CN112447930B 显示设备及制造该显示设备的方法 （三星显示有限公司）

提供了一种显示设备及制造该显示设备的覆盖多个像素中的每个像素的第一电极的至少置在多个第一孔中的每个第一孔的底表面上并一孔包括穿过第二平坦化层和像素限定层的开2像素限定层，设置在所述第二平坦化层上，并且第一蚀刻防止层，设置在所述多个第一孔中的每个其中，所述多个像素中的每个像素包括设置在所述第一电极所述中间层和所述第二电极设置在所述多个第一孔中的每个第一孔的所述底表面上，在所述像素限定层与所述第二平坦化层之间的边界表面处，形在所述像素限定层与所述第二平坦化层之间的边界表面处，形的所述开口的第一宽度和形成在所述第二平坦第一平坦化层，从所述显示区域延伸到所述非显示区域中，第二平坦化层，从所述显示区域延伸到所述非显示区域中，并像素限定层，覆盖所述第一电极的至少一个边缘，从所述3所述中间层和所述第二电极延伸到所述非显示区域中，并且设置在所述所述第一无机封装层延伸到所述非显示区域中，并且覆盖所述多个孔中所述多个孔中的每个孔的整体被所述有机封装第一坝部和第二坝部，均包括至少一个层，所述至少一个层所述第一无机封装层从所述多个孔延伸并覆盖所述第一坝部和所述第二坝部所述多个像素中的每个像素包括第一电极、第二电极和中间层，所述所述显示设备包括薄膜封装层，所述薄膜封装层封装所述显示区域所述中间层和所述第二电极形成在所述第一蚀刻防止层的顶表面以及所述像素限定所述第一无机封装层覆盖所述多个第一孔中的每个第一孔的内部的所述第二电极的所述多个第一孔是使用所述阻挡层作为蚀刻掩模来通过干法刻蚀所述第二平坦化层在所述显示区域外部的非显示区域中形成穿过所述第二平坦化层和所述像素限定层4在所述多个第二孔中的每个第二孔的底表面上且在所述第一平坦化层上形成第二蚀其中，所述第一平坦化层、所述第二平坦化层和所述像素限所述多个第一孔是通过用激光照射与所述第一蚀刻防止层对应的位5[0001]本申请要求于2019年9月4日在韩国知识产权局提交的第10_2019_0109576号韩国[0005]在形成薄膜封装层之后的后续工艺中会发生其中薄膜封装层从显示设备的背板[0006]示例性实施例包括可以减少其中薄膜封装层从背板剥离的缺陷的显示设备及制素限定层中的开口的第一宽度比形成在第二平[0010]在示例性实施例中，显示设备还包括设置在第二蚀刻防止层上的第三蚀刻防止6管以及设置在第一平坦化层与第二平坦化层之间并且将薄膜晶体管连接到第一电极的连[0019]在示例性实施例中，显示设备还包括设置在显示区域外部的第一坝部和第二坝限定层的开口。显示设备还包括设置在第一平坦化层上且在多个孔下的第一蚀刻防止层。7第一孔中的每个第一孔的内部的第二电极的整体和多个第一孔中的每个第一孔的内表面8[0038]图5A至图5H是示意性地示出根据示例性实施例的形成图4的区域A中的第一孔的[0042]图9A至图9E是示意性地示出根据示例性实施例的形成图8的第一孔的制造工艺的[0044]图11A至图11D是示意性地示出根据示例性实施例的形成图10的第二孔的工艺的9测量系统的限制)，在由本领域普通技术人员所确定的特定值的可接受的偏差范围内。例但是如本领域普通技术人员将理解的是参数可以是测量误差内的精确特定值或近似特定[0054]能够在这里描述的示例性实施例中使用并显示图像的显示设备的示例可以包括[0056]图1是示意性地示出根据示例性实施例的显示设备的平面图。图2A和图2B是根据示例性实施例的显示设备中的一个像素的等效电路图，图3是示意性地示出根据示例性实施例的图1的区域III的平面图，图4是根据示例性实施例的图3的显示设备的沿着线IVA_延伸的多条数据线DL以及连接到多条数据线DL和在与第一方向交叉的第二方向上延伸的电源电压线10的电压不同的电压的第二电源第一主电压线11的两端和显示区域DA的除与第一主电压线11相邻的一侧之外的侧面延伸。