CN111952215B 基片处理装置和基片处理方法 （东京毅力科创株式会社）

US2013206726A1,2013.JP2006060161A,2006.0US2008226830A1,2008.0US6857838B2,2005.02.222对位机构，其设置于所述喷嘴臂，用于使所述基片的位置与所述所述喷嘴和所述对位机构设置在相同的所述喷嘴臂，所述喷嘴以从位于所述对位机构的侧部的液供给部延伸到所述对位机构与所述基片俯视时，从所述喷嘴的排出口排出到所述基片上的处理液的排出所述喷嘴具有相对于所述延伸部可拆装的排出形成于所述排出口部件的流路比所述喷嘴中的形成于所述排出口部件以外的部位的在所述保持部位于上升位置时，通过使所述喷嘴臂在水平方在所述保持部位于下降位置时，通过使所述喷嘴臂移动在所述喷嘴臂位于下降位置时，通过使所述喷嘴臂在水平方在所述喷嘴臂位于上升位置时，通过使所述喷嘴臂移动3所述喷嘴和所述对位机构设置在相同的所述喷嘴臂，所述喷嘴以从位于所述对位机构的侧部的液供给部延伸到所述对位机构与所述基片45铅垂轴为旋转中心的旋转方向称为θ方向。6中的旋转轴的中心C1(参照图5)对准。[0073]移动机构34与喷嘴臂31的根端部连接。移动机构34使喷嘴臂31沿例如水平方向7[0076]移动机构44与喷嘴臂41的根端部连接。移动机构44使喷嘴臂41沿例如水平方向[0077]下方杯状体50是以覆盖晶片W的周缘部的下方的方式配置在加热机构80的外方的[0082]此外，下表面供给部60也可以具有使下表面喷嘴61在水平方向上移动的移动机由外方杯状体70和下方杯状体50形成的空间后，从排液口71被排放到基片处理装置1的外8[0089]控制部101包含具有CPU(CentralProcessingUnit：中央处理单元)、ROM(Read[0095]喷嘴35以从位于对位机构33的侧部的液供给部32向对位机构33的下方延伸的方[0097]主体部43a被喷嘴臂41以可沿晶片W的径向移动的方式支承，并且支承辊43b。另[0099]喷嘴45以从位于对位机构43的侧部的液供给部42向对位机构43的下方延伸的方9[0158]连接部35a构成为能够与液供给部32连接。垂直部35b是从连接部35a垂直向下方37e。连接部37a构成为能够在主体部36的延伸部35d中与形成于主体部36内的第1流路35g[0161]O形环37b用于在连接部37a被连接于主体部36内的第1流路35g时抑制从该第1流[0162]抓持部37d是在要将喷嘴头37安装于主体部36时供扳手等固接部件抓持的部位。延伸部37e是从抓持部37d延伸至排出口[0170]另外，假若主体部36与喷嘴头37一体地构成时，通过延伸部35d的流路和排出口基片(晶片W)上的处理液的排出位置P1(P2)位于基片(晶片W)的中心C2与对位机构33(43)20位于下降位置时，通过使喷嘴臂31(41)移动到处理位置来实施载置于保持部20的基片臂31(41)在水平方向上移动来实施载置于保持部20的基片(晶片W)的对位。另外，控制部101在喷嘴臂31(41)位于上升位置时，通过使喷嘴臂31(41)移动到处理位置来实施载置于表示实施方式的基片处理装置1执行的基片处理的顺[0189]图12是表示实施方式的变形例的基片处理装置1执行的基片处理的顺序的流程由此实施对晶片W的周缘部的液处理(步骤S206)。当该步骤S206结束时，一连串的处理完[0195]另外，实施方式的基片处理方法包含在对准所设定的位置的步骤(步骤S103)之[0196]另外，实施方式的基片处理方法包含在对准所设定的位置的步骤(步骤S203)之片处理装置1中设置一对具有喷嘴和对位机构的喷嘴臂的例子，不过也可以不一定设置一[0198]例如，也可以为在基片处理装置1单独地设置具有喷嘴和对位机构的喷嘴臂以及嘴臂以及仅具有喷嘴的喷嘴臂。仅具有对位机构的臂以及仅具有喷嘴的喷嘴臂。