CN113206068B 半导体封装件和其制造方法 （台湾积体电路制造股份有限公司）

US2020111729A1,2020.0由至少一个管芯的背侧表面和一对相邻侧表面其它管芯并且具有与至少一个管芯的背侧表面2其中所述多个半导体管芯电连接到所述插入件且并排安置在所述多个半导体管芯中的至少一个半导体管芯包括外部所述外部角由所述至少一个半导体管芯的所述背侧表面和所述至少一个半导体管芯述一对相邻侧表面中的每一侧表面不面向其它半导体管芯并且具有与所述至少一个半导4.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中所述底填充料至少部分地安置在所述角衬垫与所述至少一个半导体管芯的所述一对相5.根据权利要求2所述的半导体封装件，其中所述多个半导体管芯的所述背侧表面和所述角衬垫的顶部表面与所述密封体的顶部表面实6.根据权利要求3所述的半导体封装件，其中所述多个半导体管芯的所述背侧表面以7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中所述多个半导体管芯的所述背侧表面与密封体，包括不同于所述第一材料的第二材料且安置3所述背侧表面的所述外部角以所述角衬垫与所述密封所述一对相邻侧表面中的所述侧表面具有一共所述一对相邻侧表面中的每一侧表面将所述一个半导体管芯的所述背侧表面连接到所述一个半导体管芯的所述背侧表面的所述外部角由所述一个半导体管芯的所述背个半导体管芯的所述背侧表面相对的所述一个半导体管芯的有源表面处以在所述一个半通过安置在多个半导体管芯的有源表面处的连接件将所述多个半导体管芯电连接到在所述多个半导体管芯中的第一半导体管芯的背侧表面上形成包括第一材料的圆角结构，所述第一半导体管芯的所述背侧表面与所述第一半导体管芯的所述有源表面相对；形成包括第二材料且横向地包覆所述多个半导体管芯和所述底填其中所述第一半导体管芯的外部角以所述圆角结构与所述密封体外部角由所述至少一个半导体管芯的所述背侧表面和所述至少一个半导体管芯的一对相邻侧表面中的每一侧表面不面向其它半导体管芯并且具有与所述至少一个半导体管芯的4形成所述圆角结构包括经由激光切割使所述第一半导体管芯的外所述第一半导体管芯的所述外部角由所述第一半导体管芯的所述背侧表面和所述第所述一对相邻侧表面中的每一侧表面不面向其它半导体管芯且具有与所述第一半导17.根据权利要求15所述的半导体封装件的制造方法，其中形成所述圆角结构包括在所述第一半导体管芯的所述外部角由所述第一半导体管芯的所述背侧表面和所述第所述一对相邻侧表面中的每一侧表面不面向其它半导体管芯且具有与所述第一半导其中分配所述填充材料以至少部分地覆盖所述第一半导体管芯的所述一对相邻侧表分配所述第一材料以使得所述底填充料的至少一部分插入于所述角衬垫与所述第一在所述插入件上形成密封材料，从而覆盖所述多个半导体管芯和固化的所述第一材去除固化的所述第一材料的一部分以及所述密封材料5[0001]通常在单个半导体晶片上制造用于例如行动电话和其它移动电子设备的各种电有与至少一个半导体管芯的背侧表面共同的[0006]图1A到图1K是示出根据本公开的一些实施例的半导体封装件的制造工艺的示意6[0008]图2是示出根据本公开的一些实施例的半导体封装件的制造工艺的示意性横截面各种实例中重复附图标记和/或字母。这种重复是出于简化和清楚的目的并且本身并不指[0014]图1A到图1L是示出根据本公开的一些实施例的半导体封装件10和半导体器件15体衬底110a包含有源组件(例如，晶体管或类似物)且视情况包含形成在其中的无源组件7[0016]参考图1B，在一些实施例中，半导体管芯200A到半导体管芯200D安置在插入件管芯200包含半导体衬底210、接触垫220以及钝化层230。接触垫220可形成在半导体衬底210的前表面210a上。钝化层230可覆盖半导体衬底210的前表面210a且具有暴露每一接触[0017]半导体衬底210由半导体材料制成，类似于先前参考插入件100a的半导体衬底100a上的半导体管芯200中的任一个可呈现与刚刚所论述的半导体管芯类似的特征。每一半导体管芯200可以是独立的或包含逻辑管芯，例如中央处理单元(centralprocessing可以是存储器管芯。本公开并不受安置在插入件100a上的半导体管芯200的类型或数量的置为有源表面200a(暴露接触柱240或在不包含接触柱240时暴露接触垫220的表面)面向插管芯200A到半导体管芯200D可另外具有使背侧表面210b与相对前表面210a接合的侧表面导体管芯200D包含共用一边缘(edge)且不面向其它半导体管芯200A到半导体管芯200D的8对的侧表面200s可在阵列中的相邻半导体管芯200A到半导体管芯200D之间形成微小间隙半导体管芯200B与半导体管芯200C)的侧表面200s之间的距离。