[0063]端子单元30可以位于基底100的端部上并且可以包括多个端子，所述多个端子包[0065]控制器可以通过第二端子32和第三端子33将不同的电压提供到第一电源电压线[0066]第一电源电压线10可以将第一电源电压(见图2A和图2B的ELVDD)提供到每个像素[0067]例如，可以通过与第一电源电压线10连接的驱动电压线PL将第一电源电压ELVDD[0068]用于向每个像素P的多条扫描线SL提供扫描信号的扫描驱动器以及用于向多条数据线DL提供数据信号的数据驱动器可以进一步位于非显[0069]围绕显示区域DA的第一坝部110和与第一坝部110分隔开的第二坝部120可以设置[0070]当使用喷墨工艺形成包括诸如以构成薄膜封装层(见图4的400)的单体为例的有100的边缘处由有机封装层420形成边[0071]参照图2A，每个像素P可以包括与扫描线SL和数据线DL连接的像素电路PC以及与关薄膜晶体管T2可以被构造为根据通过扫描线SL输入的扫描信号Sn将通过数据线DL输入[0073]存储电容器Cst可以连接到开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且可以存储与从开关薄膜晶体管T2传输的电压和供应到驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD(或驱动电[0074]驱动薄膜晶体管T1可以连接到驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可以根据存储在存储电容器Cst中的电压值来控制从驱动电压线PL流过有机发光二极管OLED的驱动电[0078]驱动薄膜晶体管T1的漏电极可以经由第二发射控制薄膜晶体管T6电连接到有机[0079]开关薄膜晶体管T2的栅电极可以连接到第一扫描线SLn，开关薄膜晶体管T2的源[0080]开关薄膜晶体管T2可以根据通过第一扫描线SLn提供的第一扫描信号Sn而导通，并且可以执行将提供到数据线DL的数据信号Dm提供到驱动薄膜晶体管T1的源电极的开关[0081]补偿薄膜晶体管T3的栅电极可以连接到第一扫描线SLn。补偿薄膜晶体管T3的源偿薄膜晶体管T3可以根据通过第一扫描线SLn提供的第一扫描信号Sn而导通，并且可以将[0082]第一初始化薄膜晶体管T4的栅电极可以连接到第二扫描线SLn_1(前一扫描线)。的源电极可以一起连接到存储电容器Cst的一个电极、补偿薄膜晶体管T3的漏电极和驱动薄膜晶体管T1的栅电极。第一初始化薄膜晶体管T4可以根据通过第二扫描线SLn_1提供的电极来执行初始化驱动薄膜晶体管T1的栅电连接到驱动薄膜晶体管T1的源电极和开关薄膜晶体管T2膜晶体管T6的源电极可以连接到驱动薄膜晶体管T1的漏电极和补偿薄膜晶体管T3的源电极。第二发射控制薄膜晶体管T6的漏电极可以电连接到有机发光二极管OLED的像素电极。第一发射控制薄膜晶体管T5和第二发射控制薄膜晶体管T6可以根据通过发射控制线EL提[0085]第二初始化薄膜晶体管T7的栅电极可以连接到第二扫描线SLn_1。第二初始化薄线SLn_1提供的第二扫描信号Sn_1而导通，因此可以初始化有机发光二极管OLED的像素电T4可以连接到作为前一扫描线的第二扫描线SLn_1并且可以根据第二扫描信号Sn_1来驱源电压)。有机发光二极管OLED可以从驱动薄膜晶体管T1接收驱动电流，并且因此可以发隔件115可以在使用掩模沉积包括发射层的中间层(见图4的320)的工艺期间保持掩模与基底之间的分离，因此可以防止在沉积工艺期间中间层320被掩模冲压或撕裂的缺陷或者减113和第二平坦化层111的一定开口空间，使得下面将描述的薄膜封装层400可以固定到背酸酯(PC)或乙酸丙酸纤维素(CAP))的柔性[0097]可以包括例如氧化硅(SiOx)和/或氮化硅(SiNx)的缓冲层101可以形成在基底100可以包括开关半导体层A2和开关栅电极G2。第一栅极绝缘层103设置在驱动半导体层A1与驱动栅电极G1之间以及开关半导体层A2与开关栅电极G2之间。第一栅极绝缘层103可以包[0100]驱动半导体层A1可以包括与驱动栅电极G1叠置且其中未掺杂杂质的驱动沟道区、[0101]开关半导体层A2可以包括与开关栅电极G2叠置且其中未掺杂杂质的开关沟道区、[0102]驱动栅电极G1和开关栅电极G2可以包括例如钼(Mo)、铝(Al)、铜(Cu)和/或钛[0103]在示例性实施例中，存储电容器Cst可以与驱动薄膜晶体管T1叠置。在这种情况驱动栅电极G1可以是存储电容器Cst的第一存储电容器电极CE1。