CN112242419B 显示设备、用于制造其的设备及制造其的方法 （三星显示有限公司）

US2016322595A1,2016.法2多个第三像素，在所述多个第三像素区域中，多个第四像素，在所述多个第四像素区域中，其中，所述第三对电极连接到所述第一对电极或所述第二对电其中，在每个第四像素区域中的所述第四对电极在同所述水述第一像素区域和所述第二像素区域所限定示区域和所述第三显示区域中的至少一者提供的图像所述主对电极布置在所述第三显示区域的整个所述主对电极连接到所述第二显示区域中的所述3多个第三像素，在所述多个第三像素区域中，多个第四像素，在所述多个第四像素区域中，组件，在所述基底的表面上以便与所述第一显示区域对应其中，所述第三对电极连接到所述第一对电极或所述第二对电其中，在每个第四像素区域中的所述第四对电极在同所述水所述第二显示区域的透光率和所述第三显示区域的透光率小于所述第一显示区域的通过使用穿过所述第一掩模组件来自沉积源的沉积材料，在所述基底的通过使用穿过所述第一掩模组件来自所述沉积源的所述沉积材料，在用第二掩模组件替换所述第一掩模组件并且将所述沉积材料从所述沉积源供应到其中，所述多个第三对电极中的每个将所述第一对电极和4其中，所述多个第四对电极中的每个第四对电极在同所述水17.根据权利要求14所述的方法，其中，在所述第一对电极和所述第二对电极中的一所述第二透射区域和所述第三透射区域具有彼此不显示区域的所述透光率且大于所述第三显示区5[0001]本申请要求于2019年7月16日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0085820号韩[0002]本公开的一些示例实施例的方面涉及一种显示设备及一种制造该显示设备的方6示区域的透光率和第三显示区域的透光率可以小的第二开口以及布置在与掩模片中的第一开口和第二开口不同的部分中的第三开口，其7组件布置在腔室中；通过使用已经从沉积源供应并且已经穿过第一掩模组件的沉积材料，在基底的第一显示区域中形成第一对电极；改变基底和第一掩模组件中的至少一者的位8[0045]图11和图12是沿着图9的线B-B'截取的用于示出根据一些示例实施例的显示面板9[0069]如下面将参照图2更详细地描述的，第一显示区域DA1和第二显示区域DA2中的至以包括任何合适数量的子显示区域)的显示区域DA。子显示区域中的一个或更多个可以是可以是可以通过像素在其处显示图像的区域，但是也可以是一个或更多个组件(诸如传感[0071]第一显示区域DA1可以包括第一透射区域TA1，光和/或声音可以穿过第一透射区[0072]第一显示区域DA1的透光率可以与第二显示区域DA2的透光率和第三显示区域DA3可以等于第一显示区域DA1的透光率与第三显示区域DA3的透光率之显示区域DA1提供的图像是具有比从第二显示区域DA2和第三显示区域DA3中的至少一者提小于在第二显示区域DA2中每单位面积布置的连接像素PXc的数量或在第三显示区域DA3中面积布置的辅助像素PXa的数量可以小于在第二显示区域DA2中每单位面积布置的连接像在第二显示区域DA2中每单位面积布置的连接像素PXc的数量可以小于在第三显示区域DA3[0075]参照图1，第一显示区域DA1在矩形形状的第二显示区域DA2的一侧处，但不限于[0078]显示面板10可以包括基底100、基底100上的显示元件层200以及作为用于密封显有机发光二极管OLED以及在薄膜晶体管TFT与有机发光二极管OLE[0081]在第三显示区域DA3中，布置均包括薄膜晶体管TFT和连接到薄膜晶体管TFT的有括薄膜晶体管TFT和连接到薄膜晶体管TFT的有机发光二极管OLED的辅助像素PXa，并且可区域TA1可以被理解为从组件20发射的光/信号或入射到组件20的光/信号透射穿过其的区域。类似于第一显示区域DA1，第二透射区域TA2和第三透射区域TA3可以在第二显示区域一显示区域DA1的透光率。