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光通信O波段硅基高速半导体激光芯片及其本发明提出一种光通信O波段硅基高速半导层来形成InP材料低位错密度的生长表面；在能带结构上采用N-InAlGaAs取代常规的N-InAlAs2芯片前后出光端面解离在再生长区域，再生长区域填充有再生长形成的P-InP层、N-在所述InGaAlAs应变多量子阱和垒中，垒层由3层2nmInGaAlAs垒和2层2.根据权利要求1所述的光通信O波段硅基高3.根据权利要求2所述的光通信O波段硅基高掺杂20nmInAlGaAs下分别限制层；生长7层8nm-InAlGaAs张应变量子阱，张应变至少为温下生长100nmP-InP光栅掩埋层，25nmP-InGaAsP腐蚀停止层，生长2.0微米P-InP空间5.根据权利要求4所述的光通信O波段硅基高速半导3[0001]本发明涉及激光芯片技术领域，尤其涉及一种光通信O波段硅基高速半导体激光由于晶格常数等不匹配使得在硅衬底上无法直接可以进一步的降低激光器阈值，使得出光功率和弛豫频率更高（Tanban-EKTetal．PerformanceenhancementofI的有效质量较小通常在导带上采用P型电子阻挡层对其进行限制，然而空穴的有效质量较[0005]为了克服现有技术存在的缺陷，本发明提供了一种光通信O波段硅基高速半导体出光和背光端面进行选择区域生长PNP电流阻挡层的方法可以阻挡电流流向端面；另一方可以不用采用常规的BCB等工艺。[0006]其通过采用不同的缓冲层来形成InP材料低位错密度的生长表面；在能带结构上4Si衬底上依次形成的：N-GaP缓冲层、N-GaAs缓冲层、N-InP缓冲层、N-InAlGaAs过渡层、[0016]步骤S1：缓冲层生长：将N-Si衬底放入MOCVD生长腔体，在高温下通氮气烘烤为1.3%，生长8层10nm-InAlGaAs压应变量子垒，压应变至少为0.4%，量子垒由3层2nm-5免载流子流向端面与光子作用发热，发生COMD（腔面灾变失效同时PNP结构材料作为波可以实现基于硅衬底的光通信O波段高速半导体激光器量子阱和垒，9为InGaAlAs上分别限制层，10为P-InAlAs层，11为P-InP间隔层，12为P-6少1.3%，生长8层10nm-InAlGaAs压应变量子垒，压应变至少0.4%，量子垒由3层2nm-电子密度而引起的腔面灾变失效（COMD此外PNP层在光学上可以作为波导层，调整N-InGaAsP层的厚度可以优化光斑近场在端面的分布从而改善端面光子密度，降低芯片端面与半导体材料表面通过SiO2钝化层和掺Fe绝缘InP层形成电学隔离，形成较低的芯片电式的光通信

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