第二存储电容器电极CE2可以与第一存储电容器电极CE1叠置，且第二栅极绝缘层105设置在第一存储电容器电极[0106]数据线DL可以位于层间绝缘层107上，并且数据线DL可以通过穿透到层间绝缘层107、第二栅极绝缘层105和第一栅极绝缘层103中的接触孔与开关薄膜晶体管T2的开关半缘层107上，并且驱动源电极S1和驱动漏电极D1或者开关源电极S2和开关漏电极D2可以通过穿透到层间绝缘层107、第二栅极绝缘层105和第一栅极绝缘层103中的接触孔与驱动半[0109]无机保护层可以具有例如氮化硅(SiNx)和氧化硅(SiOx)的起形成的布线)被图案化像素电极310时使用的蚀刻剂[0116]有机发光二极管OLED可以位于第二平坦化层111上。有机发光二极管OLED可以包可以包括例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓例性实施例进行其中像素电极310的结构具有单层或多可以覆盖多个像素P中的每个的像素电极31可以形成在通过像素限定层113的开口暴露的像素电极310的上方。中间层320的第一功能层320a和第二功能层320c可以形成为位于多个像素电极310上的整体层。可以使用诸如以模与基底100之间的分离，从而防止在沉积工艺期间中间层320被掩模冲压或者撕裂的缺盖层可以包括例如氧化硅(SiO2)、氮化硅(SiNx)、氧化锌(ZnO2)、氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO232的至少一种有机材料防止有机发光二极管OLED被在用于形成薄膜封装层400的化学气相沉积(CVD)工艺或溅射与显示区域DA对应的顶表面可以是基本平坦的(例如，完全平坦或者在测量误差内近似平1的背板剥离的缺陷。该后续工艺可以是例如在薄膜封装层400上形成触摸传感器层(未示出)的工艺或者在偏振膜(未示出)附着在薄膜封装板可以是在紧接形成薄膜封装层400之前的显示设备对电极330与薄膜封装层400之间形成上述覆盖层时，在包括覆盖层的显示设备1与薄膜封紧接形成薄膜封装层400之前在对电极330与薄膜封装层400之间进一步添加另一功能层[0144]多个第一孔TH1可以与像素电极310分隔开，可以穿过第二平坦化层111和像素限一蚀刻防止层ES1的位置可以与第一孔TH1的位置对应。第一蚀刻防止层ES1可以与连接线一蚀刻防止层ES1可以被构造为在形成第一孔TH1的工艺期间(例如，当通过干法蚀刻形成化金属掩模而在每个像素P中图案化的发射区域中，并且第一功能层320a和第二功能层320c不在每个像素P中图案化而是可以作为公共层沉积在所有像素P上。对电极330可以以与第一功能层320a和第二功能层320c类似的方式作为公共层沉层111的侧表面111S、像素限定层113的侧表面113S和像素限定层113的底表面113B的第一[0148]第一无机封装层410在第一孔TH1内部的底表面上与对电极330直接接触，在第二平坦化层111的侧表面111S上与第二平坦化层111直接接触，并且在像素限定层113的底表口被有机封装层420填充，使得第一孔TH1可以用作增大薄膜封装层400与背板之间的粘合113下方的区域中(例如，在第二平坦化层111内的区域中)的部分的宽度比有机封装层420[0152]图5A至图5H是示意性地示出根据示例性实施例的形成图4的区域A中的第一孔TH1蚀刻防止层ES1上形成第二平坦化层111。可以在第二平坦化层111上形成具有形成在其中[0157]参照图5E，可以使用阻挡层BL作为蚀刻掩模来蚀刻像素限定层113和第二平坦化第一平坦化层109和设置在第一平坦化层109下的显示设备1的各种布线、电极和电路因干底表面和像素限定层113的顶表面上形成中间层320和对电极330。例如，可以基于第一孔TH1的底切UC而切断中间层320和对电极330。形成在第一孔TH1中的中间层320可以包括第第二平坦化层111的侧表面111S、像素限定层113的侧表面113S和像素限定层113的底表面[0164]可以通过例如与PVD相比具有更高的阶梯覆盖率的CVD或原子层沉积(ALD)来形成氢化物气相外延(HVPE)中的一种工艺来形成第一无机与根据示例性实施例的图3的显示设备1的沿[0168]参照图6，第二蚀刻防止层ES2可以位于第二平坦化层111与像素限定层113之第二蚀刻防止层ES2可以与像素电极310分隔开。