江丰电子深度研究报告：靶材巨头拾级而上半导体零部件打造第二增长极

目 录TOC\o"1-2"\h\z\u一、江丰电子：国溅靶材领军者，精密造台初具规模 6（一）十深不构筑靶+零件双驱动局 6（二）权构中，技领人能专治企” 7（三）部收放+结构化振利弹逐步开 9二、靶材业务：高化全球化并举，垂直合筑盈利护城河 12（一）进程产加AI浪，动端市场间统扩容 13（二）居球一，公凭端品术垒切主客户 16（三）化直合，实从材提到端产的产链局 18（四）略定布国基，场务度入全顶存链 19三、零部件业务：造二成长曲线，静电盘衔“卡脖子”环节坚 21（一）密部是体设核支，备阔的场间 21（二）产代切生行机，司面局半体密部件 23（三）投焦电等核件突“脖”环确高争垒 25四、产业投资协同打半导体新材料孵化台构筑生态护城河 28五、盈利预测与估值 30六、风险提示 32图表目录图表1 丰子展程 6图表2 丰子分射靶产品 7图表3 丰子品盖半体平显关制造节 7图表4 丰子权构 8图表5 丰子心术人情况 8图表6 丰子权励授情况 8图表7 丰子次集资投项的体况 9图表8 司绩速长 10图表9 司9M2025母净润比达39.6% 10图表10 江电分营业入亿） 10图表江电分毛利率 10图表12 公毛率相对定净率际升 图表13 公期费整体下趋势 图表14 公研投研发用率 图表15 公研人量 图表16 溅靶分种类比 12图表17 溅靶在应用域类与能求 12图表18 全溅靶场规（亿元） 13图表19 半体成用溅靶集于圆造镀与片装膜 13图表20 集电用溅射材途国替情况 14图表21 全半体景气显回升 15图表22 中集电量呈长势 15图表23 全球AI市模2031预突破2美元 15图表24 全球AIDC开支计持增速 15图表25 台电进扩产划千片月） 16图表26 先制产张速高成制程 16图表27 全溅靶场空间 16图表28 全及内纯金溅靶主竞对手比 17图表29 江电部材产品 18图表30 高溅靶下游条 18图表31 高金原主要应情况 18图表32 江电上链条 19图表33 韩靶基能规（产态） 20图表34 半体密件分类 21图表35 零件下条 22图表36 半体备额 22图表37 先制设场空间 22图表38 2018-2027E零部市空间 23图表39 国主晶近期规扩情况 23图表40 主国半设备商产况 24图表41 公通子全面局导精零件 24图表42 公半体零部产与目局 25图表43 公半体零部业保高速 25图表44 公零件迅速坡 25图表45 静吸基造 26图表46 静吸占，价量高 26图表47 静吸市间 27图表48 KSTE静吸盘域产与术力 27图表49 江电发划 28图表50 江电平布局 28图表51 江电平布局 29图表52 江电业分 30图表53 可公估况 31一、江丰电子：国产溅射靶材领军者，精密制造平台初具规模（一）二十载深耕不辍，构筑“靶材+零部件”双轮驱动布局20051）2005863计划引导项目材料领域从“无到有”的突破。2009年董事长姚力军博士入选国家海外高层次人才计划。2012年，公司液晶显示用靶材通过客户验证，粉末冶金分厂成立，靶材产品体系与基础工艺能力逐渐完善。2）（2013-2019）：2013–20152017（3）（2020年至今热等静压联合工程技术中心2021”2023202512图表1 江丰电子发展程司官公司围绕超高纯金属溅射靶材与半导体精密零部件构建核心产品体系，覆盖半导体与平板显示关键制造环节。在溅射靶材领域130-3nmAlAlSiAlCu等系列，纯度达4N–5N5，可按客户工艺需求提供不同晶粒与晶向并开发长寿命靶4N55N4N–6NCuP3N5–5NPVD图表2 江丰电子部分射靶材产品司官网在显示领域G4.5–G10.5PVD机台用防着板、坩埚及CFRPPVDClampRingFacePlateShowerHead，以及CMPRetainingRingPVD图表3 江丰电子产品盖半导体与平板显关制造环节司官（二）股权结构集中稳定，技术领军人赋能“专家治企”2025年()24.58%21.40%）图表4 江丰电子股权构注：截至2025年三季报）公司核心技术团队由多位具有丰富专业背景和丰富产业经验的归国博士及资深业内人士组成，创始人姚力军先生从事超高纯金属溅射靶材研究多年，曾担任全国第十四届政协委员，现任公司首席技术官。