CN112670195B 封装结构及其形成方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）

US2018261573A1,2018.US2012187568A1,2012.US2017294389A1,2017.1US8778738B1,2014.07.15US8986806B1,2015.03.24包含设置半导体晶粒于重布线结构的第一表面2平坦化该第一保护层，使得原先被该第一保护层覆盖的该半导体晶粒的最顶面与该第一保护层的最顶面设置一第二承载基板于该半导体晶粒的该最顶面和该第一保护层的该设置一装置元件于该重布线结构的一第二表面之上，其中该重布线在设置该第二承载基板之后且在移除该第二承载基板之前，形2.如权利要求1所述的封装结构的形成方法，其中该第一保护层的热膨胀系数比该第8.如权利要求7所述的封装结构的形成方法，其中该加强环围绕该半导体晶粒和该导形成一第一保护层以围绕该装置元件的至少一设置一半导体晶粒于该重布线结构的一第二表面之上，其中该重布3在设置该第二承载基板之后且在移除该第二承载基板之前，形部分移除该第二保护层和该导电凸块，使得该第二保护层的最11.如权利要求10所述的封装结构的形成方法，其中该第二保护层的热膨胀系数比该13.如权利要求10所述的封装结构的形成方法，其中该第二保护层围绕该导电凸块的17.如权利要求16所述的封装结构，其中该导电凸块的一上部自该第一保护层的一顶4制造工艺的持续进步已经导致具有更精细部件和/或更高整合度的半导体装置。功能密度造工艺产生的最小组件)已减小。这种微缩过程通常可通过提高生产效率和降低相关成本[0004]已经开发了新的封装技术以进一步提高半导体晶粒(die)的密度和功能。这些相[0009]图1A-图1R是根据一些实施例显示形成封装结构的工艺的各种阶段的剖面示意5[0010]图2A-图2B是根据一些实施例显示形成封装结构的工艺的各种阶段的剖面示意[0011]图3A-图3B是根据一些实施例显示形成封装结构的工艺的各种阶段的剖面示意[0013]图5A-图5E是根据一些实施例显示形成封装结构的工艺的各种阶段的剖面示意[0015]图7A-图7L是根据一些实施例显示形成封装结构的工艺的各种阶段的剖面示意[0016]图8A-图8B是根据一些实施例显示形成封装结构的工艺的各种阶段的剖面示意[0017]图9是根据一些实施例显示形成封装结构的工艺的一个中间阶段的上视布局示意67[0095]以下内容提供了多个不同的实施例或范例，用于实现本发明实施例的不同部成第一和第二部件直接接触的实施例，也可能包含额外的部件设置于第一和第二部件之其他元件或部件之间的关系。此空间上的相关用语除了包含附图示出的方位外，也包含使用或操作中的装置的不同方位。当装置被转至其他方位时(旋转90度或其他方位)，则在此所使用的空间相对描述可同样依旋转后的方位来解读。8[0100]本文的实施例可涉及三维(3D)封装或三维集成电路(3D-IC)装置。也可包含其他包含测试结构，例如，形成于重布线(redistribution)层或基板上的测试垫(testing可对中间结构和最终结构进行验证测试。另外，本文公开的结构和方法可与测试方法[0101]图1A-图1R是根据一些实施例显示形成封装结构的工艺的各种阶段的剖面示意是包含或由光热转换(light-to-heatconversion，LTHC)材料形成的释放层(release[0103]重布线结构102用于绕线(routing)，这使具有扇出(fan-out)部件的封装结构得[0104]重布线结构102也包含用于保持或接收其他元件的导电部件108。在一些实施例108可用于保持或接收一或多个半导体晶粒及/或一或多个无源元件。导电部件108也可用[0106]在一些实施例中，其中一些或全部的绝缘层104可包含或由聚合物材料以外的介9[0109]重布线结构102的形成可涉及多道沉积或涂布(coating)工艺、多道图案化工艺、气相沉积(chemicalvapordeposition，CVD)工艺、物理气相沉积(physicalvapor于后续工艺。