CN111834210B 晶片的加工方法 （株式会社迪思科）

JP2007165636A,2007JP2003264203A,2003分的正面的各区域内形成有多个器件的晶片分于具有对晶片进行收纳的开口的框架的该开口晶片照射对于该晶片具有透过性的波长的激光2聚酯系片配设工序，将晶片定位于具有对晶片进行收不具有糊料层且在室温下不具有粘接性的聚酯系片配设在该晶片的背面或该正面上以及一体化工序，一边对该聚酯系片施加规定的压力一边使该聚酯分割工序，将对于该晶片具有透过性的波长的激光束的聚光点定位于该晶片的内部，拾取工序，通过从该聚酯系片侧吹送空气而将器件芯片逐个顶起，从在该一体化工序中，在该聚酯系片为该聚对苯二甲酸乙二醇酯为250℃~270℃,在该聚酯系片为该聚萘二甲酸乙二醇酯片的情况下，加热温度为160℃~在该一体化工序中，对该聚酯系片吹送热风而对该聚酯系片进行加热来实施该热压3预定线划分的各区域内形成IC(IntegratedCircuit：集成电路)、LSI(Large-Scale进行保持的卡盘工作台以及将对于晶片具有透过性的波长的激光束会聚至该晶片的内部有能够利用一个装置连续地实施晶片的分割和对粘接带的紫外线照射的加工装置(参照专456[0040]在将晶片1搬入至实施在晶片1中形成改质层的激光加工的激光加工装置12(参照化合物)和二醇(具有两个羟基的化合物)作为单体而合成的聚合物的片，例如有聚对苯二持面2a的卡盘工作台2上实施聚酯系片配的上表面作为卡盘工作台2的保持面2a。卡盘工作台2如图3所示在内部具有一端与该多孔[0049]在卡盘工作台2的保持面2a上载置晶片1和框架7之后，在晶片1的背面1b(或正面7[0052]在一体化工序中，首先使卡盘工作台2的切换部2c进行动作而成为使吸引源2b与卡盘工作台2的上部的多孔质部件连接的连通状态，将吸引源2b的负压作用于聚酯系片9。[0054]热风枪4在内部具有电热线等加热单元以及风扇等送风机构，能够对空气进行加热而喷射。一边将负压作用于聚酯系片9一边通过热风枪4从上表面对聚酯系片9提供热风温度的部件从上方对晶片1和框架7进行按压来实施。图5是示意性示出一体化工序的另一[0057]然后，将加热辊6加热至规定的温度而将该加热辊6载置于卡盘工作台2的保持面8态的晶片1进行激光加工，在晶片1的内部形成沿着分割预定线3的改质层而将该晶片1分行保持的卡盘工作台(未图示)。激光加工单元14具有能够振荡出激光的激光振荡器(未图9[0072]激光加工单元14将从该激光振荡器射出的激光束16照射至该卡盘工作台所保持[0074]接着，一边从激光加工单元14对晶片1的内部照射激光束16一边使卡盘工作台和3同样地对晶片1进行激光加工。在沿着沿一个方向的所有分割预定线3形成了改质层3a之[0081]当通过激光加工单元14使激光束16会聚至晶片1的内部而形成改质层3a时，该激[0088]在鼓20的内部配设有从下方将聚酯系片9所支承的器件芯片顶起的顶起机构34。进行吸引保持的筒夹36(参照图10的(B))。顶起机构34和筒夹36能够在沿着框架支承台26[0089]在对聚酯系片9进行扩展时，首先按照使拾取装置18的鼓20的上端的高度与框架[0091]接着，使气缸30进行动作而使框架保持单元22的框架支承台26相对于鼓20下而将该器件芯片1c顶起时，能够减轻从该聚酯系片9剥离器件芯片1c时施加于该器件芯片实施方式中，对聚酯系片9例如是聚对苯二甲酸乙二醇酯片或聚萘二甲酸乙二醇酯片的情