CN111584364B 半导体装置的制造方法及半导体装置 （住友电工光电子器件创新株式会社）

社US2013288401A1,201本发明提供半导体装置的制造方法及半导体装置。该半导体装置的制造方法包括如下工序：在形成于SiC基板的主面上的氮化物半导体层上的源极电极与漏极电极之间形成具有包括与源极电极隔开间隔而相邻的区域形成具有与从SiC基板的背面到达第一金属膜的孔；及在孔2在形成于SiC基板的主面上的氮化物半导将沿第一方向排列的源极电极及漏极电极形成于所述绝缘膜的与所述源极电极及所将位于所述氮化物半导体层上的所述源极电极与所述漏极电极之间的栅极电极形成将位于与所述源极电极隔开间隔而相邻的区域并包括Ni层的第一金属膜形成于所述形成位于所述绝缘膜上，与所述源极电极和所述第一金属膜接触，所述源极电极包括沿所述第一方向排列的第一部分和第二所述第一金属膜形成于所述第一部分与所述第在所述第一金属膜与所述第一部分及所述第二部分之在形成于SiC基板的主面上的氮化物半导体层上形成源在所述氮化物半导体层上的所述源极电极与所述漏极电极之间形成具有包括Ni层及形成与所述源极电极和所述第一金属膜接触的第在形成所述孔的工序中，在通过使用了氟系气体的反应性离子蚀刻对所述SiC基板进在形成所述孔的工序中，朝向所述氮化物半导体层间歇地在形成所述孔的工序中，朝向所述氮化物半导体层间歇地所述栅极电极具有层叠构造，所述第一金属膜具有与所述栅极电极相同的层叠构造，3形成所述源极电极及所述漏极电极的工序包括在500℃~600℃的范围内的温度下对栅极电极，设于所述氮化物半导体层上的所述源极电极与所述漏极电第一金属膜，设于在所述氮化物半导体层上与所述源极电极隔开间隔地相邻的区域，所述源极电极包括沿所述第一方向排列的第一部分和第二所述第一金属膜形成于所述第一部分与所述第在所述第一金属膜与所述第一部分及所述第二部分之栅极电极，设于所述氮化物半导体层上的所述源极电极与所述漏极电第一金属膜，设于在所述氮化物半导体层上与所述源极电极隔开间隔地相邻的区域，45[0004]日本特开2013-191763号公报(JP2013-191763A)公开了半导体装置的制造方法。[0005]日本特开2008-085020号公报(JP2008-085020A)公开了半导体装置的构造。该文成为形成于第二面的布线的一部分。日本特开2012-033690号公报(JP2012-033690A)公开[0006]本发明提供一种半导体装置的制造方法。该半导体装置的制造方法具备如下工导体层上的源极电极与漏极电极之间形成具有包括Ni层及Ni层上的Au层的层叠构造的栅6制造方法具备如下工序：在形成于SiC基板的主面上的氮化物半导体层上形成源极电极及性离子蚀刻对SiC基板进行了蚀刻之后，通过使用了氯系气体的反应性离子蚀刻对氮化物7[0029]作为一个实施方式，也可以是，形成源极电极600℃的范围内的温度下对主要包含Al的多层金属进行合金化的工序。[0038]SiC基板3是具有平坦的主面3a和位于主面3a的相反侧的平坦的背面3b的、由SiC[0039]氮化物半导体层4是形成在SiC基板3的主面3a上的外延层。在晶体管1A为高电子于AlN缓冲层上的GaN沟道层、设于GaN沟道层上的AlGaN(或InAlN)阻挡层及设于阻挡层上厚度例如在10nm～30nm的范围内。但是，在InAlN阻挡层的情况下，其厚度被设定为小于8(图中为两个)开口22a。两个开口22a例如呈以方向D2为长边方向的长方形状或者长圆形[0043]栅极电极(栅极叉指)21在氮化物半导体层4的活性区域上设置有多个。各栅极电[0045]金属膜42是本实施方式中的第一金属膜。金属膜42设于在氮化物半导体层4上与[0047]栅极布线31是覆盖栅极电极21的一部分、且是在氮化物半导体层4的非活性区域[0048]源极布线32是本实施方式中的第二金属膜，覆盖对应的源极9和设于非活性区域上的多个焊盘部33b。漏极布线33具有与栅极布线31及源极布线32同样方形状。多个焊盘部33b被设为相对于氮化物半导体层4的活性区域在方向D2的另一侧(与等离子体CVD法或者减压CVD(LPCVD)法来堆积绝缘膜5。如上所述，绝缘膜5的厚度例如在℃的温度下进行热处理(退火)，进行在前工序中堆积的多层金属的合金化。维持500℃~600℃的范围内的温度的时间例如为1分钟。用于栅极电极21的开口图案。在与源极电极22隔开间隔而相邻的区域(例如形成于源极电极22的开口内)形成用于金属膜42的开口图3进行蚀刻之后，变更反应性气体，通过使用了氯系气体的RIE对氮化物半导体层4进行蚀[0073]由于在使用氯系气体在氮化物半导体层4形成用于金属通孔44的孔11时，金属膜[0077]如本实施方式所述，通过使用分别朝向SiC基板3及氮化物半导体层4间歇地照射[0078]如本实施方式那样，也可以在源极电极22的开口22a内形成金属膜42。在该情况[0080]如本实施方式那样，形成源极电极22及漏极电极23在500℃~600℃的范围内的温度下对主要包含Al的多层金属进行合金化。假设在朝向主要比较小的情况下等，也可以分别朝向SiC基板及氮化物半导体层连续地照射来源于氟系气