CN112701141B 显示装置和制造其的方法 （三星显示有限公司）

US2003024635A1,2003.表面以及穿过顶部表面和底部表面的第一接触部导电图案设置在基板和薄膜晶体管之间并且所述底部导电图案设置在底部表面上并且通过2基板，所述基板包括顶部表面、底部表面以及穿过所述顶顶部导电图案，所述顶部导电图案设置在所述基板底部导电图案，所述底部导电图案设置在所述底部表面上并底部平坦化层，所述底部平坦化层设置在所述底部表面上，所述底部底部缓冲层，所述底部缓冲层设置在所述基板和所述底部导其中所述半导体层通过所述第二接触孔连接至所述顶其中所述第一接触孔设置为在与垂直于所述顶部表面的第一方向相交的第二方向上所述栅电极通过所述基板中的第三接触孔连接至第一底部电极，所第二底部电极，所述第二底部电极在所述底部平坦化层所述薄膜晶体管包括源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极各自所述源电极和所述漏电极中的至少一个通过第四接触孔连接至所述顶部导电图基板，所述基板包括顶部表面、底部表面以及穿过所述顶3薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括各自设置在所述顶部底部导电图案，所述底部导电图案设置在所述底部表面上并底部缓冲层，所述底部缓冲层设置在所述基板和所述底部导在设置在第一承载基板上的基板的顶部表面上形成显示层，所述显示层包括显示元及形成底部缓冲层，所述底部缓冲层设置在所述基板和所述底部导电图案部缓冲层包括绝缘材料和连接到所述第一接触4[0002]本申请要求于2019年10月22日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-示装置的需求。显示装置已经从具有大体积的阴极射线管(CRT)快速改变至具有大的显示技术章节也可包括不是在本文公开的主题的相应的有效申请日之前相关领域的技术人员[0010]显示装置可包括缓冲层，所述缓冲层设置在顶部导电图案上方并且包括第二[0011]第一接触孔可设置为在与垂直于顶部表面的第一方向相交的第二方向上与第二[0012]显示装置可进一步包括底部缓冲层，所述底部缓冲层在基板和底部导电图案之5[0013]显示装置可进一步包括连接电极，所述连接电极在薄膜基板中的第三接触孔连接至第一底部电极，第一底部电极设置在基板和底部平坦化层之[0024]显示层的形成可包括形成对应于其中可形成第一接触孔的基板的一部分的顶部可包括通过缓冲层的第二接触孔将顶部导电图案连接至半6[0042]图13A至图13G为用于示出根据实施方式的制造显示装置的方法的示意性横截面[0043]图14A和图14B为用于示出根据另一实施方式的制造显示装置的方法的示意性横源电极和漏电极二者或其变型。7覆盖或部分覆盖或如本领域普通技术人员知晓和理解的并入这种元件的设备的定向可改变元件与另一元件(多个元件)的空间相对定向，但是这将仍被理解为在本公开的范围内。[0055]参考图1，显示装置1可包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA可显示图[0056]显示装置1可为可显示图像的设备并且可包括游戏控制台、多媒体设备或移动设[0057]像素P可电连接至扫描线SLn和数据线DLm。扫描线SLn可在x方向上延伸并且数据[0061]开关薄膜晶体管T2可连接至扫描线SLn和数据线DLm，并且基于从扫描线SLn输入Cst可连接至开关薄膜晶体管T2和驱动电压线PL，并且可存储对应于从开关薄膜晶体管T28传送的电压和供应至驱动电压线PL的第一电源电压ELVDD之间[0062]驱动薄膜晶体管T1可连接至驱动电压线PL和存储电容器Cst，并且可响应于存储[0063]尽管图2中可显示像素电路PC包括两个薄膜晶体管和一个存储电容器，但是实施[0067]底部缓冲层102可设置在基板101的底部表面101D上。