CN113231906B 晶片生成方法和晶片生成装置 （株式会社迪思科）

US8835802B2,2014.09.16US2019030651A1,2019.01.31能够在不一一检测锭的上表面的高度的情况下体锭生成晶片，该晶片生成方法包含如下的工半导体锭的上表面照射对于锭具有吸收性的波照在该热应力波生成工序中生成的热应力波以与锭的材质对应的音速在内部传播而到达相当表面照射对于锭具有透过性的波长的脉冲激光窄的区域中产生具有透过性的波长的脉冲激光2热应力波生成工序，向该卡盘工作台所保持的该半导体破碎层形成工序，按照在该热应力波生成工序中生成的热应力波以与该该晶片生成方法还具有如下的平坦化工序：在该剥离热应力波生成单元，其向该卡盘工作台所保持的该半导体锭的破碎层形成单元，其按照由该热应力波生成单元生成的热应力波以与该该晶片生成装置还具有剥离单元，该剥离单元从由该破碎层3[0001]本发明涉及从半导体锭生成晶片的晶片生成方法以及从半导体锭生成晶片的晶[0005]但是，在利用线锯切断锭并对正面和背面进行研磨而生成晶片的情况下，锭的4盘工作台所保持的半导体锭的上表面照射对于半导体锭具有吸收性的波长的脉冲激光光由该热应力波生成单元生成的热应力波以与半导体锭的材质对应的音速在内部传播而到[0017]图2的(a)是示出配设于图1所示的晶片生成装置的激光光线照射单元的光学系统5动机构24通过滚珠丝杠28将电动机30的旋转运动转换为直线运动并传递给X轴方向可动板动机构26通过滚珠丝杠32将电动机34的旋转运动转换为直线运动并传递给Y轴方向可动板伸的垂直壁部36a和实质上水平延伸的水平壁部36b。在水平壁部36b中内置有激光光线照形成单元(随后进行详细叙述)。在框体36的水平壁部36b的前端下表面上配设有构成激光[0027]拍摄单元12配设于水平壁部36b的前端下表面上且在X轴方向上与激光光线照射下表面上连结有以沿上下方向延伸的轴线为中心旋转自如的圆盘状的吸附片16d。在吸附片16d的下表面上形成有多个吸引孔(省略图示)，吸附片16d经由流路而与吸引单元(省略6[0030]在本实施方式中，成为被加工物的是图1所示的圆柱形状的Si锭(以下简称为锭)[0031]参照图2的(a)对内置于晶片生成装置2的水平壁部36b的激光光线照射单元6的光生成对于作为被加工物的锭50具有吸收性的波长的第一脉冲激光光线PL1；第二激光光线部6C，其将由第一激光光线生成部6A生成的第一脉冲激光光线PL1和由第二激光光线生成部6B生成的第二脉冲激光光线PL2照射到保持单元4所保持的锭50线生成单元61具有：第一激光振荡器611，其射出例如波长为355nm的第一脉冲激光光线第二激光光线生成单元63射出的第二脉冲激光光线PL2延迟期望的时间。第二激光光线生及第二衰减器632，其对从第二激光振荡器631射出的第二脉冲激光光线PL2的输出进行调光振荡器631射出的第二脉冲激光光线PL2延迟的延迟单元64例如通过经由长度与所延迟的时间对应的光纤(省略图示)而输出第二脉冲激光光线射的第一脉冲激光光线PL1进行反射，使从第二激光光线生成部6B引导的第二脉冲激光光至上述分色镜65的第一脉冲激光光线PL1和第二脉冲激光光线PL2照射到卡盘工作台22上[0036]通过上述第一激光光线生成部6A和激光光线导入部6C形成本发明的热应力波生射对于锭50具有吸收性的波长的脉冲激光光线PL1而生成热应力波，并使该热应力波在锭7表面52生成的热应力波以与锭50的材质对应的音速在锭50的内部传播而到达距离锭50的上表面52相当于应生成的晶片W的厚度的深度位置(例如距锭50的上表面(52)为1mm的深度)的规定的时间，从锭50的上表面52照射对于锭50具有透过性的波长的第二脉冲激光光[0038]参照图2的(a)和图2的(b)对能够使用上述晶片生成装置2实施的从锭50生成晶片W的晶片生成方法的实施方式进行更具体的面52的规定的加工开始位置定位于聚光器的平均输出被调整为以下程度的较低的输出：虽然第一脉冲激光光线PL1是对于锭50具有[0047]当通过上述热应力波生成工序向锭50的上表面52照射第一脉冲激光光线PL1时，→N3所示的那样在锭50的内部传播。该热应力波N1～N3传播的速度是与构成锭50的材质(Si)对应的音速(9620m/s)。在硅等半导体中传播的热应力波N1～N3是短脉冲的拉伸应力631与第一激光振荡器611同步地以相同的重复频率(50kHz)射出对于构成锭50的材质(Si：一脉冲激光光线PL1延迟规定的时间而输出。由第二激光光线生成部6B的延迟单元64延迟8锭50的内部传播的音速(9620m/s)到达相当于应生成的晶片W的厚度的深度位置(1mm)的时部6C照射到锭50的上表面52的被照射第一脉冲激光光线以与构成锭50的材质对应的音速(传播速度)传播，在距上表面52成为应生成的晶片W的厚作台22在X轴方向和Y轴方向上移动，将在锭50中未照射第一脉冲激光光线PL1和第二脉冲激光光线PL2的各区域依次定位于能够从聚光器69照射第一脉冲激光光线PL1和第二脉冲激光光线PL2的区域，实施上述热应力波生成工序和破碎层形成工序，在锭50的整个区域的晶片W的厚度对应的位置的时间(103.9ns)延迟的第二脉冲激光光线PL2，由此能够在应生成的晶片W的厚度(1mm)的位置生成破碎层S，从而能够在不检测锭50的上表面的高度的9施使晶片W被剥离后的锭50的新的上表面52平坦化的平坦上设置图4所示的磨削单元7(仅示出一部分)，实施使锭50的上表面52平坦化的平坦化加单元7的下方。接着，通过使未图示的旋转驱动单元进行动作，使卡盘工作台22以例如H1和破碎层形成单元H2中共用激光光线导入部6C，从同一方向照射第一