边逸军先生现任公司董事长、总经理，具备多年集成电路图表5姓名学历职位介绍姚力军博士研究生公司首席技术官、核心技术人员1967年出生，中国国籍，拥有日本国永久居留权，教授级高级工程师。享受“国务院特殊津贴”专家，现任全国第十四届政协委员、中国半导体行业协会半导体支撑业分会理事长等职。曾获国家百千万人才工程“有突出贡献中青年专家”、2020年度国家技术发明二等奖等多项荣誉。边逸军博士研究生公司董事长、总经理19802020“45-28nmTa材料规模化生产技术与品质提升”项目获2021年度宁夏回族自治区科学技术进步二等奖。王学泽硕士研究生核心技术人员1968年出生，中国国籍，无境外永久居留权，教授级高级工程师。曾任西北稀有金属材料研究院中心实验室主任助理、东方钽业晶体分厂厂长等职。现任公司核心技术人员，兼任多个子公司董事、执行董事等职务。周友平本科学历核心技术人员1979年出生，中国国籍，无境外永久居留权。现任公司核心技术人员，兼任宁波江丰热等静压技术有限公司执行董事、宁波江丰半导体科技有限公司执行公司事务的董事兼经理等职。曾任上海中泰实业有限公司软件工程师。公司上市以来分别于20192022目前第一期股票期权计划已完成，第二期限制性股票股权激励计划第三批限售股已于2025818图表6 江丰电子股权励授予情况第一期股票期权（2019）第二期限制性股票（2022）性质股票期权限制性股票拟授予总量1,720.00万份400.00万股首次授予数量1,464.00万份314.00万股（预留80万股）占草案公告日总股本比例（首次授予）6.69%1.41%激励对象人数（首次授予）200人(其中191人为核心技术人员)315人（预留授予6人）初始行权/授予价格39.50元/份24.50元/股激励目标以2016-2018年收入均值为基数，2019-2021年营收增长率不低于28%/38%/48%以2021年为基数，2022-2024年营收增长率不低于15%/30%/45%有效期/等待期不超过60个月；等待期12个月不超过48个月；限售期12个月分期解禁/行权安排1期：T+12M40%1期：T+12M50%2期：T+24M30%2期：T+24M30%3期：T+36M30%3期：T+36M20%当前状态已完成第三批解除限售阶段司公告、华创证券202519.28（2000SK图表7 江丰电子本次集资金投资项目的体况项目总投资金额（亿元）拟使用募集资金金额（亿元）及占比项目具体情况5,100静电吸盘产业化项目（宁波）10.97909.9790(51.76%)主要用于装修生产厂房、综合楼等基础设施建设，并购置带式流延设备、真空钎焊炉、数控加工中心等关键生产设备，实现高端静电吸盘产品的规模化量产，提升半导体设备关键零部件国产化能力。年产12,300个超大规模集成电路用超高纯金属溅射靶材产业化项目（韩国）3.50002.5600(13.28%)用于建设生产厂房及综合楼并配置扩散焊接设备、CMMSK户的属地化供货能力。上海江丰电子研发及技术服务中心项目0.99930.9993(5.18%)主要用于研发及技术服务中心场地装修及软硬件研发、检测设备购置，提升超高纯靶材、前沿金属材料及半导体关键部件的检测、研发与技术服务能力。补充流动资金及偿还借款5.74005.7400(29.77%)用于补充公司日常经营所需流动资金并偿还有息负债，缓解资金压力、降低资产负债率及财务费用，增强持续经营和抗风险能力。（三）零部件收入放量+结构优化共振，利润弹性逐步打开公司业绩高速增长，随半导体国产化进程加速与行业上行持续放量。2025公司实现营业收入329125.4.0139.7，2024202436.054.168，2–204245；归母净利润2022–2024年复合增速达22.9%。整体来看，在政策支持、产业扩张及国产替代深化的共同驱动下，公司业绩中枢持续抬升。图表8 公司业绩高速长 图表9 公司9M2025归母净利润同比增速达39.6%40353025201510502020 2021 2022 2023 2024