底部缓冲层102可包括无机化物(SiO2)、硅氮化物(SiNx)、氧氮化硅(SiON)、氧化铝(Al2O3)、氧化钛(TiO2)、氧化钽(Ta2O52光二极管OLED。像素电路层PCL可包括各自连接至每个有机发光二极管OLED的像素电路和绝缘层。像素电路层PCL可包括晶体管、存储电容器以及晶体管和存储电容器之间的绝缘装层和至少一个有机封装层。无机封装层可包括下述中的至少一种无机材料：氧化铝(Al2O322O5229接至顶部基板(其可为透明的构件)使得基板101和顶部基板之间的内部空间可被密封的结[0074]下文中，可描述其中薄膜封装层TFE包括至少一个无机封装层和至少一个有机封[0075]包括触摸电极的输入感测层TSL可设置在薄膜封装层TFE上。光学功能层OFL可设息。光学功能层OFL可减小从外侧朝着显示装置1入射的光(外部光)的反射率和/或提高从偏振器可包括以一种布置而设置的液晶。延迟器和偏振器中的每一个可进一步包括保护一反射光和第二反射光可产生相消干涉并且因此可光二极管OLED。像素电路层PCL可包括各自连接至每个有机发光二极管OLED的像素电路和[0083]第一基底层101a和第二基底层101c各自可包括聚合物树脂。例如，第一基底层[0086]在实施方式中，基板101可包括穿过顶部表面101U和底部表面101D的第一接触孔102可包括对应于第一接触孔CNT1的底部接触孔CNTC。底部接触孔CNTC可连接至第一接触[0091]在实施方式中，底部导电图案DM可通过第一接触孔CNT1连接至顶部导电图案U触孔CNT1和底部接触孔CNTC连接至顶部[0094]像素电路层PCL可设置在基板101的顶部表面101U上。像素电路层PCL可包括缓冲可设置为在与垂直于基板101的顶部表面101U的第一方向(例如，z方向)相交的第二方向[0097]在第一接触孔CNT1可设置为对应于第二接触孔CNT2的情况下，通过第一接触孔开，所以可防止通过第一接触孔CNT1引入的水分等通过第二接触孔CNT2引入至半导体层[0099]薄膜晶体管TFT可包括半导体层112。半导体层112的至少一部分可与顶部导电图氧化锌(ZnO)或其组合。[0104]第二栅绝缘层113b可覆盖栅电极114。与第一栅绝缘层113a类似，第二栅绝缘层[0105]存储电容器Cst的顶部电极Cst2可设置在第二栅绝缘层113b上。顶部电极Cst2可器Cst的底部电极Cst1可设置为与栅电极114隔开，使得存储电容器Cst可不与薄膜晶体管(SiO2极116a可设置在基板101的底部表面101D上，并且源电极116b可设置在第一层间绝缘层并且源电极116b可设置在基板101的底部表面101D极116b中的每一个可包括Ti/Al/Ti的多层化钛(TiO22O52[0114]显示元件层DEL可设置在具有上述结构的像素电路层PCL上。显示元件层DEL可设二极管OLED的像素电极121可通过平坦化绝缘层117的接触孔电连接至薄膜[0115]像素电极121可包括导电氧化物，比如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌一实施方式中，像素电极121可进一步包括在反射层上/下方的层，所述层包括ITO、IZO、2O3或其组合。[0116]像素限定层119可设置在像素电极121上，并且像素限定层119可包括暴露像素电极121的中心部分的开口119OP。像素限定层119可包括有机绝缘材料和/或无机绝缘材料。或可包括HTL和空穴注入层(HIL)。第二功能层可为设置在发射层122上的元件并且可任选2O3或其组合。[0119]在实施方式中，薄膜封装层TFE可包括至少一个无机封装层或至少一个有机封装化铝(Al2O322O522132可包括丙烯酸酯。电极121之间的距离可小于其中源电极116b可设置在基板101的底部表面101D下方的情况过第一接触孔CNT1连接至顶部导电图案UM。底部平坦化层103可覆盖底部导电图案DM并且[0129]第二半导体层212可设置在缓冲层111和第一栅绝缘层113a之间。与半导体层112漏区212a和第二源区212b分别设置在第二沟道区212c的两个相对侧上。