存储[0112]图14示出根据实施例的非易失性存储器装置110或控制器120更新最终关闭单元[0114]在操作S430中，非易失性存储器装置110或控制器120可确定编程和擦除周期(或[0118]在操作S460中，非易失性存储器装置110可基于最终关闭单元来关闭剩余的存储[0119]如上所述，根据各种实施例的存储装置100被配置为通过相对小的单元将虚设数[0120]此外，根据各种实施例的存储装置100可检测关闭单元以防止在第二存储器单元[0121]此外，根据各种实施例的存储装置100可通过发送关闭命令一次来关闭选择的存(诸如，集成电路、专用IC(ASCI)、现场可编程门阵列(FPGA)和复杂可编程逻辑器件