CN110858554A 衬底处理设备和方法 （Asm Ip控股有限公司）

站具有用于在衬底上涂布抗蚀剂的抗蚀剂涂布装置和/或用于在所述衬底上显影所述抗蚀剂的到所述湿法处理站和/或所述额外处理站且在进入和/或离开所述衬底处理设备的方向上移动所2湿法处理站，其包括用于在衬底上涂布抗蚀剂的抗蚀剂涂布装置和/或用于在所述衬衬底处置器，其用于将所述衬底移动到所述湿法处理站和/或所述额外处理站且在进入和/或离开所述衬底处理设备的方向上移动所述衬底；其中所述额外处理站包括渗透装前体分布和去除系统，其包括一个或多个反序列控制器，其可操作地连接到所述前体分布和去器具有程序以当在所述序列控制器上运行时通过渗透循环执行所述衬底上所述可渗透材2.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其中存储在所述存储器中的所述渗透循环进一步包括启动所述前体分布和去除系统以在第二时段内从所述反应腔室去除所述第一前3.根据权利要求2所述的衬底处理设备，其中所述前体分布和去除系统包括一个或多个反应腔室阀以将气态第二前体提供到所述反应腔室并从所述反应腔室去除气态第二前体与所述第二前体的反应的反应产物渗透所述4.根据权利要求3所述的衬底处理设备，其中存储在所述存储器中的所述渗透循环进一步包括启动所述前体分布和去除系统以在第四时段内从所述反应腔室去除所述第二前5.根据权利要求3所述的衬底处理设备，其中存储在所述存储器中的所述渗透循环具6.根据权利要求3所述的衬底处理设备，其中存储在所述存储器中的所述渗透循环具7.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其中存储在所述存储器中的所述渗透循环进8.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其中所述额外处理站被构造和布置成将金属9.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其中所述额外处理站的所述前体分布和去除3系统被构造和布置成在所述反应腔室中提供包括金属的前体，所述金属来自包括以下的16.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其中所述额外处理站被构造和布置成渗透20.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其中21.根据权利要求1所述的衬底处理设备，其中所述可渗透材料包括图案化抗蚀剂层，并且所述衬底处置器被构造和布置成将所述衬底从所述湿法处理站中的所述显影处理装22.根据权利要求1所述的衬底处理设备且所述衬底处置器被构造和布置成将所述衬底从所述湿法处理站中的所述抗蚀剂涂布装将所述衬底移动到所述衬底处理设备的湿法处理站通过所述衬底处理设备从所述光刻设备接收具有图用所述衬底处置器将具有所述图案化抗蚀剂层的所述衬底移动到额外处理站的衬底4在第一时段内在所述反应腔室中提供第一气态前体5[0002]湿法处理站，其包括用于在衬底上涂布抗蚀剂的抗蚀剂涂布装置和/或用于在衬[0005]衬底处理设备可被称作例如涂布机/显影剂设备或自动化光阻涂布及显影系统(track)。衬底处理设备可用以在图案形成于衬底上的抗蚀剂层中之前及之后对衬底执行[0010]上文所描述的图案化技术可利用安置于衬底上的抗蚀剂以实现对衬底的高分辨6湿法处理站包括用于在衬底上涂布抗蚀剂的抗蚀剂涂布装置和/或用于在衬底上显影抗蚀底移动到湿法处理站和/或额外处理站且在进入和/或离开衬底处理设备的方向上移动衬人员来说，这些和其它实施例将从参考附图的某些实施例的以下详细描述变得显而易见，[0016]虽然本说明书以具体地指出并明确地要求保护被视为本发明实施例的内容的权7[0023]已经证实，例如连续渗透合成(SIS)等渗透工艺通过用无机保护性组分改性材料国公开案第2012/0241411号和/或美国公开案第2018/0171475号中，并且以引用的方式并提供以前利用现有方法未看到的益处，所述方法例如美国公开案第2014/0273514号和/或底移动到湿法处理站和/或额外处理站且在进入和/或离开衬底处理设备的方向上移动衬8[0027]本公开的衬底处理设备的非限制性实例示出在图1中，其包括根据本公开的实施[0029]可在处理部分4中提供第一湿法处理站7和第二湿法处理站8，所述第一湿法处理的可旋转衬底台17和用于将液体提供到衬底的表面的液体分配器。光致抗蚀剂可以10至[0030]衬底处置器6可被构造和布置成用于将衬底移动到第一湿法处理站和/或第二湿法处理站，并且通过盒存储部分2和接口部分5在进入和/或离开衬底处理设备的方向上移处理部分4中提供加热站9和冷却站10以分别烘烤衬底的冷却，并且加热站9和冷却站10还除系统包括一个或多个反应腔室阀以将气态第一和/或第二前体提供到反应腔室12且从反[0034]图2示出了用于图1的衬底处理设备的包括渗透装置的非限制性示范性额外处理[0035]能够用以渗透可渗透材料的反应腔室可包含被配置成用于原子层沉积(ALD)工艺9到底层衬底中。可渗透特征可包括可取决于曝光和相关的显影工艺形成的任何几何形状，固持器13可包括一个或多个加热元件110，所述加热元件可被配置成加热上面安置有可渗[0044]在本公开的一些实施例中，包括渗透装置的额外站11可包括前体分布和去除系和布置成提供多种前体的蒸气并将相关的蒸气分配到反应腔室12的一个或多个前体源可用于本文中所描述的示范性渗透工艺的吹扫循环的吹扫气体。