CN110885971A 薄膜沉积方法 （Asm Ip私人控股有限公司）

一种相对于包含图案结构的基板的薄膜沉2通过经设置在所述基板下方的组件供应射频功率，在通过所述活性物质的移动，在所述基板的暴露表面上2.根据权利要求1所述的薄膜沉积方法，还包括在所述反应空间中增大所述活性物质3.根据权利要求1所述的薄膜沉积方法，还包括在所述反应空间中降低所述活性物质其中所述活性物质至少朝向所述基板的暴露表5.根据权利要求2所述的薄膜沉积方法，还包括通过增大所述射频功率的强度来增加8.根据权利要求7所述的薄膜沉积方法，其中所述基板的第二部分与所述活性物质之其中在通过设置在所述基板下方的组件供应所述射频功率时，所述气体供应单元接11.根据权利要求10所述的薄膜沉积方法，其中所述基板的暴露表面通过所述第一等316.根据权利要求15所述的薄膜沉积方法，还包括至少在所述第一操作和所述第二操提供图案结构，所述图案结构具有上表面和下表面通过经设置在所述基板下方的组件供应射频功率，在暴4[0002]本申请要求于2018年9月11日在韩国知识产权局所提交的韩国专利申请No.10-[0005]等离子体增强原子层沉积(PEALD)具有沉积薄膜的优点，其可以在高温下被沉积在低温下的现有热原子层沉积。该优点可以通过以时间差顺序地引入反应气体或源气体、沟槽的图案结构)上沉积薄膜时，在直接暴露于等离子体的图案顶部上沉积的薄膜以及较[0008]一个或多个实施例包含在图案结构的台阶的侧壁部分和底部部分上沉积均匀膜[0009]附加的方面还将部分地在如下的描述中提出，并且部分地将5单元上可以生成第二等离子体自偏置电压，并且第一自偏置电压可以大于第二自偏置电[0024]薄膜沉积方法还可以包含至少在第一操作和第二操作之间进行吹扫(purge)操[0029]根据与所附附图相结合的实施例的如下描述，这些和/或其他方面将变得显而易[0033]图4示意性示出了根据本公开当RF功率供应到图案结构时正在朝向基板上的沟槽[0036]图7示出了当使用根据本公开的实施例的等离子体增强原子层沉积(PEALD)方法6个元件。成电介质膜的基质的主要结构的非金属(metalloid)或金属元素，并且用于沉积的反应物需通过气体供应单元而引入的气体)可以用于密封反应空间，并且可以包含诸如惰性气体7[0048]在本公开中未指定条件和/或结构的情况下，本领域普通技术人员可以根据本公[0050]图1示意性示出了根据本公开的实施例的薄膜沉积设备。作为本说明书中所描述[0051]参考图1，薄膜沉积设备可以包含分隔壁110、气体供应单元120、基板支撑单元[0053]气体供应单元120可以设置在基板支撑单元130上。气体供应单元120可以连接到[0054]可以在气体供应单元120中形成与气体供应通道150连通的气体流动通道170。气体流动通道170可以形成在气体供应单元120的气体通道125(上部部分)和气体供应单元8[0057]加热器310可以形成为穿透基板支撑单元130的至少部分。加热器310可以设置在元130上放置的基板的温度和/或反应空间的温度可以通过将加热器310加热而提高。加热[0058]RF电极320可以穿透基板支撑单元130的至少部分。RF电极320可以设置在基板下的形状。在替代的实施例中，连接到地的金属部分可以附加地设置在RF电极320和加热器[0061]通过由RF电极320供应RF功率，电位(例如负电位)可以形成在暴露于反应空间的单元生成的RF功率可以由RF电极320递送到反应空间内的基板，并且因此在反应空间中可320可以连接到第二杆420。RF遮蔽件430的至少部分可以设置在第一杆410和第二杆420之9[0065]RF遮蔽件430可以阻挡在通过第一杆410传输到加热器310的第一信号和通过第二[0066]尽管附图中未示出，但是薄膜沉积设备还可以包含配置为向加热器310供应电力[0069]图2示意性示出了根据本公开的实施例的薄膜沉积设备。