CN111879796B 一种透射电镜高分辨原位流体冷冻芯片及其制备方法 （厦门大学）

一种透射电镜高分辨原位流体冷冻芯片及本发明公开了一种透射电镜高分辨原位流21.一种透射电镜高分辨原位液相冷冻芯片，其结构为上片和下片通过金属键合层组所述上片的面积略小于下片的面积，上片的中心视窗1与下片的中S1.利用光刻工艺，将中心视窗图案从光刻掩膜版转移到两面带有氮化硅或氧化硅层S4.利用反应离子刻蚀工艺，在晶圆A-3的背面的小孔处的氮化硅厚度刻蚀至10nm-3体薄膜为六块n型半导体薄膜和六块P型半导体薄膜；六块n型半导体薄膜的形状为L型条24.如权利要求1所述透射电镜高分辨原位液425.如权利要求1所述透射电镜高分辨原位液相冷冻S5步骤中，所述氢氧化钾溶液的质量百分比浓度为20所述刻蚀的温度为8S6步骤中，所述光刻工艺为在紫外光刻机的hardcon27.如权利要求1所述透射电镜高分辨原位液相冷冻S2.利用光刻工艺，将中心视窗外圈导电金属载膜图案从光刻掩膜版转移到上述晶圆5S12.利用紫外激光直写光刻工艺，将中心视窗的小S2步骤中所述光刻工艺为在紫外光刻机的hardcontactS3步骤中所述导电金属薄膜的外方形尺寸为100μm*100μm-500μm*500μm,内方形尺寸S12步骤中所述紫外激光直写工艺的所用光刻胶为AZ5214E或30.一种权利要求1-29任一所述透射电镜高分辨原位液相冷冻芯片的制备方法，其特S1.利用光刻工艺，将中心视窗图案从光刻掩膜版转移到两面带有氮化硅或氧化硅层S4.利用反应离子刻蚀工艺，在晶圆A-3的背面的小孔处的氮化硅厚度刻蚀至10nm-6S1.准备两面带有氮化硅或氧化硅层的Si(100)晶圆B，氮化硅或氧化硅层厚度5-S2.利用光刻工艺，将中心视窗外圈导电金属载膜图案从光刻掩膜版转移到上述晶圆S12.利用紫外激光直写光刻工艺，将中心视窗的小7S1步骤中，所述光刻工艺为在紫外光刻机的hardcontS5步骤中，所述氢氧化钾溶液的质量百分比浓度为20所述刻蚀的温度为8S6步骤中，所述光刻工艺为在紫外光刻机的hardconS2步骤中所述光刻工艺为在紫外光刻机的hardcontactS3步骤中所述导电金属薄膜的外方形尺寸为100μm*100μm-500μm*500μm,内方形尺寸S12步骤中所述紫外激光直写工艺的所用光刻胶为AZ5214E或8化学固液界面双电层中离子的分布信息，生物分子(如抗原/抗体)相互作用时三维结构的[0003]本发明的目的在于提供一种在原位测试过程中能够进行微区快速冷冻的透射电为两面有氮化硅或氧化硅的硅基片，上片设置有两个注样口和一个中心视窗1，其特征在[0005]所述上片的面积略小于下片的面积，上片的中心视窗1与9[0017]所述导电金属薄膜的外方形尺寸为100μm*100μm-500μm*500μm,内方形尺寸为5μ[0023]S1.利用光刻工艺，将中心视[0026]S2.利用反应离子刻蚀工艺，在所述晶圆A-1的正面的氮化硅层上刻蚀出中心视[0029]S4.利用反应离子刻蚀工艺，在晶圆A-3的背面的小孔处的氮化硅厚度刻蚀至[0032]优选的，所述氢氧化钾溶液的质量百分比浓度为20所述刻蚀的温度为80℃,时[0042]S1.准备两面带有氮化硅或氧化硅层的Si[0043]S2.利用光刻工艺，将中心视窗外[0064]S13.利用反应离子刻蚀工艺，在晶圆B-11的背面的小孔处的氮化硅或氧化硅刻[0069]S1.利用光刻工艺，将中心视[0072]S2.利用反应离子刻蚀工艺，在所述晶圆A-1的正面的氮化硅层上刻蚀出中心视[0075]S4.利用反应离子刻蚀工艺，在晶圆A-3的背面的小孔处的氮化硅厚度刻蚀至[0078]优选的，所述氢氧化钾溶液的质量百分比浓度为20所述刻蚀的温度为80℃,时[0090]S2.利用光刻工艺，将中心视窗外[0094]所述导电金属薄膜的外方形尺寸为100μm*100μm-500μm*500μm,内方形尺寸为5μ[0111]S13.利用反应离子刻蚀工艺，在晶圆B-11的背面的小孔处的氮化硅或氧化硅刻[0132]S1.利用光刻工艺，将中心视[0135]S2.利用反应离子刻蚀工艺，在所述晶圆A-1的正面的氮化硅层上刻蚀出中心视[0138]S4.利用反应离子刻蚀工艺，在晶圆A-3的背面的小孔处的氮化硅厚度刻蚀至[0141]优选的，所述氢氧化钾溶液的质量百分比浓度为20所述刻蚀的温度为80℃,时[0153]S2.利用光刻工艺，将中心视窗外[0174]S13.利用反应离子刻蚀工艺，在晶圆B-11的背面的小孔处的氮化硅或氧化硅刻[0179]将过饱和的氢氧化钙的水溶液(溶液中含有微量氢氧化钙颗粒)注入到实施例1制将芯片温度设置到-30℃,得到图11的电镜图，从图11的A和B观察到[0181]该透射电镜高分辨原位流体冷冻芯片在使用前通过测温仪测定芯片在不同输出