CN112242455B 一种范德瓦尔斯非对称势垒结构的红外探测器及制备方法 （中国科学院上海技术物理研究所）_第1页
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一种范德瓦尔斯非对称势垒结构的红外探本发明公开了一种范德瓦尔斯非对称势垒成了垂直结构的范德瓦尔斯单载流子红外光电中波红外的室温黑体探测、偏振探测和红外成22所述的漏极（6）为Cr和Au电极，Cr在黑磷层上厚度为15纳米，Au在Cr上厚度为75纳2.一种制备如权利要求1所述的一种范德瓦尔斯非对称势垒结构的红外探测器制备2）通过机械剥离的方法从二硫化钼体材料上剥离二硫化钼层（4并通过微区定点转3）通过机械剥离的方法从黑磷体材料上剥离黑磷层（7并通过微区定点转移的方法3测器实现在高温下工作。单载流子光电探测器的阻挡层需要严格考虑能带匹配和晶格匹[0003]为了解决上述问题，我们使用二维材料构造了非对称势垒结构的红外光电探测[0007]本发明指一种范德瓦尔斯非对称势垒结构的红外探测器及制备方法，其特征在4[0019]其中金属源极5为Cr和Au电极，Cr在石墨烯层上[0020]其中漏极6为Cr和Au电极，Cr在黑磷层上厚度约为15[0028]本发明专利的优点在于：本发明基于垂直结构的范德瓦5[0042]通过机械剥离的方法依次剥离出石墨烯层、二硫化钼层SiO26[0048]7.图3是红外探测器在不同[0049]8.图4是红外探测器探测在900℃黑体和2微米激光下的响应时间。上升沿的时间[0051]10.图6是红外探测器的室温78

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