CN110838488A 半导体装置与其形成方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）

本公开提供了一种半导体装置与其形成方诱发元素穿过栅极介电层至栅极介电层与界面2该第一栅极介电层中的该偶极诱发元素的一第二浓度沿着自该第一鳍状物向外延伸的第层中的该偶极诱发元素的一第三浓度低于该第一栅极介电层中的该偶极诱发元素的该第一第二界面层，位于该第二鳍状物的一第二通道区一第二栅极介电层，位于该第二界面层上，退火该掺杂层以驱使该偶极诱发元素穿过该栅极介电层至该栅极介电层与该界面层3形成一第一栅极与一第二栅极于该盖层上，该第一栅4[0003]半导体产业持续缩小最小结构尺寸以改善多种电子构件(如晶体管、二极管、电56实施例及/或设置中具有相同标号的元件并不必然具有相7相沉积、可流动的化学气相沉积(比如在远端等离子体系统中沉积化学气相沉积为主的材8[0076]在掺杂区的形态不同的实施例中，可采用光刻胶或其他遮罩(未图示)以达区域50C中的鳍状物58与浅沟槽隔离区56上。图案化光组以露出基板50的区域50B如n型金属氧遮罩以实质上避免p型杂质布植至区域50C如p型金属氧化物半导体区中。p型杂质可为硼、9[0081]在图8中，可形成栅极密封间隔物80于虚置栅极72及/或鳍状物58的露出表图5所述的布植类似，可形成遮罩如光刻胶于区域50B上并露出区域50C，并布植合适形态光刻胶于区域50C上并露出区域50B，且可布植合适形态的杂质至区域50B中露出的鳍状物极间隔物84的材料具有选择性，因此在形成栅极间隔物84时不会蚀刻轻掺杂源极/漏极区漏极区86形成于鳍状物58中，使每一虚置栅极72位于每一对相邻的外延的源极/漏极区86施例中，栅极密封间隔物80与栅极间隔物84可用于使外延的源极/漏极区86与虚置栅极72分开一段合适的横向距离，使最终鳍状场效晶体管中外延的源极/漏极区86与后续形成的[0085]区域50B(如n型金属氧化物半导体区)中的外延的源极/漏极区86，其形成方法如[0086]区域50C如p型金属氧化物半导体区中的外延的源极/漏极区86的形成方法如下。[0087]可在成长外延的源极/漏极区86时进行原位掺杂以形成源极/漏极区。外延的源极/漏极区82相同或不同的掺质。外延的源极/漏极区86的杂质浓度可介于约1019cm-3至约[0088]用于形成外延的源极/漏极区86于区域50B与区域50C中的外延工艺，造成外延的些晶面使相相同的鳍状场效晶体管区的相邻的外延的源极/漏极区86合并，如图9B所示的鳍状物58。界面层100的形成方法亦可为沉积工艺如化学气相沉积工艺、物理气相沉积工此被掺杂层104覆盖的栅极介电层102的部分(比如在区域58B中)可掺杂偶极诱发元素。如此一来，退火工艺之后的区域58B中的栅极介电层102的第一部分102A的偶极诱发元素浓偶极诱发元素形成于区域58B中的栅极介电层102与界面层100之间的界面。偶极诱发元素域58B中的栅极介电层102，使其位于区域58B中的栅极介电层102与界面层100的界面。此[0105]图20是与鳍状物58的通道区隔有不同距离处的偶极诱发元素整个界面层100的浓度增加(如逐渐增加)至第一距离D1的第一浓度C1。栅极介电层102的一湿蚀刻的温度。湿蚀刻的温度可介于约30℃至约80℃之间，且可历时约10秒至约500秒之的偶极诱发元素114的残留粒子，并保留栅极介电层102与界面层100的界面的偶极诱发元栅极介电层102的浓度减少(如逐渐减少)至第二距离D2的第四浓度C4。整个盖层116至第三[0111]在图26中，可进行平坦化工艺如化学机械研磨，以移除界面层100、栅极介电层分可形成栅极120，其可与其他层状物结合形成最终鳍状场效晶体管的置换栅极。界面层[0113]形成源极/漏极接点132与栅极接点134穿过层间介电层90与130。源极/漏极接点132所用的开口穿过层间介电层90与130，而栅极接点134所用的开口穿过层间介电层1层间介电层130的表面移除多余材料。保留的衬垫层与导电材料可形成源极/漏极接点132与栅极接点134于开口中。可进行退火工艺以形成硅化物于外延的源极/漏极区86与源极/图30显示的实施例中，在不同区域中重复形成掺杂层104与驱使偶极诱发元素至栅极介电[0115]在图28中，第二掺杂层138形成于栅极介电层102上。第二掺杂层138可与掺杂层的栅极介电层102的部分。第二掺杂层138覆盖栅极介电层102的部分(如区域58C中的栅极58C中的栅极介电层102的第二部分102B，使其与区域58C中的栅极介电层102的第一部分[0117]在图30中，形成第二牺牲层146于栅极介电层102上。第二牺牲层146可与牺牲层二临界电压，而第三区(未图示)中的栅极介电层102不具有偶极诱发元素且具有第三临界体管的可信度。最后形成并移除牺牲层112可减少栅极介电层102与盖层116的界面残留的