下保护膜175可以包括聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或聚酰亚胺出了第一显示区域DA1具有与开口175OP的面积相等的面积，但是下保护膜175中的开口迟器或者滤色器和黑矩阵的抗反射构件、透明窗等的组件可以进一步布置在显示面板10封装基底可以被用作用于封装显示元件层2[0090]图3是根据一些示例实施例的显示面板10的平面图。图4是示出图3的第一显示区的第三显示区域DA3以及包括第一透射区域TA1并显示辅助图像的[0092]多个主像素PXm在第三显示区域DA3中。多个连接像素PXc在第二显示区域DA2主像素PXm中的每个和连接像素PXc中的每个可以包括诸如有机发光二极管OLED的显示元件。主像素PXm中的每个和连接像素PXc中的每个可以经由有机发光二极管OLED发射光(例[0093]第一显示区域DA1可以在第二显示区域DA2的一侧处，多个辅助像素PXa在第一显[0094]因为第一显示区域DA1包括第一透射区域TA1，所以第一显示区域DA1的分辨率可DA1的分辨率可以是第二显示区域DA2和第三显示区域DA3中的至少一者的分辨率的一半。在一些实施例中，第二显示区域DA2和第三显示区域DA3中的至少一者的分辨率可以是[0096]第一显示区域DA1可以包括辅助像素区域PA1和第一透射区域TA1，辅助像素区域PA1包括至少一个辅助像素PXa。辅助像素区域PA1和第一透射区域TA1在第一方向DR1和第[0097]辅助像素区域PA1可以包括发射红光的辅助像素Pr、发射绿光的辅助像素Pg和发助像素PXa的数量可以根据第一显示区域DA1的分连接像素PXc中的像素电路和辅助像素PXa中的像素电路可以[0099]第一透射区域TA1可以不包括辅助像素PXa。不包括辅助像素PXa可以表示辅助像域TA1不包括有机发光二极管OLED的像素电极、中间层和对电极以及电连接到有机发光二极管OLED的像素电路。连接以向辅助像素区域PA1中的辅助像素PXa供应信号的信号线PL、[0103]第一扫描驱动电路110可以经由扫描线SL向主像素PXm、连接像素PXc和辅助像素接像素PXc和辅助像素PXa中的每个提供发射控制信号。第二扫描驱动电路120可以与第一扫描驱动电路110平行地布置且在第二扫描驱动电路120与第一扫描驱动电路110之间布置且可以电连接到印刷电路板PCB。印刷电路板PCB的端子PCB-P可以电连接到显示面板10的控制信号可以经由印刷电路板PCB分别传送到第一扫描驱动电路110和第二扫描驱动电路170提供第一电力电压ELVDD和第二电力电压(或共电压)ELVSS(见图5和图6)。第一电力电到端子140的连接线151和连接到连接线151的数据线DL提供到主像素PXm、连接像素PXc和[0106]第一电源线160可以包括第一子线162和第二子线163，第一子线162和第二子线线SL和数据线DL的像素电路PC以及连接到像素电路PC的有机发光二T2连接到扫描线SL和数据线DL并且根据通过扫描线SL输入的扫描信号Sn将通过数据线DL[0110]存储电容器Cst连接到开关TFTT2和驱动电压线PL，并且存储同从开关TFTT2传送的电压与供应到驱动电压线PL的第一电力电压ELVDD(或驱动电压)之间的差对应的电[0111]驱动TFTT1连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以响应于存储在存储电容器Cst中的电压值来控制从驱动电压线PL流到有机发光二极管OLED的驱动电流。有机接到像素电路PC的有机发光二极管OLED。像素电路PC可以包括存储电容器Cst和多个TFT。