第二栅电极214可[0130]第二栅电极214可设置在第一栅绝缘层113a和第二栅绝缘层113b之间。与栅电极电容器Cst的底部电极Cst1可设置为与第二栅电极214隔开，使得存储电容器Cst不与第二个可设置在基板101的底部表面101D上。下文中，为了方便描述，可描述其中第二漏电极216a和第二源电极216b可设置在第一层间绝缘层115将第二薄膜晶体管TFT'连接至有机发光二极管O[0137]底部导电图案DM可设置在基板101的底部表面101D(例如，经以减小像素电极121和源电极116b之间的寄生电容Cp。底部导电图案DM可为数据线DLm(见图2)的一部分，并且寄生电容Cp可存储对应于数据电压DLV(见图2)和像素电极121的电压[0138]在其中源电极116b(其可为数据线的一部分)可设置在第一层间绝缘层115a上的[0139]相反，在其中根据实施方式的源电极116b可设置在基板101的底部表面101D(例过第一接触孔CNT1连接至顶部导电图案UM。底部平坦化层103可覆盖底部导电图案DM并且过第一接触孔CNT1连接至顶部导电图案UM。底部平坦化层103可覆盖底部导电图案DM并且[0149]在图8中，为了显示其中下面描述的第一底部电极Cst3可连过第一接触孔CNT1连接至顶部导电图案UM。底部平坦化层103可覆盖底部导电图案DM并且[0153]在实施方式中，第一底部电极Cst3可通过基板101的第三接触孔CNT3连接至栅电第三接触孔CNT3、缓冲层111的接触孔和第一栅绝缘层113a的接触孔可彼此重叠并且因此底部电极Cst3可具有Ti/Al/Ti(Al2O322O5描述其中底部绝缘层104包括有机绝缘材底部电极Cst4可构成底部存储电容器Cst'。底部电极Cst4可具有Ti/Al/Ti[0158]其中第一底部电极Cst3可连接至栅电极114的布置可用于减小栅电极114的电[0159]因为底部存储电容器Cst'可形成在基板101的底部表面101D之上，所以可增加存过第一接触孔CNT1连接至顶部导电图案UM。底部平坦化层103可覆盖底部导电图案DM并且述干法蚀刻工艺。在可蚀刻基板101的情况下，顶部导电图案UM的一部分可被蚀刻工艺损薄膜晶体管TFT的有机发光二极管OLED，基板101包括第一接触孔CNT1，并且第一接触孔过第一接触孔CNT1连接至顶部导电图案UM。底部平坦化层103可覆盖底部导电图案DM并且[0171]源电极116b可通过第五接触孔CNT5连接至半导体层112的源区112b。第五接触孔触孔CNT5可设置为在x方向上与第四接触孔C薄膜晶体管TFT的有机发光二极管OLED，基板101包括第一接触孔CNT1，并且第一接触孔CNT1穿过顶部表面101U和底部表面101D。底部导电图案DM可设置在基板101的底部表面[0178]底部导电图案DM可设置在基板101的底部表面101D下面，并且通过第一接触孔CNT1连接至源电极116b和漏电极116a中的至少一个。底部平坦化层103可覆盖底部导电图部导电图案DM可通过导电图案116c和源电极116b连接至半导体层112的源区2O3[0182]显示装置包括导电图案116c，以在可形成第一接触孔CNT1的同时保护源电极[0183]通过使用下面描述的制造方法，底部导电图案DM可形成在基板101的底部表面[0184]图13A至图13G为根据实施方式的制造显示装置的方法的示意性横截面图。在图13A至图13G中，因为与图4的那些相同的附图标记表示相同的元件，所以可省略其重复描[0188]显示层DL可在覆盖顶部导电图案UM的缓冲层111上包括薄膜晶体管，薄膜晶体管[0193]参考图13E，可形成第一接触孔CNT1，第一接触孔CNT1穿过基板101的顶部表面[0197]通过使用蚀刻工艺，第一接触孔CNT1可形成在基板101的底部表面101D的顶部部施方式中，在其中底部平坦化层103包括无机材料的情况下，可另外进行化学机械抛光每个实施方式中的特征或方面的描述通常应视为可用于其他实施方式中的其他类似的特