GB/T 15651.4-2026半导体器件第5-4部分：光电子器件半导体激光器

ICS3108031260

;

CCSL.51.

中华人民共和国国家标准

GB/T156514—2026/IEC60747-5-42022

.:

代替GB/T156514—2017

.

半导体器件第5-4部分光电子器件

:

半导体激光器

Semiconductordevices—Part5-4Otoelectronicdevices—Semiconductorlasers

:p

IEC60747-5-42022IDT

(:,)

2026-04-30发布2026-11-01实施

国家市场监督管理总局发布

国家标准化管理委员会

GB/T156514—2026/IEC60747-5-42022

.:

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅴ

范围

1………………………1

规范性引用文件

2…………………………1

术语和定义

3………………1

物理概念

3.1……………1

器件类型

3.2……………2

一般术语

3.3……………3

与额定值和特性有关的术语

3.4………………………3

空间分布和光谱特性

3.5………………7

基本额定值和特性

4………………………8

类型

4.1…………………8

半导体

4.2………………8

外形与封装细节

4.3……………………8

极限值除另有规定外工作温度范围内的绝对最大额定值

4.4(,)……8

光电特性

4.5……………8

补充资料

4.6……………10

测试方法

5…………………10

功率

5.1…………………10

输出稳定性

5.2…………………………10

时域分布

5.3……………12

寿命

5.4…………………14

激光束的光学特性

5.5…………………14

附录资料性空间分布和光谱特性相关术语及定义参照表

A()………18

附录资料性空间分布和光谱特性相关测试方法参照表

B()…………22

附录资料性功率测试和寿命的相关术语定义及测试方法参照表

C()、……………23

参考文献

……………………24

Ⅰ

GB/T156514—2026/IEC60747-5-42022

.:

前言

本文件按照标准化工作导则第部分标准化文件的结构和起草规则的规定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

本文件是的第部分已经发布了以下部分

GB/T156515-4。GB/T15651:

半导体器件分立器件和集成电路第部分光电子器件

———5:(GB/T15651—1995);

半导体分立器件和集成电路第部分光电子器件基本额定值和特性

———5-2:(GB/T15651.2—

2003);

半导体分立器件和集成电路第部分光电子器件测试方法

———5-3:(GB/T15651.3—2003);

半导体器件第部分光电子器件半导体激光器

———5-4:(GB/T15651.4—2026);

半导体器件第部分光电子器件光电耦合器

———5-5:(GB/T15651.5—2024);

半导体器件第部分光电子器件发光二极管

———5-6:(GB/T15651.6—2023);

半导体器件第部分光电子器件光电二极管和光电晶体管

———5-7:(GB/T15651.7—2024);

半导体器件第部分光电子器件封装的硫化氢腐蚀试验

———5-13:LED(GB/T15651.13—

2026)。

本文件代替半导体器件分立器件第部分光电子器件半导体激

GB/T15651.4—2017《5-4:

光器与相比除结构调整和编辑性改动外主要技术变化如下

》,GB/T15651.4—2017,,:

增加了物理概念相关术语见相对强度噪声见小信号截止频率见

a)(3.1)、“”()、“”(

的具体定义描述增加了光束轴见空间分布和光谱特性见的术语和

3.4.4),“”(3.3.1)、“”(3.5)

定义增加了输出及电流特性相关的术语和定义见

,“”(3.4.2);

更改了器件类型中的术语和定义见年版的更改了开关时间上升时间

b)“”(3.2,20173.2),“”“”

下降时间的定义见年版的

“”(3.4.1,20173.4.1);

材料中增加了氮化镓铟镓氮见

c)“、”(4.2.1);

极限值中增加了附加信息见

d)“”(4.4);

补充资料中增加了发射波长的温度特性见

e)“”(4.6);

更改了载噪比测试方法的规定条件调制深度改为调制方式见年版的

f),“”“”(5.2.2,20175.2.2);

更改了开通延迟时间和关断延迟时间测试方法的注意事项增加了应至少是激光下降时间t

g),“f

倒数值的倍见年版的

3”(,2017);

更改了小信号截止频率测试方法见年版的

h)(5.3.2,20175.3.2);

增加了寿命测试方法的具体描述见

i)(5.4);

更改了半强度宽度测试方法的注意事项增加了透镜系统器件和扫描光电探测器应

j),“L、DSD

位于同一水平轴上见年版的

”(5.5.3,20175.5.5)。

本文件等同采用半导体器件第部分光电子器件半导体激光器

IEC60747-5-4:2022《5-4:》。

本文件做了下列最小限度的编辑性改动

:

纳入了修正案的内容在所涉及的条款的外侧页边空白位

———IEC60747-5-4:2022/AMD1:2024,

置用垂直双线进行了标示

(||)。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利本文件的发布机构不承担识别专利的责任

。。

本文件由中华人民共和国工业和信息化部提出

。

本文件由全国半导体器件标准化技术委员会归口

(SAC/TC78)。

本文件起草单位中国电子科技集团公司第十三研究所山东华光光电子股份有限公司度亘核芯

:、、

Ⅲ

GB/T156514—2026/IEC60747-5-42022

.:

光电技术苏州股份有限公司江苏华兴激光科技有限公司深圳市星汉激光科技股份有限公司吉光

()、、、

半导体科技有限公司广东风华芯电科技股份有限公司杭州洛微科技有限公司武汉锐科光纤激光技

、、、

术股份有限公司深圳市杰普特光电股份有限公司全磊光电股份有限公司武汉锐晶激光芯片技术有

、、、

限公司河南仕佳光子科技股份有限公司东莞市蓝宇激光有限公司山东杰美医疗科技有限公司武汉

、、、、

普赛斯电子股份有限公司东莞市昂图智能科技有限公司深圳市中科光芯半导体科技有限公司北京

、、、

卓镭激光技术有限公司深圳市三千米光电科技有限公司

、。

本文件主要起草人张港张丽静吴德华郑兆河张艳春徐鹏飞周少丰佟存柱罗波孙笑晨

:、、、、、、、、、、

闫大鹏文少剑单智发安海岩黄永光吴勇兵徐清华马超曾伟旭郑君雄王涛李汉国

、、、、、、、、、、、。

本文件及其所代替文件的历次版本发布情况为

:

年首次发布为

———2017GB/T15651.4—2017;

本次为第一次修订

———。

Ⅳ

GB/T156514—2026/IEC60747-5-42022

.:

引言

是半导体光电子器件的系列标准主要规定了光电子器件的总体要求基本额定值和

GB/T15651,、

特性测试方法半导体激光器光电耦合器发光二极管光电二极管和光电晶体管等器件的技术要求

、、、、、、

质量保证规定等内容拟由以下个部分构成

,13。

第部分光电子器件目的在于给出半导体光电子发射器件半导体光敏元器件内部工作

———5:。、、

机理与光辐射有关的半导体器件和分类型器件的标准

。

第部分光电子器件基本额定值和特性目的在于给出半导体光电子发射器件半导体

———5-2:。、

光电探测器件半导体光敏器件内部进行光辐射工作的半导体器件及分类为光电子器件的基

、、

本额定值和特性用于光纤系统或子系统的除外

,。

第部分光电子器件测试方法目的在于给出光电子器件的测试方法用于光纤系统或

———5-3:。,

子系统的除外

。

第部分光电子器件半导体激光器目的在于给出半导体激光器的基本额定值特性和

———5-4:。、

测试方法

。

第部分光电子器件光电耦合器目的在于给出光电耦合器的术语基本额定值特性

———5-5:。、、、

安全试验及测量方法

。

第部分光电子器件发光二极管目的在于给出发光二极管的术语额定值和特性测

———5-6:。、、

试方法和质量评估方法

。

第部分光电子器件光电二极管和光电晶体管目的在于给出光电二极管和光电晶体

———5-7:。

管的术语基本额定值和特性以及测量方法

、,。

第部分光电子器件发光二极管光电效率的试验方法目的在于给出发光二极管的

———5-8:。

光电效率试验方法

。

第部分光电子器件发光二极管基于温度相关的电致发光的内量子效率测试方法

———5-9:。

目的在于给出发光二极管的内量子效率测试方法

。

第部分光电子器件发光二极管基于室温参考的内量子效率测试方法目的在于给

———5-10:。

出发光二极管基于室温的内量子效率测试方法

。

第部分光电子器件发光二极管辐射和非辐射电流的测试方法目的在于给出发光

———5-11:。

二极管的辐射和非辐射电流的测试方法

。

第部分光电子器件发光二极管效率的测试方法目的在于给出效率的

———5-12:LED。LED

测试方法

。

第部分光电子器件封装的硫化氢腐蚀试验目的在于给出封装的硫化氢

———5-13:LED。LED

腐蚀试验

。

Ⅴ

GB/T156514—2026/IEC60747-5-42022

.:

半导体器件第5-4部分光电子器件

:

半导体激光器

1范围

本文件规定了半导体激光器的术语基本额定值特性以及测试方法

、、。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款其中注日期的引用文

。,

件仅该日期对应的版本适用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改单适用于

,;,()

本文件

。

激光和激光相关设备激光光束宽度发散角和光束传输比的试验测试方法第部

ISO11146-1、1

分无像散和简单像散光束

:(Lasersandlaser-relatedequipment—Testmethodsforlaserbeamwidths,diver-

genceanglesandbeampropagationratios—Part1:Stigmaticandsimpleastigmaticbeams)

注激光和激光相关设备激光光束宽度发散角和光束传输比的试验方法第部分无

:GB/T26599.1—2011、1:

像散和简单像散光束

(ISO11146-1:2005,IDT)

光学和光子学激光和激光相关设备激光束辐射功率辐射能量和时间特性测试方

ISO11554、

法

(Opticsandphotonics—Lasersandlaser-relatedequipment—Testmethodsf