50%45%40%35%30%25%20%15%10%5%0%

4.54.03.53.02.52.01.51.00.50.0

2020 2021 2022 2023 2024

160%140%120%100%80%60%40%20%0%-20%-40%营业收入（亿元） yoy(%) 归母净利润（亿元） yoy（%），公司年 ，公司年20242025H113.254.5921.9%，2021–2024分产品毛利率方面，202431.35%，2025H1进一步提升至33.26%，主要得益于高端产品占比提升与规模效应；零部件业务毛利率2025H1为2023图表10 江丰电子分业营业收入（亿元） 图表江丰电子分业毛利率40 40%30 30%20 20%1002021

2022

2023

2024

2025H1

10%0%

2021 2022 2023 2024 2025H1超高纯靶材（亿元） 零部件（亿元） 其他（亿元）

超高纯靶材 零部件 其他、公司年 、公司年25%–30%202428.17%，202528.93%。毛利率未出现趋势性抬升，主要与产品结构相关：一方面，超高纯靶材作为核心产品毛利率相对稳定；另一方面，零部件等业务处于发展初期，整体毛利率水平对公司形成一2025利率在2023–2024年分别回落至8.47%和7.59%2025年前三季度净利率回升至10.98%，202020.9%202417.2%，202516.6%3%20238.7%20247.6%，20256.5%，5%-6%图表12 公司毛利率保相对稳定，净利率际升 图表13 公司期间费用整体呈下降趋势40%30%20%10%0%

2020 2021 2022 2023 2024 9M2025毛利率(%) 净利率(%)

25.0%20.0%15.0%10.0%5.0%0.0%-5.0%

20202021202220232024 9M202520202021202220232024 9M2025财务费用率 期间费用率，公司年 ，公司年公司持续保持高强度研发投入，研发成果显著。2020-20240.7亿元2.25%-6%20255.90%2020-2024158377300mm2025630日，953550403图表14 公司研发投入研发费用率 图表15 公司研发人员量25,00020,00015,00010,0005,0000

