CN112436012B 存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法 （美光科技公司）

US2010109071A1,2010.05.06US9972641B1,2018.05.15存储器阵列和用于形成包括存储器单元串本申请涉及存储器阵列和用于形成包括存器单元串的存储器阵列包括个别地包括竖直堆间材料在横向上处于横向紧邻的所述存储器块料包括其中个别地具有竖直伸长接缝的纵向交2横向间隔开的存储器块，其个别地包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括居间材料，其在横向上处于横向紧邻的所述存竖直伸长接缝在所述第一区域中比在所述第其中所述第一区域和所述第二区域中的所述竖直伸长接缝个别地包括至少一个空隙其中所述第一区域和所述第二区域中的所述竖直伸长接缝个别地包括多个竖直间隔2.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述竖直伸长接缝在所述第一区域中具有3.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述第一区域和所述第二区域中的所述竖4.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述居间材料包括横向最外绝缘材料和具6.根据权利要求1所述的存储器阵列，其中所述居间材料在横向紧邻的所述存储器块横向间隔开的存储器块，其个别地包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括居间材料，其在横向上处于横向紧邻的所述存竖直伸长接缝在所述第一区域中具有比在所述第二区其中所述第一区域和所述第二区域中的所述竖直伸长接缝个别地包括至少一个空隙其中所述第一区域和所述第二区域中的所述竖直伸长接缝个别地包括多个竖直间隔8.根据权利要求7所述的存储器阵列，其中所述第一区域和所述第二区域中的所述竖横向间隔开的存储器块，其个别地包括竖直堆叠，所述竖直堆叠包括在所述堆叠顶上的绝缘桥接件，其横向上在横向紧邻的居间材料，其在横向上处于横向紧邻的所述存3其中所述竖直伸长接缝在纵向上在所述桥接件之间比在所12.根据权利要求11所述的存储器阵列，其中所述绝缘桥接件材料包括碳掺杂的氮化13.根据权利要求11所述的存储器阵列，其中所述桥接件的所有材料都在所述竖直堆14.根据权利要求11所述的存储器阵列，其中所述桥接件的一些材料在所述竖直堆叠述桥接件中的个别桥接件的至少一些绝缘材料具有与所述绝缘居间材料中的所述至少一述桥接件中的个别桥接件的至少一些绝缘材料具有与所述绝缘居间材料中的所述至少一18.根据权利要求17所述的存储器阵列，其中所述桥接件中的个别桥接件的仅一些绝缘材料具有与所述绝缘居间材料中的所述至少一些的成分不同20.根据权利要求9所述的存储器阵列，其中所21.根据权利要求9所述的存储器阵列，其22.根据权利要求21所述的存储器阵列，其中所述竖直伸长接缝在纵向上在所述桥接在所述堆叠中形成水平伸长的沟槽以形成横向间隔开的在所述堆叠和所述牺牲材料上方形成桥接件，所述桥接件横向4器块区域中的个别存储器块区域的顶上且横向延伸遍及所述存储器块区域中的个别存储26.根据权利要求23所述的方法，其包括形成所述牺牲材料以具有与所述堆叠的顶部27.根据权利要求23所述的方法，其包括形成所述牺牲材料以具有低于所述堆叠的顶28.根据权利要求23所述的方法，其包括使所述牺牲材料和所述堆叠形成为个别地具29.根据权利要求28所述的方法，其包括使所述牺牲材料和所述堆叠的所述顶部表面30.根据权利要求23所述的方法，其中所述桥接件的材料直接抵靠所述堆叠的顶部绝缘第二层的绝缘材料且具有与所述绝缘材料相同31.根据权利要求23所述的方法，其中所述桥接件的材料具有与所述竖直交替的第一36.根据权利要求23所述的方法，其包括形成37.根据权利要求23所述的方法，其包括形成所述存储器单元串的个别存储器单元以极区以及在横向上处于所述栅极区与所述个别第一层中的所述操作性沟道材料串的所述38.根据权利要求23所述的方法，其包括形成所述存储器单元串的个别存储器单元以极区以及在横向上处于所述栅极区与所述个别第一层中的所述操作性沟道材料串的所述在所述堆叠中形成水平伸长的沟槽以形成横向间隔开的在所述堆叠和所述第二牺牲材料上方形成桥接件，所述桥接件述存储器块区域之间且沿着所述存储器块区域纵向间隔开地跨相对于所述桥接件和所述第二层选择性地各向同性蚀刻掉所述5将所述第一层中的所述第一牺牲材料各向同性蚀刻掉且替换为个别导电线的导电材在所述沟槽中在横向紧邻的所述存储器块区域之间的所述桥接件正下方且纵向上在40.根据权利要求39所述的方法，其中所述第一和第二牺牲材料相对于彼此具有不同41.根据权利要求39所述的方法，其中所述第一和第二牺牲材料相对于彼此具有相同42.根据权利要求39所述的方法，其中还相对于所述第一层选择性地进行所述相对于所述桥接件和所述第二层选择性地各向同性蚀刻掉所述第二牺6[0001]本文中所公开的实施例涉及存储器阵列以及用于形成包括存储器单元串的存储也可称作字线)对存储器单元进行写入或从中进行读取。