侧表面200s被视为使半导体管芯200A到半导体管芯200D的有源表面200a与对应背侧表面200b体管芯200D与插入件100a之间以保护连接件300免受热应力或物理应力的影响且确保半导和/或减小的压力，以使填充材料400a通过毛细作用穿入由半导体管芯200A到半导体管芯200A到半导体管芯200D在插入件100a上方的间距和相对方位而在半导体管芯200A到半导料500a在半导体衬底210邻近于外部角OC的背侧表面210b的一部分上延伸，且沿着与背侧200A和半导体管芯200D中的每一个包含不面向阵列的另一半导体管芯200A到半导体管芯9的面向视点的半导体管芯200A的侧表面200s相对的半导体管芯200A的侧表面(图1E中未显示)以巩固角衬垫材料500a且形成固化的角衬垫材料500b。在一些实施例中，角衬垫材料500a的固化温度可介于100℃与400℃之间的500b和底填充料400中可不包含填料。在一些实施例中，密封材料600a通过覆模(over_艺去除密封材料600a的一部分直到暴露半导体管芯200A到半导体管芯200D的背侧表面磨工艺和/或化学机械抛光(chemicalmechanicalpolishing；CMP)工艺。在一些实施例中，固化的角衬垫材料500b的一部分也在平坦化工艺期间去除以形成角衬垫500。也就是的背侧表面200b可与密封体600的顶部表面600t实质上共面且与角衬垫500的顶部表面除半导体衬底110a的所述部分。蚀刻工艺包含例如各向同性蚀刻工艺和/或各向异性蚀刻在一些实施例中，重布线结构700包含介电层702、重布线导电层704以及多个凸块下金属暴露下方重布线导电层704。凸块下金属706可视情况在暴露重布线导电层704的(最外部)合适的制作技术形成，所述合适的制作技术例如旋涂法、化学气相沉积(chemicalvapordeposition；CVD)、等离子体增强化学气相沉积(plasma_enhancedchemicalvapor以及凸块下金属706的数量仅是出于说明性目的，且本公开不限于此。在一些替代实施例和更多层介电层702时，重布线导电层704的金属化层级仍然与介电层702的各层交替地堆管芯200A到半导体管芯200D。底填充料400安置在半导体管芯200A到半导体管芯200D与插到插入件100的倾斜表面400s，且角衬垫500可安置在倾斜表面400s的初始区段(更接近于半导体管芯200A或半导体管芯200D)上。角衬垫500也与底填充料400和密封体600直接接体管芯200D(半导体管芯200A到半导体管芯200D中的外部半导体管芯)的圆角结构RCS。在一些实施例中，圆角结构RCS减轻外部半导体管芯200A和外部半导体管芯200D的半导体衬导体管芯200A和外部半导体管芯200D的外部角OC处设置圆角结构RCS，可减少对应于外部导体管芯200A和外部半导体管芯200D的圆角结构RCS，可增强半导体封装件10的机械稳定800与形成在电路衬底900的表面上的接触垫902建立电接触。在一些实施例中，电路衬底例中，底填充料1000可设置在电路衬底900上以保护导电端子800免受热应力或机械应力。在一些实施例中，底填充料1000的材料可与半导体封装件10中所包含的底填充料400的材[0031]图2是根据一些替代实施例的在半导体封装件10的制造方法期间产生的结构的示固化步骤期间一起固化。在一些实施例中，可选择合适的材料组合以一起固化填充材料第一聚酰亚胺的粘度。在这种情况下，填充材料400a和角衬垫材料500a可例如在100℃到400℃范围内所包括的固化温度下一起固化持续介于2小时到12小时范围内所包括的时间。[0032]图3是根据本公开的一些实施例的半导体封装件10的示意性透视图。图4A是根据外部半导体管芯200A和外部半导体管芯200D设置为在外部角OC处具有圆角结构RCS。参考表面200Ds1和侧表面200Ds2的定义的一个角。背侧表面200b还与侧表面200Ds4共用一边体封装件20与图4A的半导体封装件10之间的差异在于角衬垫502的形状也就是说，在图4B的半导体封装件20中，角衬垫具有沿着表面200As1或表面200As2中的每一个与背侧表面体封装件30与图4A的半导体封装件10之间的差异在于以阵列配置形式安置的半导体管芯是因为每一半导体管芯具有一对相邻侧表面(例如半导200D，并不面向半导体管芯200A到半导体管芯200C以及半导体管芯200E到半导体管芯200D包含由背侧表面200b(例如，图3中所示出)与表面200Ds1和表面200Ds2形成的单个外1B中所示出)与密封体600之间的界面处的机械应力可减小，从而减少或防止密封体600中有与至少一个半导体管芯的背侧表面共同的一些实施例中，所述至少一个半导体管芯的所述背侧表面形成尖锐角以及一或多个平滑导体管芯的所述背侧表面相对的所述一个半导体管芯的有源表面处以在所述一个半导体导体管芯的所述背侧表面连接到所述一个半导体管芯的所述有源表面且不面向所述阵列面不面向其它半导体管芯且具有与所述第一半导体管芯的所述背侧表面共同的一第二边[0042]前文概述若干实施例的特征使得本领域的技术人员可更好地理解本公开的各方入的实施例的相同目的和/或达成相同优势的其它工艺和结构的基础。本领域的技术人员