7%6%5%4%3%2%1%0%2020 2021 2022 2023 2024 9M2025

400350300250200150100500

2020 2021 2022

2023

2024

16%14%12%10%8%6%4%2%0%研发投入总额(万元） 研发投入总额占营业收入比例

研发人员数量(人) 研发人员数量占比(%)，公司年 ，公司年二、靶材业务：高端化与全球化并举，垂直整合构筑盈利护城河溅射靶材是薄膜沉积工艺中的核心耗材，构成半导体、显示与新能源制造的重要物质基础。溅射靶材通常由靶坯与背板构成，其中靶坯决定成膜成分与性能，背板则承担机械支撑、导热及导电等关键作用。其广泛应用于磁控溅射等真空薄膜制备工艺中，在高真空、高电压环境下，靶材作为溅射源被高能离子轰击，其原子或分子被溅射并均匀沉积于基板表面，从而形成具备特定导电、绝缘或光学性能的功能薄膜。如AZO）45%。图表16 溅射靶材分材种类占比陶瓷靶材,20%金属靶材陶瓷靶材,20%金属靶材,45%合金靶材,30%usinessResearchInsights、华创证券从应用端看，半导体集成电路是溅射靶材技术门槛最高、价值密度最大的领域图表17 溅射靶材在不应用领域的类型与能求应用领域靶材类型纯度要求尺寸/面积要求均匀性/集成度要求半导体集成电路超高纯铝靶、钛靶、钽靶等（金属靶材）超高纯度（≥6N，99.9999%）高精度尺寸要求高集成度应用平板显示器高纯铝靶、铜靶、钼靶（金属靶材）高纯度（~4N，99.99%）大面积靶材需求显著成膜均匀性要求高ITO靶材（陶瓷靶材）太阳能电池高纯铝靶、铜靶、钼靶（金属靶材）高纯度、杂质受控（≥4N，>99.99%）尺寸要求相对宽松覆盖面积大、工艺稳定性要求高ITO靶材（陶瓷靶材）司公告、华创证券BusinessResearch202620.2亿美203533.75.5%其他类型,5%陶瓷靶材,20%金属靶材,合金靶材其他类型,5%陶瓷靶材,20%金属靶材,合金靶材,30%usinessResearchInsights（一）先进制程扩产叠加AI浪潮，驱动高端靶材市场空间系统性扩容超高纯溅射靶材正成为先进制程中技术壁垒最高、国产化难度最大的核心材料之一。5nmNAND200+6N5004504003503005004504003503002502001501005002025 2026E 2027E 2028E 2029E 2030E 2031E 2032E 2033E 全球5GIoT市场规模 CAGR50.2%司公告超高纯金属溅射靶材是贯穿晶圆制造与芯片封装的关键核心材料，其市场空间随先进制程与先进封装的渗透深度而扩张。在晶圆制造（钴）（）28nm、14nm在芯片封装图表20 集成电路用主溅射靶材用途及国替情况靶材类型集成电路领域主要用途覆盖工艺节点/技术环节国产替代现状高纯铝及铝合金靶材用作集成电路互连线材90nm以上技术节点互连；先进封装国内外技术水平整体相当；国内企业已实现6N高纯铝在集成电路领域应用；在大尺寸、细晶、低缺陷铸锭一致性方面仍需提升高纯铜及铜合金靶材制备铜互连线籽晶层；配合铜磷阳极用于互连制程90–7nm（Cu互连）；14–7nm需更高纯度铜；28nm下对稳定性要求更高国内已实现7N高纯铜及铜合金靶材批量应用；28nm以下工艺中，对夹杂缺陷控制、Cu-Mn合金及高纯锰原料仍存在短板高纯钛靶材沉积Ti/TiN薄膜；扩散阻挡层、黏附层、接触层、抗反射层铝互连扩散阻挡；钨塞底线层；铜互连硬掩膜层；先进封装国内可批量供应大部分型号，已实现4N5–5N高纯钛国产化；在长寿命、高效率设计、细晶高强度扩散控制方面与国际先进水平存在差距高纯钽靶材制备Ta/TaN扩散阻挡层；先进封装阻挡层；高介电栅介质氧化物薄膜90nm以下铜制程互连；先进制程栅介质；后道封装国产化率较低，仍依赖进口；国内已实现4N5高纯钽原料国产化，但在大尺寸、高纯度、晶粒取向均匀性方面存在明显差距高纯钴靶材制备钴硅化物，用于源进制程互连线130–90nm逻辑器件；1Xnm存储器；7nm及以下开始替代铜互连国内在200–300mm晶圆用钴靶材实现突破；7nm及以下制程在纯度、透磁率与均匀性控制方面仍需提升高纯镍铂靶材制备镍铂硅化物接触层65–20nm逻辑器件；存储器工艺国内企业已通过国内外晶圆厂验证并实现批量供货；在成本控制、批次一致性及铂回收利用方面仍需持续优化高纯钨及钨合金靶材制备钨/氮化钨金属栅；字线互连层；通孔与接触填充65–1Xnm存储器工艺；金属栅与互连国产化程度极低，高端产品依赖进口；国内在高纯降氧、均匀合金化、大尺寸成型、取向调控方面存在明显差距其他高纯金属及合金靶材（Au、Ag、NiV、WTi等）先进封装中的阻挡层、润湿层、黏附层、屏蔽层凸块、RDL、TSV、共形屏蔽等先进封装工艺国内企业已实现从高纯原料到靶材的全流程控制，在先进封装领域形成一定技术优势，具备规模化供应能力injiangHe,etc.《DevelopmentofHigh-purityMetalSputteringTargetsforIntegratedCircuits》、华创证券全球半导体景气回升叠加AI驱动的先进制程扩产加速，高端溅射靶材进入“需求扩容+价值量提升”共振上行通道。5G23WSTS2025772022.5%2019201820244514图表21 全球半导体行景气度显著回升 图表22 中国集成电路量呈增长趋势120010008006004002000

市场规模（十亿美元） 同比增长率

80%70%60%50%40%30%20%10%0%-10%-20%

5000450040003500300025002000150010005000

2019 2020 2021 2022 2023 产量（亿块） 同比增长率

40.00%30.00%20.00%10.00%0.00%-10.00%-20.00%STS 研天图表23 全球AI市场模2031年预计突破2万元

图表24 全球AIDC资本开支预计维持高增速40003500300025002000150010005000

3,6803,6803,0772,5752,1571,8081,5176387589001,0701,27320242025E2026E2027E2028E2029E2030E2031E2032E2033E2034E全球人工智能（AI）市场规模（十亿美元）recedenceresearch，转引自公司公 EM *预测数据截至2026.01.09AISEMI300mm2024–20287%CAGR万片/7nm202485202814014%2nm2025–20282050AletheiaN3/N2/A1632.5202871.512026资本开支计划至520-560亿美元，同时增加两个先进封装建厂计划（财联社援引台湾电子时报）。图表25 台积电先进制扩产计划（千片月） 图表26 先进制程产能张速度高于成熟制程8007006005004003002001000