感测线可使存储器单元沿着阵列半导电沟道区的一对导电源极/漏极区。导电栅极邻近于沟道区且通过薄的栅极绝缘体与沟道区分离。向栅极施加合适的电压允许电流通过沟道区从源极/漏极区中的一者流动到7接件，其横向上在横向紧邻的所述存储器块之间且沿着所述存储器块纵向间隔开地延伸；[0011]本申请的又一实施例提供一种用于形成包括存储器单元[0012]本申请的又一实施例提供一种用于形成包括存储器单元在横向紧邻的所述存储器块区域之间的所述桥接件正下方且纵向上在所述桥接件之间形8[0013]图1是根据本发明的实施例的在处理中的衬底的一部分的概略横截面图，且穿过[0019]图1和2展示构造10，其具有其中将形成晶体管和/或存储器单元的竖向延伸串的电/半导体/半传导或绝缘的/绝缘体/绝缘(即，本文中为电性地)材料中的任何一或多种。控制电路系统和/或其它外围电路系统，且所述电路系统可以或可以不完全或部分地在阵阵列12内形成的晶体管和/或存储器单元的读取和写入存取的控制电路系统(例如外围阵统的导电材料和绝缘材料的多个竖直交替层可在最低的导电层22之下和/或在最上面的导层)可能不包括导电材料，且绝缘层20(替代地称为第二层)可能不包括绝缘材料或可能在9包括可完全或部分牺牲的第一材料26(例如氮化硅)。实例绝缘层20包括第二材料24(例如二氧化硅)，所述第二材料的成分与第一材料26的成分不同且所述第二材料可完全或部分实施例中，沟道开口25可如所展示部分进入导体层16的导电材料17，或可止于顶部(未展示)可在导体层16的导电材料17内或顶上，以在有此类期望时有助于相对于导体层16停止储器单元可包括栅极区(例如控制栅极区)和横向处于栅极区与沟道材料之间的存储器结化硅]的带隙工程化的结构)横向处于沟道材料与存如存储器单元材料)可通过例如在堆叠18上方和个别沟道开口25内沉积所述晶体管材料的含适当掺杂的晶体半导体材料，例如一或多种硅、锗和所谓III/V族半导体材料(例如，心部分可包含空隙空间(未展示)和/或不含实心材料(未展示)。在沟道材料串53顶上可形31以使沟槽40过度填充，然后将此类背部至少平坦化到最上面的绝缘层20的顶部表面21。26)不同的成分(无论是否直接抵靠堆叠18的顶部绝缘层20)，其中一种实例材料是碳掺杂选择性地且在如所展示的一个实施例中相对于导电层22选择性地各向同性地刻蚀掉来移地通过空间42各向同性地蚀刻掉来移除了导电层[0030]可在形成导电材料48之前形成薄的绝缘衬里(例如Al2O3且未展示)中晶体管和/或存储器单元56在所描绘的实例中基本上是环状或环形的。替代地，晶体管和/或存储器单元56可相对于个别沟道开口25不完全环绕，使得每一沟道开口25可具有两具有对应于个别晶体管和/或存储器单元56的控制栅极区52的末端50(图18)。在描绘的实缘体材料30。作为另外的实例，电荷阻挡区可包括存储材料(例如材料32)的横向(例如径料的交接处可足以在不存在任何单独成分绝缘体材料30的情况下充当电荷阻挡区。此外，与横向最外绝缘材料的成分不同的成分的横向内部材料(例如未掺杂的多晶硅且未展示)。[0034]参考图25到27展示和描述替代实例方法和所得构造10b。已在适当时使用来自上57b经形成以包括横向外部材料67和具有与横向外部材料67的成分不同的成分的横向内部[0035]在其中桥接件39具隔绝/绝缘的一个实施例中，其中至少一些绝缘材料具有与居使用本文相对于其它实施例所展示和/或所描述的任何其储器阵列的成品构造中仍跨沟槽延伸。可使用本文相对于其它实施例所展示和/或所描述[0040]本发明的实施例包含存储器阵列(例如12)，其包括存储器单元(例如56)的串(例在所述第一区域中比在所述第二区域中长。可使用本文相对于其它实施例所展示和/或所一区域中具有比在第二区域中高的顶部。可使用本文相对于其它实施例所展示和/或所描上方或作为底层的基底衬底的部分的此类组件的单个堆叠或单个叠组或在所述单个堆叠或单个叠组内(但所述单个堆叠/叠组可具有多个的控制和/或其它外围电路系统还可作为成品构造的部分形成于任何位置，且在一些实施制造于途中展示或上文描述的堆叠/叠组上方和/或下方。此外组件的阵列在不同堆叠/叠组中可相对于彼此相同或不同，且不同堆叠/叠组可相对于彼此具有相同的厚度或不同厚[0045]上文所论述的组合件和结构可用于集成电路/电路系统中且可并入于电子系统道长度的取向，在操作中电流在源极/漏极区之间沿着所陈述区域/材料/组件上方的所陈述区域/材料/组件的某一部分在另一所陈述区域/材述区域/材料/组件的某一部分在另一所陈述区域/材料/组件的竖向内侧(即，与两个所陈彼此直接抵靠的那些部分在化学上和/或在物理上不同，例如在此类材料或区域不均匀的[0052]本文中的导电/导体/传导材料中的任一者的成分可以是金属材料和/或导电掺杂合物或合金以及任何一或多种导电金属化合物中的地形成的任何使用是以至少2:1的体积比率使一种材料相对于另一种或多种所陈述材料沉的沟槽形成于所述堆叠中以形成横向间隔开的存储器块区域。第二牺牲材料形成于沟槽