第二蚀刻防止层ES2可以包括与像素电极[0169]当执行干法蚀刻以形成第一孔TH1的开口时，由于干法蚀刻的工艺分散性如以像素限定层113和第二平坦化层111为例)接触的接触面积，并且可以改善薄膜封装层与根据示例性实施例的图3的显示设备1的沿[0173]参照图7，第二蚀刻防止层ES2可以位于第二平坦化层111与并且第三蚀刻防止层ES3可以进一步位于第二蚀刻防止层ES2上。第三蚀刻防止层ES3可以与根据示例性实施例的图3的显示设备1的沿化层111之间的边界表面，形成在像素限定层113中的开口的宽度和形成在第二平坦化层[0178]尽管图8的示例性实施例中的第一孔TH1不具有底切形状，但是第一无机封装层[0179]图9A至图9E是示意性地示出根据示例性实施例的形成图8的第一孔TH1的制造工[0181]参照图9B，可以在像素限定层113上设置第二掩模M2，第二掩模M2包括透光部分之间的边界表面，形成在像素限定层113中的开口的宽度W12和形成在第二平坦化层111中[0184]因为可以使用与CVD相比具有更低的阶梯覆盖率的PVD形成中间层320和对电极第二平坦化层111的侧表面111S和像素限定层113的侧表面113S的第一孔TH1的内表面的整施例的图1的显示设备1的沿着线XA_XB截取的剖[0193]从显示区域DA延伸的第一平坦化层109、第二平坦化层111和像素限定层113可以[0194]多个第四蚀刻防止层ES4可以位于第一平坦化层109上，第五蚀刻防止层ES5可以[0195]第四蚀刻防止层ES4可以包括与图4的第一蚀刻防止层ES1和/或连接线CL相同的例性实施例中，设置在像素限定层113与第二平坦化层111之间的第五蚀刻防止层ES5可以可以延伸到并且形成在显示区域DA的外部的非显示区域ND[0198]中间层320可以形成在第四蚀刻防止层ES4上方的第二孔TH2的底表面上。在示例性实施例中，中间层320的第一功能层320a和第二功能层320c可以形成在第二孔TH2内部，中间层320的发射层320b不形成在第二孔电极330可以形成在第二孔TH2的底表[0200]类似于第一功能层320a和第二功能层320c，对电极330可以作为公共层沉积在全[0202]第五蚀刻防止层ES5、像素限定层113和对电极330在平面图中的布置关系将基于其中形成第二孔TH2的区域参照图11A至图11D来描述。图11A至图11D是示意性地示出根据示例性实施例的形成图10的第二孔TH2的工艺的[0203]参照图11A，可以在第二平坦化层111上形成具有多个开口OP1的第五蚀刻防止层[0207]尽管如参照图3描述的多个第一孔TH1可以形成在显示区域DA中，但是将第一孔[0211]返回参照图10，对电极330可以经由设置在第二孔TH2与第一坝部110之间的像素[0212]第一无机封装层410可以形成在对电极330上。第一无机封装层410不是仅形成在层113的侧表面113S和像素限定层113的底表面113B的第二孔TH2的[0213]第一无机封装层410在第二孔TH2内部的底表面上与对电极330直接接触，在第二平坦化层111的侧表面111S上与第二平坦化层111直接接触，并且在像素限定层113的底表第一无机封装层410与有机绝缘层之间的接触面积来改善薄膜封装层[0214]第二孔TH2的内部的整体可以被有机封装层420填充。因为形成在第二孔TH2中的开口的形状是底切形状(在底切形状中，在像素限定[0215]在第二孔TH2的外部，第一坝部110和第二坝部120可以位于它们与第二电源电压[0216]第一坝部110可以形成为具有包括与第二平坦化层111相同的材料的第一层111a、包括与像素限定层113相同的材料的第二层113a以及包括与间隔件115相同的材料的第三的触摸传感器层的噪声或者减少会另外影响形成在薄膜封装层400上的触摸传感器层的噪[0218]第二坝部120可以形成为具有包括与第一平坦化层109相同的材料的第一层109b、[0220]第二坝部120的第一层109b可以包覆第二电源电压线20的端部，从而防止第二电[0221]第一无机封装层410和第二无机封装层430可以穿过显示区域DA和其中形成有第使得可以防止外部湿气或杂质通过有机封装层420渗透到显