根据实施例的薄膜沉积[0074]薄膜沉积设备还可以包含等离子体供应器P和接地G。等离子体供应器P可以包含量负载阻抗的RF传感器、在匹配电路中可变调节可变电抗器件的值(阻抗位置)的控制器、步进电机和冷却风扇。在另一个示例中，匹配器MC还可以包含生成磁偏置的阻塞电容器[0077]如图2所示，在本公开中，RF功率可以通过下电极而不是例如喷头的上电极来供[0078]图3示出了当RF功率施加到上电极UE(左侧)时和当RF功率施加到下电极LE(右侧)(例如气体供应单元)，因为诸如气体供应单元(例如喷头式组装件)的上电极UE中的Vdc大于诸如基板支撑单元的下电极LE中的Vdc，离子和自由基可以在与朝着基板的方向相反的方向上加速。可以使用如上所描述地移动的离子和/或自由基来进行通常等离子体沉积工[0085]图4示意性示出了根据本公开当RF功率供应给图案结构时朝向基板上的沟槽结构在包含具有高纵横比(aspectratio)的沟槽或凹陷的[0089]图5示意性示出了根据本公开的实施例的薄膜沉积方法。可以使用根据如上所描[0097]在另一个替代的实施例中，可以进行降低反应空间中活性物与第一材料不同的第二材料的第二操作。用于本公开中的活性物质可以是由第一材料和/结构的顶部上的残余膜A与图案结构沟槽的侧和底部上的残余膜B的共形度不是恒定(A≠上形成的膜的湿法蚀刻率(WER)可能大于[0105]图7示出了当使用根据本公开的实施例的等离子体增强原子层沉积(PEALD)方法平坦的基板上进行了该实验。Si前驱体是双二乙基氨基硅烷(Bisdiethylaminosilane，[0107]图8示意性示出了根据本公开的实施例的薄膜沉积方法。根据实施例的薄膜沉积体)供应到反应空间中，以使得第一材料化学吸附到图案结构上。在从t1到t2的时间段期3)33)23)23)23NEt2含O3[0117]表2比较了根据相关技术的上部等离子体应用方法和根据本公开的下部等离子体基板加速且可以在沟槽的内表面上沉积具有改善[0118]图9示意性示出了根据本公开的实施例的薄膜沉积方法。根据实施例的薄膜沉积作为电力杆的第一杆410从电源单元710接收电流。加热器310的一侧可以连接到热电偶450。温度控制单元720可以将由热电偶450测得的加热器310的实际温度与设定温度相比[0120]如上文所描述，RF遮蔽件430可以被安装在基板支撑单元130上或薄膜沉积设备可以配置为通过由等离子体生成单元所生成的具有低于RF功率的频率的频带的信号。例频带的信号。串扰可能使得由等离子体生成单元所生成的60MHz或更高的RF功率信号递送给与电源单元710连接的通道(例如在第一杆410和电源单元710之间的连接线)。在这种情[0122]相似地，电连接到热电偶450的第二低通滤波器LPF2可以配置为在递送给温度控度控制单元720可以从热电偶450接收温度信息信号，从该温度信息信号中移除RF功率分器LPF1和第二低通滤波器LPF2可以极320上形成的偏置(诸如由等离子体生成单元所形成的朝向基板支撑单元130的偏置)可或集成式连接。上部固定单元8和下部固定单元9可以插入到基板支撑单元的上部部分1和[0126]如图11和图12中所示，多个通孔可以形成在形成的上部固定单元8和下部固定单[0128]RF杆420’的下端的位置可以由第二绝缘构件10和接触第二绝缘构件10的接地支伸的第一部分以及在与第二杆的延伸方向不同的方向上延伸的第二部分。在这种情况下，430的内直径和第二杆420的直径之间的差值还可以等于接地支架11的第一部分的厚度和过上部和下部固定单元8和9中所提供的通孔。热电偶可以连接在加热器310和温度控制单[0135]尽管已经参考附图描述一个或多个实施例，但是本领域普通技术人员将理解的