115551155524518050100100135175205175150150150

20%16%14%12%10%

2024 2025E 2026E 2027E 2028E≤7nm工艺（先进制程）YoY增长率N4/5 N3 N2/A16 A14 YoY增长率letheia/TAG、GoogleMap、转引自半导体创芯网公众

EMI、华创证券JX2025财年三季报因AI202525%-30%AITECHCET，202514.5yoy+8%203019.42025-2030CAGRCAGR10%。图表2725201510502024

2025-2030年2025-2030年CAGR为6.3%2013.414.5

2030E全球溅射靶材市场规模（亿美元）ECHCET（二）稳居全球第一梯队，公司凭高端产品技术壁垒切入主流客户全球半导体用超高纯靶材市场呈现寡头竞争格局，江丰电子跻身第一梯队。根据QYResearch，全球纯金属靶材领域主要生产商包括JXNippon、HoneywellElectronicMaterialsPlanseeJXNippon75%，长2024）图表28 全球及国内超纯金属溅射靶材主竞对手对比公司名称成立时间国家/地区主要靶材产品类型重点应用领域竞争定位与特点宁波江丰电子材料股份有限公司2005年中国超高纯铝、钛、靶材半导体、先进封装、平板显示7nm/5nm并延伸3nm20242024年主流靶材出货量全球第一，市占率超过25%日矿金属（JXNippon）1905年日本高纯铝、钛、钽、铜、合金靶材半导体、平板显示、光伏全球龙头企业，具备从高纯金属提纯到靶材制造的全产业链垂直整合能力，在半导体细分市占率超50%霍尼韦尔（HoneywellElectronicMaterials）1885年美国高纯铝靶、钛靶、铜靶、钽靶、合金靶材半导体多元化科技制造集团，在高纯金属靶材领域具备成熟产品体系与国际客户基础东曹（Tosoh）1935年日本ITO陶瓷靶、铝靶、钛靶、钽靶、铜靶、合金靶半导体、平板显示化工背景深厚，功能性材料体系完整，靶材覆盖金属与陶瓷两大方向普莱克斯/林德（Praxair/Linde）1907年美国/德国高纯金属靶材半导体、显示原为普莱克斯，后并入林德集团，材料与气体协同优势明显有研亿金（有研新材子公司）2000年中国高纯金属靶材半导体国内重要靶材厂商之一，聚焦高纯金属靶材国产化阿石创（300706）2002年中国高纯铜靶、贵金属靶、ITO靶半导体、平板显示半导体与显示双布局，客户包括群创光电、京东方等隆华科技（四丰电子、晶联光电）2015/2016年并购进入中国钼靶、铜靶、钛靶平板显示通过并购切入靶材行业，在显示领域积累客户资源欧莱新材（688530）2010年中国铜靶、铝靶、钼及钼合金靶、ITO显示、封装、新能源产品覆盖面广，应用场景多元，偏显示及泛半导体领域司公告、华创证券高端产品技术壁垒深厚，率先切入先进制程主流客户体系。7nm5nm3nm铜锰300mmHCM成功开发并量产，异形靶材体系持续拓展，在多个高端靶材细分领域形成“国内唯一”SK图表29 江丰电子部分材产品司公告、华创证券（三）深化垂直整合体系，实现从原材料提纯到终端产品的全产业链布局”图表30 高纯溅射靶材下游链条垂直整合成为高端靶材企业的必然选择。高纯金属原材料的纯度与组织控制直接决定靶材及薄膜性能，而高纯金属原料可选供应商数量有限、行业集中度持续提升，倒逼全球领先靶材企业通过向上游延伸来增强原材料稳定性与技术可控性。典型如以日矿金属为代表的国际龙头企业，已形成从高纯金属提纯到溅射靶材制造的完整产业链布局，部分海外高纯金属供应商同时从事靶材业务，在优先满足自用需求的前提下对外供货，进一步凸显自建或深度掌控上游高纯材料供应体系的必要性与竞争优势。