GJB 1420B-2011 半导体集成电路外壳规范

GJB1420B-2011半导体集成电路外壳规范一、标准基本信息本标准为中华人民共和国国家军用标准，标准编号GJB1420B-2011，英文名称为《Generalspecificationforpackagesofsemiconductorintegratedcircuits》（半导体集成电路外壳通用规范），由中国人民解放军总装备部批准发布，于2011年12月25日发布，2012年4月1日正式实施，替代原有标准GJB1420A-1999《半导体集成电路外壳总规范》，当前最新版本为GJB1420B-2011(XG1-2015)（含2015年修改单）。标准归口管理单位为中国人民解放军总装备部电子信息基础部，起草单位包括工业和信息化部电子第四研究所、中国电子科技集团公司第五十八研究所、宜兴电子器件总厂、中国电子科技集团公司第十三研究所，主要起草人为李锟、陈裕焜、丁荣峥、郑宏字、史丽英。该标准于1992年首次发布，1999年完成第一次修订，本次（2011年）为第二次修订。二、标准适用范围本规范规定了军用半导体集成电路外壳（以下简称“外壳”）生产和交付的一般要求，以及外壳应满足的质量和可靠性保证要求，明确外壳一般指底座。本规范主要适用于半导体集成电路用的多层陶瓷外壳，是此类外壳设计、制造、检验、交付的核心依据，同时可作为相关详细规范的引用基准（如CSOP14-05型14线陶瓷小外形外壳详细规范即明确引用本标准，当详细规范与本标准要求不一致时，以详细规范为准）。三、与前版标准（GJB1420A-1999）的主要差异本标准在GJB1420A-1999的基础上进行了针对性修订，核心变化如下：调整了第3章部分内容，优化了核心技术要求的表述与界定；调整了鉴定检验的样本大小及试验分组，使检验流程更具科学性和可操作性；新增镀镍质量考核试验方法，明确纳入附录A.2，完善了镀层质量的检验依据；新增陶瓷外壳外观检验要求，明确纳入附录B，细化了外观质量的判定标准。四、核心技术内容概要4.1引用标准本标准引用多项相关国家、行业及军用标准，核心引用标准包括GB/T16526、GB/T7092、GJB179A-1996、GJB3014、GJB360、GJB546、GJB548、SJ20129、SJ20151、YB/T5231-2005、YB/T5235-2005等，引用文件的相关条款通过引用成为本标准的组成部分，其中注日期或版次的引用文件，后续修改单（不含勘误）或修订版不适用本标准，未注日期或版次的引用文件，其最新版本适用本标准。4.2关键要求结合相关详细规范及标准内容，本标准对半导体集成电路外壳的核心要求包括以下方面：材料要求：外壳常用氧化铝陶瓷（氧化铝含量不低于90%），封接环、外引线常用铁-镍合金（4J42），材料性能需符合本标准相关条款规定；镀覆要求：明确镀镍、镀金等镀层的厚度及纯度要求（如镀金纯度不低于99.9%），并通过新增的镀镍质量考核试验方法进行检验；设计与结构要求：规定外壳的设计、结构及外形尺寸需符合标准及对应详细规范，明确键合指与引线的互连对应关系等细节；外观要求：通过附录B明确陶瓷外壳外观检验标准，作为外观质量判定的依据；电性能要求：包括绝缘电阻、引线电阻等指标，需满足相关数值要求（如绝缘电阻≥1.0×10¹⁰Ω，500VDC）；密封要求：规定外壳密封漏率标准，确保封装可靠性；标志要求：明确引出端识别标识及包装标志的具体规范。4.3质量保证规定本标准第4章明确了外壳的质量保证要求，核心包括检验分类、检验条件、筛选、鉴定检验等内容：筛选要求：需进行外观检验和密封筛选，外观检验可结合对应详细规范的补充要求；鉴定检验：明确样本大小、试验分组及具体试验要求，包括镀金质量、引线牢固性、热冲击等试验的条件及判定标准；附录要求：附录A（含镀镍质量考核试验方法）和附录B（陶瓷外壳外观检验要求）为规范性附录，是质量检验的核心依据。五、标准用途与意义GJB1420B-2011作为军用半导体集成电路外壳的通用规范，统一了多层陶瓷外壳的技术要求、检验方法和质量保证标准，为外壳的设计、生产、检验提供了统一依据，有效保障了军用半导体集成电路外壳的可靠性、稳定性和互换性，支撑军用电子设备的整体性能提升。该标