CN112880884B 压力传感器及其制造方法 （慧石（上海）测控科技有限公司）

CN214702570U,2021.11.12US2012297884A1,2012.11.29绝缘层的正面的厚半导体材料层以及包覆厚半有效控制压力敏感膜的厚度一致性以及平面尺2所述衬底结构还包括中部硅材料层以及形成在所述中部硅材料层的上表面的衬底上所述衬底结构的上表面向下凹陷形成键合槽，所述厚半导体材料层键所述压力传感器还包括对应设置在所述导电接触孔处并与所述压阻电导通每个所述压阻或每个所述导电连接线对应设置有至少一个所S1、选取第一硅晶圆，并在第一硅晶圆的正面层；所述第一硅晶圆为具有双层绝缘层上的硅结构的晶圆(DoubleSilicon_on_S3、去除S1中生长的正面绝缘层，并在所述第一缘层，同时在第一硅晶圆的正面重新生成包覆所述厚半导体材料层的顶层第二下绝缘层，3在所述第一绝缘层背面淀积包覆所述压阻层每个所述压阻或每个所述导电连接线对应形成有至少一个所在所述衬底结构上形成有贯穿所述衬底结构的进气口，并使所4[0003]传统的MEMS压力传感器多基于传统单层SOI晶圆采用背面湿法腐蚀的方案刻蚀敏[0005]针对上述问题，现有技术中还有采用双层SOI晶圆(DSOI)进行背面刻蚀实现压力5述导电接触孔用于使所述压阻层部分露出于所述顶层[0011]所述压力传感器还包括对应设置在所述导电接触孔处并与所述压阻层电导通的6[0027]在其中一个实施例中，所述每个所述压阻对应形成有至顶层第一下绝缘层24的正面的厚半导体材料层25以及包覆所述厚半导体材料层25的顶层[0038]所述衬底结构1的上表面向下凹陷形成键合槽10，所述厚半导体材料层25键合于7半导体材料层25键合于衬底结构1的键合槽10内并与所述键合槽10形成间隙，既可有效控对应的导电接触孔271，所述导电接触孔271用于使所述压阻层231部分露出于所述顶层上[0045]在一个实施例中，如图1所示，所述压力传感器还包括设置在所述导电接触孔处阻2311之间先通过所述顶层上绝缘层27进行电学隔离，后续通过上层的金属块3互补性电8述中部硅材料层11的上表面的衬底上绝缘[0054]优选地，所述第一硅层21与所述第二硅层23及所述第三硅第一下绝缘层24，同时在第一硅晶圆a的正面重新生成包覆所述厚半导体材料层25的顶层[0065]然后，对所述第二硅晶圆b及形成在所述第二硅晶圆b的上表面的衬底绝缘层1019上表面101重新生成覆盖第二硅晶圆b的上表面101及键合槽10内壁的衬底上绝缘层12(如顶层上绝缘层27采用等离子增强化学气相淀积(P[0076]形成所述导电接触孔271之后，可在所述导电接触孔271处形成与所述压阻层231述导电接触孔271对应形成有至少一个所述[0079]若所述导电接触孔对应压阻形成，则金属块只作为wire_bonding的打线pad的功块也将提供wire_bonding的打线p[0085]先采用硅的深反应离子在所述中部硅材料层11上刻蚀第一通孔110，并利用自停[0086]再去除所述衬底上绝缘层12上与所述第一通孔110对应的位置，形成第二通孔