CN112825341B 形成多个光电器件的公共电极的方法 （原子能和替代能源委员会）

US2014159071A1,2014.0本发明涉及一种形成多个光电器件的公共支撑基底(111)，在该支撑基底上放置由沟槽底部上形成介电层(130)，在正面和侧面上形成的介电层的厚度分别为厚度E1和小于厚度E1的21.一种形成多个光电器件的公共电极(190)的方法，所述多个光电器件中的每个光电a)提供支撑基底(111)，通过所述多个光电器件的背面(151b)将由述多个光电器件置于所述支撑基底的称为主表面(111a)的表面上，所述沟槽(170)由所述光电器件的侧面(151c)和所述主表面(111a)处b)通过覆盖所述正面、所述侧面(151c)以及所述沟槽(170)的底部来形成介电层c)将所述介电层(130)湿蚀刻小于所述厚度E1的厚度Ee)对所述金属层(185)进行机械化学的抛光，所述抛光停止在步骤c)结束时所保留的每个沟槽从底部起包括与所述第一部分相邻的第二部接在所述支撑基底(111)的主表面(134[0002]具体地，尤其是为了简化制造以及增加对具有极高纵横比的LED侧面上的电极的[0003]现有技术中已知的发光显示器件通常包括发光二极管(LED)组件，尤其是氮化镓[0005]发光显示器件还包括与LED中的每个LED的N掺杂半导体层电接触的公共电极。该[0007]该方法具体包括如图1A所示的提供在其主表面上形成有集成控制电路110的支撑主表面上起，该层的堆叠体包括N掺杂半导体层153、发光层组件155以及P掺杂半导体层体150中形成沟槽170，并且沟槽170在堆叠体的整个厚度上延伸，以限定多个LED172(图5[0022]然后执行部分地去除钝化层的步骤。该步骤具体包括去除覆盖图案120以及侧面[0027]接下来执行在硬掩模图案120上停止的机械化学抛光步骤，以仅将金属保留在沟[0030]这种不均匀导致的后果是一个沟槽的第一部分与另一个沟槽的第一部分之间有[0032]本发明的另一个目的是提出一种与现有技术中已知的方法相比更可靠且具有更[0033]本发明的目的至少部分地通过一种形成多个光电器件的67[0061]图2A至图2E中示出了制造多个发光二极管172的公共电极的方法的各个步骤的示[0063]具体地，沟槽170由发光二极管172的侧面151c和主表面111a处的底部170a来界[0064]支撑基底111可以在其主表面111a上包括集成电路，该集成电路旨在单独寻址每[0066]具体地，金属连接柱113旨在连接至发光二极管172的背面1[0067]集成电路还可包括与每个发光二极管172相关联的基本单元，该基本单元设有一个或多个用于控制在二极管中流通的电流的[0069]a0)提供在其主表面111a上设有集成电路的支撑基底111(图3A，仅示出了金属柱地减小置于支撑基底111的主表面111a上的结[0076]在步骤a1)中形成的堆叠体可以包括从种子基底151的第一面起的第一N掺杂半导[0077]步骤a2)可以包括在支撑基底111的主表面111a上接合种子基底(在其上形成有堆8[0081]发光层组件155中的每个发光层可包括例如基于GaN、InN、InGaN、AlGaN、AlN、[0082]可替选地，组件155的发光层例如可以是残余施主浓度在1015和10[0092]具体地，正面151a和侧面151c的介电层130的厚度分别为厚度E1和小于厚度E1的[0095]可以通过等离子体激活化学气相沉积技术来形成介电层130。就该技术能够进行可以使用任何其他可能以非顺应性方式来沉[0098]“顺应性沉积技术”指的是在侧面和正面上的沉积速率基本上相等(有利地相等)[0099]钝化层120的厚度可以在5nm与30nm之间，并且至少包括选自以下的材料：SiO2、[0103]步骤c)还被执行为保留沟槽170的与第一部分171a相邻的第二部分171b处的介电[0104]在步骤c)结束时保留的介电层的部分将有利地用作停止说明书其余部分所描述9[0113]就这一点而言，在步骤c)结束时保留在正面151a上的介电层130的部分用作抛光[0114]在步骤e)结束时保留在沟槽170中的金属形成公共电极，该公共电极在每个发光[0115]在第二部分170b处存在介电层130以及可选地存在钝化层，使得公共电极能够与