平坦化工艺可提供机械研磨(mechanicalgrinding)工艺、化学机械研磨些实施例中，装置元件112包含电极，电极通过导电结构114接合至重布线结构102的垫区[0117]在一些实施例中，半导体晶粒116通过半导体晶粒116的导电部件118接合至一些上。可使用加强元件120，以在后续形成工艺期间控制及/或降低封装结构的翘曲[0119]图9是根据一些实施例显示形成封装结构的工艺的一个中间阶段的上视布局示意或多其他适合材料、或前述的组合形成。在一些实施例中，加强元件120由与模制化合物(moldingcompound)材料或底部填充材料相似的聚合物材料形成，例如环氧基树脂120是围绕半导体晶粒116和导电凸块11[0122]在其他一些实施例中，加强元件120由半导体材料(例如，[0125]在一些实施例中，导入或射出模制材料(例如，液体模制材料)至重布线结构1021大致等于厚度h2。实施例中，焊料元件134是无铅的。可使用印刷工艺(printingprocess)、点胶工艺(dispensingprocess)、涂敷工艺(applicationprocess)、电镀工艺(electroplating[0133]装置元件136A、136B和136C可具有不同厚度。在一些实施例中，装置元件136A、[0135]在一些实施例中，导入或射出模制材料(例如，液体模制材料)至重布线结构102层126的热膨胀系数比保护层140的热膨胀系数高。具有较高的热膨胀系数的较薄保护层[0139]在一些实施例中，保护层140的第一热膨胀系数(CET1,)对保护层126的第一热膨第二热膨胀系数(CET2,)对保护层126的第二热膨胀系数(CET2)的比值(CTE1,/CTE1)范围[0140]如前所述，保护层126和保护层140各自可包含散布于基于聚合物材料的填充[0143]如图1O所示，些许薄化保护层126至厚度h1,。半导体晶粒116的厚度h2比厚度h1,,对厚度h2的比值(h1,/h2)可范围在约0.8至约0.95。在一些其他实施例中，用于移除粘着层128的回蚀刻工艺是湿式蚀刻工艺。在一些实施例部与下部之间的界面的边缘。在一些实施例中，导电凸块145具有葫芦状(gourd-like)轮[0150]可以对本发明实施例进行许多变化和修改。图2A-图2B是根据一些实施例显示形[0152]可以对本发明实施例进行许多变化和修改。图3A-图3B是根据一些实施例显示形改。图4是根据一些实施例的封装结构的剖面示意图。在一些实施例中，不形成加强元件[0156]可以对本发明实施例进行许多变化和修改。图5A-图5E是根据一些实施例显示形[0161]可以对本发明实施例进行许多变化和修改。图6是根据一些实施例的封装结构的[0162]可以对本发明实施例进行许多变化和修改。图7A-图7L是根据一些实施例显示形焊料元件710的材料和形成方法可相同或相似于图1K所示的焊料元件134的材料和形成方[0165]根据一些实施例，如图7C所示，相似于图1L所示的实施例，堆叠装置元件712A、712B和712C于重布线结构702之上。装置元件712A、712B和712C可相似于装置元件136A、716的材料和形成方法可相同或相似于图1M所些导电部件706a之上。导电凸块722的材料和形成方法可相同或相似于图1B所示的导电凸布线结构702之上。加强元件732的材料和形成方法可相同或相似于图1D所示的加强元件回流工艺之后，每一个所得到的导电凸块742可具有相似于图1P所示的实施例的葫芦状轮[0176]可以对本发明实施例进行许多变化和修改。图8A-图8B是根据一些实施例显示形护层是较厚的，且用于保护较厚的元件，例如具有无源元件的表面安装装置(surface线结构的第一表面之上。此方法还包含形成第一保护层以围绕半导体晶粒的至少一部分。