图表31 高纯金属原材主要供应商情况金属类别国内主流或潜力供应商国外主流供应商高纯钽同创普润、东方钽业、株洲高力新材料日矿金属（东京电解）、GlobalAdvancedMetals、UlbaMetallurgicalPlant、Materion高纯铝同创普润、新疆众和海德鲁、住友化学、KMAluminum、日本越菱、ALCONIX高纯钛宁波创润新材料TOHOTitanium、大阪钛业、HoneywellElectronicMaterials高纯铜同创普润、有研新材、河南国玺、金川集团霍尼韦尔、日矿金属、三菱伸铜、Luvata司公告、华创证券公司上下游协同明确，形成材料器件应用一体化垂直整合体系。延伸。公司客户结构以全球头部晶圆厂、设备商和面板厂为核心，SK/芯PVDCVDCMP整体来看，公司通过“上游高纯金属提纯与靶坯—中游靶材制造—下游零部件与终端客户”的纵向布局，在保障原材料安全、降低外部依赖的同时，增强与核心客户的长期技术协同与订单黏性。图表32 江丰电子上下链条公司官网、公司公告、华创证券（四）战略性定增布局韩国基地，近场服务深度嵌入全球顶尖存储链公司拟通过定增在韩国落地首个境外靶材基地，核心目标在于“近场制造+属地化服务”，强化对全球头部客户的交付与协同能力。公司拟通过向特定对象发行股票实施“年产12,300个超大规模集成电路用超高纯金属溅射靶材产业化项目”，在韩国建设首个境外半导体靶材生产基地。项目实施主体为全资孙CO.,3.52.56SK12300能约7.94%8.85图表33（达产状态）产品类别年产能（个）现有超高纯靶材产能占现有产能比例铝靶1800745672.4%钛靶1800334005.4%钽靶（含钽环）42001633625.7%铜靶45003062614.7%合计123001549307.9%司公告、华创证券从战略层面看，韩国作为全球存储产业核心区域，政策与需求端支撑明确。2021K-20304510Statista2025256.9年CAGR7.74%SK近场支撑，有助于提升供应份额与客户黏性，亦是其全球化布局、深度嵌入国际主流半导体产业链的重要落子。三、零部件业务：打造第二成长曲线，静电吸盘领衔“卡脖子”环节攻坚（一）精密零部件是半导体设备核心支撑，具备广阔的市场空间精密零部件是决定半导体设备良率与可靠性的核心基石，其价值占比与技术壁垒随先进制程演进攀升。（PVD/CVD）CMP20%–40%，图表34 半导体精密零部件分类分类占设备成本比例零部件具体类别所应用的主要设备机械类20%-40%金属工艺件：反应腔、传输腔、过渡腔、内衬、匀气盘等应用于所有设备金属结构件：托盘、冷却板、底座、铸钢平台等非金属机械件：石英、陶瓷件、硅部件、静电卡盘、橡胶密封件等电气类10%-20%射频电源、射频匹配器、远程等离子源、供电系统、工控电脑等应用于所有设备机电一体类10%-25%EFEM、机械手、加热带、腔体模组、阀体模组、双工机台、浸液系统、温控系统等应用于所有设备，其中双工机台和浸液系统仅用于光刻设备气体/液体/真空系统类10%-30%气体输送系统类：气柜、气体管路、管路焊接件等气体/真空系统：主要应用于薄膜沉积、刻蚀、离子注入等干法设备真空系统类：干泵、分子泵、真空阀门等气动液压系统：主要应用于化学机械抛光、清洗设备气动液压系统类：阀门、接头、过滤器、液体管路等仪器仪表类1%-3%气体流量计、真空压力计等应用于所有设备光学类55%光学元件、光栅、激光源、物镜等主要应用于光刻设备、量测设备等其他3%-5%定制装置、耗材等应用于所有设备创精密招股书、华创证券从产业链位置看，精密零部件位于材料设备晶圆制造的承上启下环节。接金属及非金属功能材料，下游同时服务于半导体设备厂商（设备装机阶段）高度相关，具备明显的周期放大效应。图表35 零部件上下游条创精密招股书、华创证券在行业扩产与技术迭代共振下，精密零部件市场空间持续扩张，并向高端制程集中。SEMI202420271560SEMI预计2024–2028年先进工艺设备CAPEX17.8%CAGR5002nm190430立“”图表36 半导体设备销额 图表37 先进制程设备场空间2000