气体递送系统112还可包括反应物源容器118，所述反应物源容器被配置成用于将反应物容纳和分配到反应腔室12前体加热到合适的操作温度由此使第一前体的一部分可控地蒸发的一个或多个可控制加施例中，与第一前体源114A相关的一个或多个加热元件可被配置成控制第一前体的蒸气并且可以被配置成控制由第一前体源114A，例如第一前体蒸发器产生的蒸气的质量流量。被构造和布置成向反应腔室12提供来自第一前体源114A的第一前体的蒸气并从反应腔室被构造和布置成在反应腔室12中提供包括金被构造和布置成向反应腔室12提供来自第一前体源114的第一前体的蒸气，所述第一前体造和布置成向反应腔室12提供来自第一前体源114的第一前体的蒸气，所述第一前体包括器中，并且相关的加热元件可用以将APTES加热到大于0℃或大于90℃或甚至大于230℃的[0058]在一些实施例中，第一前体源114A可被构造和布置成提供3-氨基丙基-三甲氧基硅烷(APTMS)的蒸气。举例来说，第一前体源114A可包括可被构造和布置成蒸发3-氨基丙源容器中，并且相关的加热元件可用以将APTMS加热到大于0℃或大于90℃或甚至大于230[0059]在本公开的一些实施例中，第一前体源114A可被构造和布置成提供硅前体的蒸[0062]前体分布系统可进一步包括气体分配器132，所述气体分配器被配置成用于将第一前体的蒸气分配到反应腔室12中并经过上面安置有可渗透材料106的衬底15，气体分配布器132并进入反应腔室12的吹扫气体的质量流量，其中吹扫气体可以帮助从反应腔室12体气体和未反应的副产物。吹扫气体(和任何相关前体和副产物)可以利用真空泵138通过器可操作地连接到前体分布系统和去除系统并且包括存储器144，所述存储器具有程序以序列控制器142可提供对气体去除系统的以将第一前体的蒸气提供到反应腔室12内衬底15上的可渗透材料106，由此反应腔室12内系统和去除系统以将第二前体的蒸气提供到反应腔室12，由此衬底15上的可渗透材料106运行时通过以下操作执行可渗透材料106的渗透：启动前体分布系统和去除系统以在第一并用第一前体渗透可渗透材料106，且随后第二前体源114B可以将第二前体的蒸气提供到透。存储在存储器144中的程序的渗透循环的提供第一前体的蒸气第一时段可比第三时段蒸气提供到反应腔室12中以用第二前体蒸气渗透可渗透材料106，且随后第一前体源114A[0076]在本公开的一些实施例中，存储在存储器144中的程序可被编程以当在序列控制[0077]更详细地，安装在序列控制器142的存储器144内的程序可首先启动第一前体源114A并将第一前体的蒸气提供到反应腔室12以用第一前体的蒸气渗透可渗透材料106，随腔室12脱离后，安装在序列控制器142的存储器144中的程序可以接合或继续接合真空泵的存储器144中的程序还可以例如通过打开与源容器116相关的阀122C来启动容纳吹扫气体源的源容器116。吹扫气体可以流过气体管线128并通过气体分布器132进入反应腔室12供的第二前体蒸气渗透可渗透材料106。安装在序列控制器142的存储器144中的程序可以[0078]在本公开的一些实施例中，安装在存储器144中的程序可被编程以当在序列控制[0081]在本公开的一些实施例中，反应物源容器118可包括固相、液相或气相中的反应室12。在一些实施例中，通过使用与反应物源容器118相关的阀122D和流量控制器120D两步包括反应物蒸发器的本公开的一些实施例中，反应物蒸发器可被构造和布置成蒸发水(H2O)或过氧化氢(H2O2)中的至少一种作为[0082]在本公开的一些实施例中，反应物源容器118可以存储气态氧前体并通过反应物所产生的氧基等离子体可以与安置在衬底15上方的的反应物提供到反应腔室12，由此反应腔室12中衬底15上的可渗透材料106通过第一前体步骤之后进行吹扫循环以通过利用真空泵138排尽反应腔室12且任选地使来自源容器116[0085]在本公开的一些实施例中，安装在存储器144中的程序可被编程以当在序列控制除系统以将氧前体从反应物源容器118提供到反应腔室，然后将第一前体的蒸气从第一前在程序序列中的每个步骤之后进行吹扫循环以通过利用真空泵138排尽反应腔室12且任选地使来自源容器116的吹扫气体流动而从反应腔室去布系统和去除系统可被构造和布置成向反应腔室12提供来自第二前体源114B的第二前体行时通过以下操作执行可渗透材料106的渗透：启动前体分布系统和去除系统以提供第一运行时通过以下操作执行可渗透材料106的渗透：启动前体分布系统和去除系统以多次重运行时通过以下操作执行可渗透材料106的渗透：启动前体分布系统和去除系统以在提供运行时通过以下操作执行可渗透材料106的渗透：启动前体分布系统和去除系统以提供第列中的每个步骤之后进行吹扫循环以通过利用真空泵138排尽反应腔室12且任选地使来自源容器116的吹扫气体流动而从反应腔室去运行时通过以下操作执行可渗透材料106的渗透：启动前体分布系统和去除系统以提供第列中的每个步骤之后进行吹扫循环以通过利用真空泵138排尽反应腔室12且任选地使来自源容器116的吹扫气体流动而从反应腔室去运行时通过以下操作执行可渗透材料106的渗透：启动前体分布系统和去除系统以提供第列中的每个步骤之后进行吹扫循环以通过利用真空泵138排尽反应腔