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(12)发明专利申请有限公司43225(54)发明名称时TapCell版图插入规则，并根据所述TapCell版图插入规则获取TapCell和标准单元之间的最大距离值Dxax23456所述TapCell插入距离DSEL,获取同时满足抗SEL和抗SET需求的TapCell插入间距7附图说明[0018]图1为本发明第一实施例提供的基于TapCell的抗辐照芯片设计方法的流程示意9N阱SLDDSELDSNN阱P阱N阱0Drs(um)元之间的最大距离值DMax提取商用网表的器件参数，搭建包含TapCell的器件级SEL仿真模型的距离变量DTs的初始值设为DMax进行SEL仿真SEL阙值是否达标以步距S1减小DTs,重新仿真搭建含有包含TapCell的单元级SET仿真模型仿真标准单元的瞬时脉宽量dsEL&SET的初始值设为DsEL的四倍按照瞬时脉宽进行敏感性排序，取脉宽最大者为最敏感单元SET阈值是否达标

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