15%

600150010005000

2024 2025 2026 2027半导体设备销售额（亿美元） WFE（亿美元）

10%5%0%

5004003001000

2024

2028半导体设备yoy WFE设备yoy

先进制程设备市场空间（亿美元） 2024-2028年CAGR17.8%EMI、华创证券 EMI、华创证券202542882027年增长至1877亿元，增速显著高于全球平均水平。图表38 2018-2027E精密零部件市场空间6000500040003000200010000

2018 2019 2020 2021 2022 2023E 2024E 2025E 2026E 2027E全球市场规模（亿元） 中国市场规模（亿元） 全球市场增速 中国市场增

45%40%35%30%25%20%15%10%5%0%-5%-10%利文、转引自公司招股（二）国产替代迫切性催生行业机遇，公司全面布局半导体精密零部件202425%35%30%S10%-40%国产替代加速与AI1230锁定超40C与GNSEMI751212202429202771图表39 国内主要晶圆近期及规划扩产情况晶圆厂近期及规划扩产情况中芯国际20252万片/1290%；2025年资本开支约70–80亿美元；SN2规划新增3.5万片/月；中芯北方由6.2万片/月扩至10万片/月；中芯东方三阶段合计规划10万片/月华虹公司推进“8英寸+12英寸”战略；无锡12英寸产线一期投产；二期扩至83K产能，设备选型与商务流程已完成长鑫存储Counterpoint202550%；TrendForce2025年底月产能达30万片，占全球DRAM产能约15%长江存储启动三期项目，推进232层及以上3DNAND量产，规划总产能进一步提升国内整体情况121992.1万片/月；规1150.0万片/8座，累计总产能约18万片/2SiC920/月，硅基氮化镓产线1座。圳恒运昌公司公告、芯谋研究、证券市场周图表40 主要国产半导设备厂商扩产情况设备厂商扩产情况及规划拓荆科技上海临港先进工艺装备产业化项目2025年6月投用；沈阳浑南高端装备基地2025年6月开工；2025年定增用于产业化基地及研发中心建设北方华创推进半导体装备产业化基地扩产项目（四期）；截至2025年上半年累计投入约21.93亿元，建成后年产集成电路设备500台中微公司302026发及生产基地计划2027年投产微导纳米募资建设无锡薄膜沉积设备智能化工厂，达产后新增约50台/套设备年产能圳恒运昌公司公告、华创证券供应链安全倒逼核心零部件自主可控件（）50%分品类不足10%公司依托靶材零部件PVDCVDOEM图表41逸军《江丰电子：我们的强劲增长之旅》、转引自科创板日报视频号（Shower当前研发重心正全速向国产化率极低、技术壁垒更高的“卡脖子”（ESC），ESC产品/项目类型当前状态应用环节客户类型气体分配盘（ShowerHead）已量产并产业化PVD/CVD设备厂、晶圆厂金属腔体已量产并产业化PVD/CVD/Etch设备厂、晶圆厂其他结构零部件已量产并产业化多工艺通用设备厂、晶圆厂静电吸盘产线建设中先进制程沉积/刻蚀设备厂、晶圆厂硅电极、石英/陶瓷零部件在研/部分量产核心工艺设备设备厂、晶圆厂为多产品/项目类型当前状态应用环节客户类型气体分配盘（ShowerHead）已量产并产业化PVD/CVD设备厂、晶圆厂金属腔体已量产并产业化PVD/CVD/Etch设备厂、晶圆厂其他结构零部件已量产并产业化多工艺通用设备厂、晶圆厂静电吸盘产线建设中先进制程沉积/刻蚀设备厂、晶圆厂硅电极、石英/陶瓷零部件在研/部分量产核心工艺设备设备厂、晶圆厂司公告、华创证券第二增长曲线2021-20241.848.87亿CAGR55.6%司精密零部件产能利用率在新产品导入与产能迅速爬坡阶段仍保持在相对高位区间；同14.8754.3614.8539.25“”图表43 公司半导体精零部件业务保持高速 图表44 公司零部件产迅速爬坡1098765432102021 2022 2023 2024零部件（亿元） yoy

100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%

60504030201002022 2023 2024 2025H1产量（万件） 销量（万件产能利用率 产销率

120%100%80%60%40%20%0%司公告、华创券 司公告、华创证券（三）募投聚焦静电吸盘等核心件，突破“卡脖子”环节确立高竞争壁垒稼动率。静电吸盘（ESC）是半导体设备中兼具“高技术壁垒、高单品价值、高频耗材”属性的核心功能件，直接决定晶圆良率与产线稼动率。PVDCVDEUVESC10–1169%）ESC1–2强的耗材属性，在设备原厂配套（OEM）与晶圆厂维保（FAB）两端均形成了持续、刚性的替换需求。流量计,2% 陶瓷件,2% 流量计,2% 陶瓷件,2% 密封圈,1%规,3%边缘环组件,6%其他,29%喷淋头,8%静电吸盘,9%石英件,阀门,9%射频发真空泵,10%生器,10%STE官网图表46 静电吸盘占比，价值量高流量计,2% 陶瓷件,规3%边缘环组件6%

