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(12)发明专利申请事务所(特殊普通合伙)(54)发明名称(57)摘要2345679其中，lteak-post表示漏电流数据，leak-control表示预设的平均漏电流，处理器，执行所述存储器中存储的指令以实附图说明[0018]图1为本发明一实施例提供的基于电子辐照的快速恢复二极管性能测试方法的流其中，leak-post表示漏电流数据，Ileak-control表示预设的平均漏电流，leak-pre表示未辐照漏电流；[0076]如图3所示，是本发明一实施例提供的实现基于电子辐照的快速恢复二极管性能2223提取实验组对应的快速恢复二极管，根据所提取的快速恢复二极管搭建测试电25接收二极管性能测试指令，根据二极管性能测试指令设置获取快速恢复二极管集，基于偏置条件区间及快速恢复二极管集获取多个实验组行如下操作：提取实验组对应的快速恢复二极管，根据所提取的快速恢复二极管搭建测试电路，并初始化测试电路,得到初始化电路利用预设的辐照参数设置预构建的电子辐射设备，得到预调电子辐射设备，其中，辐照参数包括：辐照粒子类型及利用预调电子辐射设备对初始化电路中的快速恢复二极管进行辐照，并对初始化电路进行辐照监测，得到温度数据、辐照剂量、电压数据及漏电流数据若确认出辐照剂量等于预设的辐照粒子数值，且快速恢复二极管未损坏或未烧毁，则预测快速恢复二极管的使用寿命，基于漏电流数据获取漏电流增加比例及漏电流曲线，基于温度数据获取可视化温度图像，基于所述电压数据获根据可视化温度图像、使用寿命、电压曲线及漏电流曲线对快速恢复二极管进行使用参数评估，得到单位评估报告汇总单位评估报告，得到多个实验组所对应的单位评估报告集，基于单位评

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