动电压线PL将驱动电压ELVDD传送到驱动TFTT1，初始化电压线VL传送用于使驱动TFTT1通并且执行将通过数据线DL传送的数据信号Dm传送到驱动TFTT1的驱动源电极S1的开关驱动TFTT1的驱动漏电极D1并且同时经由发射控制TFTT6连接到有机发光二极管OLED的接收的扫描信号Sn而导通，以将驱动TFTT1的驱动栅电极G1和驱动漏电极D1彼此电连接，[0119]第一初始化TFTT4的第一初始化栅电极G4连接到前一扫描线SL-1，第一初始化TFTT4的第一初始化源电极S4连接到第二初始化TFTT7的第二初始化漏电极D7和初始化电压线VL，并且第一初始化TFTT4的第一初始化漏电极D4连接到存储电容器Cst的下电极通过前一扫描线SL-1传送的前一扫描信号Sn-1而导通，以将初始化电压Vint传送到驱动动TFTT1的驱动源电极S1和开关TFTT2的开关射控制TFTT6的发射控制漏电极D6电连接到第二初始化TFTT7的第二初始化源电极S7和[0122]操作控制TFTT5和发射控制TFTT6根据通过发射控制线EL传送的发射控制信号En而同时导通，以将驱动电压ELVDD传送到有机发光二极管OLED并允许驱动电流IOLED在有[0123]第二初始化TFTT7的第二初始化栅电极G7连接到前一扫描线SL-1，第二初始化TFTT7的第二初始化源电极S7连接到发射控制TFTT6的发射控制漏电极D6和有机发光二极管OLED的像素电极，并且第二初始化TFTT7的第二初始化漏电极D7连接到第一初始化[0124]图6示出了其中第一初始化薄膜晶体管T4和第二初始化薄膜晶体管T7连接到前一[0127]图7是根据一些示例实施例的像素中的像素电路[0129]半导体层1130布置在其上布置有包括无机绝缘材料的缓冲层的基底100上。根据迁移率(100cm2/Vs或更大)，所以多晶硅材料由于其低能量消耗和优异的可靠性而可以被个TFT中的一些TFT中的半导体层可以包括LTPS，并且一些其它TFT中的半导体层可以包括TFTT6和第二初始化TFTT7的半导体层1130彼此连接并且以[0132]驱动TFTT1包括与驱动沟道区叠置的驱动栅电极G1以及在驱动沟道区的相对侧处的驱动源电极S1和驱动漏电极D1。与驱动栅电极G1叠置的驱动沟道区具有弯曲形状(例[0133]开关TFTT2包括与开关沟道区叠置的开关栅电极G2以及在开关沟道区的相对侧[0134]补偿TFTT3是双TFT，其包括分别与两个补偿沟道区叠置的补偿栅电极G3以及在描述的节点连接线1174连接到驱动TFTT1的驱[0135]第一初始化TFTT4是双TFT，其包括分别与两个第一初始化沟道区叠置的第一初始化栅电极G4以及在两个第一初始化沟道区的相对侧处的第一初始化源电极S4和第一初[0136]操作控制TFTT5可以包括与操作控制沟道区叠置的操作控制栅电极G5以及在操[0137]发射控制TFTT6可以包括与发射控制沟道区叠置的发射控制栅电极G6以及在发[0138]第二初始化TFTT7可以包括与第二初始化沟道区叠置的第二初始化栅电极G7以及在第二初始化栅电极G7的相对侧处的第二初始化源电极S7和第二[0141]扫描线SL可以在第一方向DR1上延伸。扫描线SL中的一些区域可以与开关栅电极[0142]前一扫描线SL-1沿着第一方向DR1延伸，前一扫描线SL-1的一些区域可以与第一T4和第二初始化TFTT7的沟道区叠置的区域可以分别是第一初始化栅电极G4和第二初始[0143]发射控制线EL沿着第一方向DR1延伸。发射控制线EL中的一些区域可以与操作控控制TFTT6的沟道区叠置的区域可以分别是操作控制栅电极G5和发射控[0146]电极电压线HL可以在第一方向DR1上延伸以与数据线DL和驱动电压线PL相交。电的一部分可以变为存储电容器Cst的上电极[0148]驱动电压线PL沿着第二方向DR2延伸，并且电连接到驱动电压线PL的电极电压线[0150]数据线DL在第二方向DR2上延伸，并且可以经由接触孔1154连接到开关TFTT2的线PL可以经由接触孔1155连接到操作[0152]初始化连接线1173的一端经由接触孔1152连接到第一初始化TFTT4和第二初始[0153]节点连接线1174的一端可以经由接触孔1156连接到补偿漏电极D3，节点连接线[0155]初始化电压线VL在第一方向DR1上延伸。初始化电压线VL可以经由初始化连接线1173连接到第一初始化TFTT4和第二初始化TFTT7。