密封圈,1%其他,29%喷淋头,8%静电吸盘,9%阀门,9%

真空泵10%

生器,10%

石英件,11%谋研究、华创证券QYResearchESCLamResearchSHINKO92%的OEMESC202513.18203220.076.3%ESC10%图表47 OEM静电吸市场空间YR《2026-2032球及中国OEM静电吸 十五五规划分析报告》、华创证券2、公司拟募投10亿重注静电吸盘（ESC），“技术引进+自主研发”双轮驱动加速国产替代，首批5000万订单落地验证高景气。公司拟实施“年产5,1009.985,100ESC+ESCIRR35.07%4.53年（。图表48 KSTE在静电吸盘领域的产品与术力KSTE具体内容主营方向静电吸盘（ESC）设计、生产及相关设备与工艺的开发、集成与安装ESC类型库仑型（Coulomb）及J-R型（Johnson-Rahbek）电极形式单极（Uni-Polar）、双极（Bi-Polar）陶瓷体系氧化铝陶瓷（Al₂O₃）陶瓷盘/陶瓷涂层方案加热与控温内嵌加热器（EmbedHeater），支持2-Zone、4-Zone及多Zone控温结构与工艺多层陶瓷结构、加热与电极集成、Bonding工艺业务形态新设计/定制化开发、既有ESC结构修改、翻新与再制造合作方式向江丰电子提供生产技术、产线及必要的工艺指导，支持量产落地STE官网、华创证券20251KSTEINC.KSTEESC年起公司已启动ESC5,000ESC销四、产业投资协同：打造半导体新材料孵化平台，构筑生态护城河CMP图表49 江丰电子发展划逸军《江丰电子：我们的强劲增长之旅》、转引自科创板日报视频号台化布局。CMP图表50逸军《江丰电子：我们的强劲增长之旅》、转引自科创板日报视频号（3DIC（SiC（ICAI5GARMEMS3DIC2026220.6424%2024128-12爬坡期。根据TECHCET，202623.3逻辑和存储工艺的高精密冷加工及合成石英部件。图表51 江丰电子平台布局业务板块/主体核心布局、产品及服务基地/工厂分布睿昇科技（零部件）服务芯片八大工艺的核心零部件，布局十余条专线（研发、生产、品质、客户服务独立运作），产品持续迭代华北、华东（2所）、华南（待开业）润平电子（CMP材料）布局抛光垫、抛光液等CMP相关产品，覆盖抛光、组头服务相关品类浙江余姚、江苏宜兴、上海临港（三大基地）晶丰芯驰（SiC）碳化硅材料及相关产品，分为导电型、半绝缘型，深耕四大技术海宁碳化硅工厂芯丰精密（3DIC）聚焦3DIC工艺，拥有完整四大板块、9款量产产品宁波（装备工厂）、武汉（装备工厂）、上海（耗材工厂）江丰同芯（SiC覆铜陶瓷基板）功率模块用散热基板，核心产品为IGBTDBC、AMB、DPC、DBA专线（在建）余姚工厂、无锡工厂（在建）、蚌埠工厂（在建）芯微精密（磁器件）磁器件车载解决方案-荆芯科技（售后服务）售后服务武汉、宁波、深圳（可提供现场服务）凯德石英（石英件）半导体芯片及光伏用石英件凯芯新材料、凯美石英、凯德石英、凯德芯贝逸军《江丰电子：我们的强劲增长之旅》、转引自科创板日报视频号，凯德石英公司公五、盈利预测与估值/2026H2具体分业务来看：20SKAI2025-202730.53/41.63/50.92毛利率为31.5%/33.0%/34.6%。KSTE，深度布局国产化率低于10%2025-202710.71/16.72/25.5922.0%/24.4%/27.2%。3）我们预计2025-2027年公司其他（特种材料等）收入分别为4.81/2.89/3.46亿元，毛利率为23.0%/25.0%/27.0%。2022202320242025E2026E2027E靶材业务2022202320242025E2026E2027E靶材业务营业收入（亿元）16.1116.7323.3330.5341.6350.92YoY59.84%3.79%39.51%30.84%36.34%22.33%毛利率30.38%28.45%31.35%31.45%33.02%34.60%毛利（亿元）4.904.767.329.6013.7517.62零部件业务营业收入（亿元）3.