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文档简介
司湖大道99号苏州纳米城中北区23幢本发明公开了一种微型发光二极管(micro-导体层周围且与第一半导体层的侧壁形成电性接触。本发明的micro-LED垂直芯片结构通过采上而对LED芯片所发光的吸收，增加器件发光效2二极管垂直芯片结构还包括光转换结构和/或绝缘隔离结构，所述光转换结构设置在所述提供用于制作LED芯片的外延结构的步骤，所述外延结构包括沿设定方向依次层叠的至少在所述图形沟道中设置第一金属层，并利用所述第一3单元具有权利要求1-11中任一项所述的微型发光二极4[0002]随着超高清小间距大屏幕商业显示等应用的发展需求，以及AR(Augmented[0003]本发明的目的在于提供一种微型发光二极管垂直芯片结[0005]本发明的一些实施例提供了一种微型发光二极管垂直芯片结构，其包括外延结[0007]在一些实施方式中，所述第一半导体层的侧壁处形成有连续环绕设置的重掺杂[0008]本发明的一些实施例还提供了一种制备所述微型发光二极管垂直芯片结构的方[0009]提供用于制作LED芯片的外延结构的步骤，所述外延结构包括沿设定方向依次层5[0016]本发明的一些实施例还提供了所述微型发光二极管垂直芯片结构在制备光学组[0017]与现有技术相比，本发明以上实施例提出的微型发光二通过采用芯片侧壁电极结构，可以避免因电极设置在出光面上而对micro-LED芯片所发光6[0041]图7h是在对图7g所示器件进行光刻处理后再在其表面蒸镀用于制作第一电极的[0049]本发明实施例的一个方面提供的一种微型发光二极管垂直芯片结构包括外延结7[0064]在一些实施方式中，所述第一半导体层与有源区之间还设置有载流子阻挡层(如[0073]在本发明的以上实施例中，所述外延结构的材质可以选用本领域已知的III-V族8至少一个发光单元具有所述的微型发光二极管[0082]进一步的，所述光学组件可以是应用于显示设备或光通信设备等的各类光学模[0083]本发明实施例的另一个方面还提供了一种制备所述微型发光二极管垂直芯片结[0084]提供用于制作LED芯片的外延结构的步骤，所述外延结构包括沿设定方向依次层用金属剥离工艺(metallift-offtechn9离子体增强化学气相沉积(PECVD)或者两者结合等方式在所述刻蚀沟槽内填充二氧化硅、半导体层进行减薄处理，直至使所述第一半导体层的顶端高度低于第一电极的顶端高度，从而使所述第一电极形成为环绕第一半导体层设置的光学挡墙结[0109]本发明以上实施例提供的微型发光二极管垂直芯片结构制备方法与现有的半导括在n型导电衬底107(如GaN等)上形成的外延结构，所述外延结构包括从下向上依次生长半导体层101及电子阻挡层102一次外延生长形成。当然，该第三半导体层104也可以被省二电极110(如采用Ti/Al/Ni/Au或/Al/Ni/Au)配合，所述第一电极环绕设置于第一半导体形成欧姆接触。所述第一电极和p型重掺杂区的径向截面可以是圆环形、矩形或其它形状隔离槽的槽底到达或进入第二半导体层，在所述隔离槽内还可填充有氧化硅等绝缘介质。光显影，使得图形沟道113露出，再在第一半导体层及芯片表面的其它区域上蒸镀金属层极管垂直芯片结构之间形成绝缘隔离结构109(如图2i所示)，起到隔离和钝化芯片侧壁的作用。该绝缘隔离结构中采用的绝缘介质材料可以是氮化硅、SiO2等，并可以采用ALD、[0122]实施例2：本实施例提供的一种微型发光二极管垂直芯片结构与实施例1基本相[0123]本实施例的微型发光二极管垂直芯片结构的制备工艺与实施例1也基本相同，区[0125]实施例3：本实施例提供的一种微型发光二极管垂直芯片结构与实施例2基本相[0126]相应的，本实施例的微型发光二极管垂直芯片结构的制备工艺与实施例2也基本[0128]实施例4：本实施例提供的一种微型发光二极管垂直芯片结构与实施例1基本相[0129]相应的，本实施例的微型发光二极管垂直芯片结构的制备工艺与实施例1也基本子束蒸镀(e-beam)、PECVD、磁控溅射(Sputter)等方式在第二半导体层105上形成第二电[0138]S3、将所述外延结构翻转，并采用本领域已知的方式将衬底207与第一半导体层光显影，使得图形沟道213露出，再在第一半导体层及芯片表面的其它区域上蒸镀金属[0145]实施例6：本实施例提供的一种微型发光二极管垂直芯片结构与实施例5基本相至消除各微型发光二极管垂直芯片结构之间的光串扰。应用于显示时可以避免色坐标偏[0146]本实施例的微型发光二极管垂直芯片结构的制备工艺与实施例5也基本相同，区即，使其顶端高度降低)，直至使第一电极的顶端与第一半导体层的顶端形成一定的高度[0148]实施例7：本实施例提供的一种微型发光二极管垂直芯片结构与实施例6基本相[0149]相应的，本实施例的微型发光二极管垂直芯片结构的制备工艺与实施例2也基本[0151]以上实施例1-7所提供的微型发光二极管垂直芯片结构还可以作为发光单元与相
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