初始化电压线VL可以具有恒定电压[0156]初始化电压线VL布置在与有机发光二极管OLED的像素电极210(见图8)的层相同[0158]在下文中，将参照图8描述包括在根据一些示例实施例的显示面板10中的组件的[0161]栅电极G1和G6分别布置在半导体层A1和A6上，且第一栅极绝缘层112布置在栅电氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O5[0164]存储电容器Cst的下电极CE1可以与驱动TFTT1的驱动栅电极G1一体地设置。例结构或多层结构。作为示例，上电极CE2可以具有包括Mo的单层或包括Mo/Al/Mo的多层结[0168]层间绝缘层115可以设置为覆盖上电极CE2。层间绝缘层115可以包括诸如氧化硅(SiO2x[0169]数据线DL、驱动电压线PL和连接金属1175可以布置在层间绝缘层115上。数据线[0170]存储电容器Cst的上电极CE2可以经由限定在层间绝缘层115中的接触孔CNT连接[0171]连接金属1175经由穿透层间绝缘层115、第二栅极绝缘层113和第一栅极绝缘层112的接触孔1153连接到发射控制TFTT6的半导体层A6。发射控制TFTT6可以经由连接金[0173]平坦化层117可以具有平坦的上表面以使像素电极210平坦。平坦化层117可以包丁烯(BCB)、聚酰亚胺、六甲基二硅氧烷(HMDSO)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯[0176]有机发光二极管OLED的中间层220可以包括有机发光层。有机发光层可以包括包层(ETL)和电子注入层(EIL)的功能层可以选择性地布置在有机发光层下面和有机发光层2O3的透明导电氧化物(TCO)可以进[0178]当像素电极210是反射电极并且对电极230是透射电极时，从中间层220发射的光一透射区域TA1，所以对电极230可以不部分地包括在与第一透射区域TA1对应的一些区域[0180]为此，第一显示区域DA1中的对电极230可以被图案化以与每个辅助像素区域PA1对应。可以通过激光剥离工艺或通过精细金属掩模(FMM)图案化工艺通过部分地去除与第一透射区域TA1对应的区域来形成第一显示区域DA1中的对电极230。在下文中，将假定的显示区域DA2包括连接像素PXc定位在其中的连接像素区域、第二透射区域TA2和第三透射[0182]为此，第二显示区域DA2中的对电极230可以被图案化以与每个连接像素区域对在第二像素区域PA1-2中。第一对电极230a可以与第一像素区域PA1-1对应，第二对电极线SL例如可以具有围绕第一透射区域TA1的边缘成为拱形的拱形部分，以便提高第一透射[0189]第一像素区域PA1-1中的多个第一像素PXa1可以包括相对于一个第一像素区域[0190]第二像素区域PA1-2中的多个第二像素PXa2可以包括相对于一个第二像素区域像素区域PA1-1和第二像素区域PA1-2可以交替地布置在与第一方向DR1和第二方向DR2交[0192]第一对电极230a和第二对电极230b可以分别与第一像素区域PA1-1和第二像素区相邻的第二像素区域PA1-2之间存在第一对电极230a和第二对电极230b在其处彼此接触的此连接，所以可以防止第一显示区域DA1中的第一对电极230a和第二对电极230b的电阻增[0194]图11和图12是沿着图9的线B-B'截取的用于示出根据一些示例实施例的显示面板[0196]在第一像素电极210a和第二像素电极210b上设置具有暴露第一像素电极210a的中心部分和第二像素电极210b的中心部分的开口的像素限定层119。