CN113252232B 一种压力传感器及其制备方法 （深圳市美思先端电子有限公司）_第1页
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文档简介

道凤凰社区招商局光明科技园B1B2栋本发明提供了一种压力传感器及其制备方包括位于正面的绝缘介质层和绝缘介质层覆盖2所述硅应变膜片(2)的正面朝向所述空腔处设有十字梁结构的梁膜结构属引线(6)和所述重掺杂接触区(5)在所述硅应变膜片(2)的正面形成欧姆接触，且各压敏所述凹槽结构(7)等间距或非等间距设于所述十所述梁膜结构(3)与边缘膜区域连接的所述凹槽结构(7)的形状为直条形或线性渐变2.根据权利要求1所述的一种压力传感器，其特征1)在硅衬底正面制作相互连接的压敏电阻(4)和重掺杂接触区(5)，得到硅应变膜片3)在硅应变膜片(2)的正面通过光刻定义梁膜结构6)将步骤5)得到的带有十字梁结构的硅应变膜片(2)与打孔的玻璃底座(1)进行阳极34[0002]MEMS压阻式压力传感器是基于单晶硅压阻效应将外界压力变化转变为相应的电[0004]本发明的目的在于提供一种压力传感器及其制备方法，其可克服上述线性度差、5[0019]6)将步骤5)得到的带有十字梁结构的硅应变膜片与带有空腔或不带有空腔的玻[0023]步骤3)中采用正面光刻定义十字梁形状，并采用浅层刻蚀的方式获得十字梁结6面的绝缘介质层和绝缘介质层覆盖的硅衬底，其中硅衬底为N型<100>晶面SOI(Silicon_789

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