在第一像素电极210a的暴露部分上设置第一中间层220a，在第二像素电极210b的暴露部分上设置第二中间层二中间层220b包括与上面参照图8描述的中间层220的材100中的至少一者移动到与初始位置不同的位置，然后可以在基底100上形成第二对电极一掩模片422A的第一开口422A-1的沉积材料沉积在基底100上时，可以形成第一对电极二开口OP2中，第一开口OP1和第二开口OP2分别暴露第一像素电极210a的中心部分和第二第一接触区域CTA1与第一像素PXa1和第二像素PXa2的发光区域叠置，这降低了第一像素区域TA1可以被定义为其中基底100上的一些层被去[0205]参照图14至图16，第一显示区域DA1可以包括如上面描述的第一像素区域PA1-1、[0207]在上面的情况下，第三对电极230c和第四对电极230d可以具有彼此不同的形例如，第三对电极230c可以具有与第一对电极230a或第二对电极230b的形状相同的形状，[0208]第三显示区域DA3可以包括主像素区域PA3并且主对电极230e可以在主像素区域的每个和第四对电极230d中的每个可以在图14的Y方向上布有T形状以连接到主对电极230e。也就是说，第四对电极230d的一部分可以朝向主对电极[0215]第二透射区域TA2可以定位在第一对电极230a和第二对电极230b中的一者、第三[0216]第三透射区域TA3可以布置在第一对电极230a和第二对电极230b中的一者、第三素PXc1布置在第三像素区域PA2-1中，一个或更多个第四像素PXc2可以布置在第四像素区17的第一掩模组件420A的透视图。图19是示出图17的第一掩模片422A的一部分的平面图。[0224]第一开口422A-1可以具有与第一像素区域PA1-1或第二像素区域PA1-2的形状对况下，已经穿过第一开口422A-1的沉积材料沉积在基底100上以形成第一对电极230a或第开，因此已经穿过第一开口422A-1中的每个的沉积材料可以在沉积在基底100上之后不连基底100的第一显示区域DA1对应，第二区域AR1-2可以与基底100的第二显示区域DA2和第组件420A在第一显示区域DA1中形成第一对电极230a和第二对电极230b之后，可以利用第口422B-2并且沉积在基底100上的沉积材[0230]第四开口422B-3可以连接到第三开口422B-2。第二掩模片422B的在第四开口[0231]第二开口422B-1至第四开口422B-3可以在第二掩模片422B的第四区域AR2-2中，二掩模片422B的第三区域AR2-1中，第三区域AR2-1与第一掩模片422A的第一区域AR1-1对于第一支撑件430，第二支撑件440可以调节第一掩模组件420A或第二掩模组件420B的位[0234]沉积源450可以在容纳沉积材料之后使沉积材料蒸发或升华以将沉积材料供应到[0235]磁力产生器460在腔室410中以允许基底100与第一掩模组件420A或者基底100与[0236]视觉部分470在腔室410中以拍摄第一掩模组件420A和基底100的位置或者第二掩件420B和基底100中的至少一者的对包括连接到腔室410的连接管481和设置在连接备的设备400可以根据下面将描述的一个或更多个实施例以及上面描述的实施例来制造显[0239]详细地，可以在腔室410中布置其上形成绝缘层的基底100和第一掩模组件420[0240]在将基底100和第一掩模组件420A分别安装在第一支撑件430和第二支撑件440上[0241]当沉积源450操作并供应沉积材料时，沉积材料可以穿过第一掩模片422A的第一口422A-1的沉积材料可以形成如上面描述的第一对电极230a或第二对电极230b。在下文[0243]当完成上面的工艺时，可以改变基底100和第一掩模组件420A中的至少一者的位述其中改变基底100的位置而固定第一掩模组件420A的一开口422A-1并且可以沉积在基底100上。已经穿过第一开口422A-1的沉积材料可以沉积后可以经由压强调节器480将腔室410的内部压对电极230c的上表面上布置第一对电极230a和第二对电极230第二开口422B-1与第三开口422B-2之间的第一宽度W1足够小，使得基底100上的第三对电极230c和第四对电极230d可以彼此叠置以[0255]为了形成主对电极230e，第二掩模片422B可以包括彼此间隔开的第四开口422B-[0256]在上面的