机械设备行业深度报告：玻璃基板产业进展加速关注TGV加工设备投资机会

在你身边证券研究报告|机械设备|2026年05月06日机械团队•行业深度报告玻璃基板产业进展加速，关注TGV加工设备投资机会正在你身边远目标是用玻璃基板取代硅中阶层。面板化是克服先进封装产能瓶颈的方案。随着甚至4颗；而方形面板可大幅提升利用率与产出效率。另一方面，面对AI算力激增带来的散热与封装挑战，传统有机基板已逼近物理极限——高温下的翘玻璃基板具有低介电常数、高耐热性、高平整度、可面板级基板制造，以及可玻璃基板的应用主要包括显示领域，以及半导从进展上看，英特尔是最早布局玻璃基板的企业，2026年1月，英特尔正式宣布玻璃基板技术进入大规模量产阶段，其首款搭载玻璃核心基板的Xeon6+“CleForest”服务器处理器，成为业界首个实现商业化落地的玻璃基板产品。苹果正加速推进自研AI硬件的布局，并已开始测试先进的玻璃基板，用于代号为“Baltra”的AI服务器芯片，三星电机向其供应玻璃基板样品。厦门云天半导体是国内最早研发TGV技术的半导体公司，在ELEXCON2024深圳国际电子展上，云天半导体展2.5D高密度TGV转接板样品和高深宽比75:1的TGV样品，展示出其在国内先进封装领域的领先地位。沃格光电已建成首条年产10万平米TG 从产业链来看，上游玻璃供应商主要以德国肖特（SCHOTT）、康宁（Corning)、日本旭硝子、电气硝子加工设备方面，根据艾邦半导体网，国内一条510），厂商主要包括大族激光、帝尔激光等，汇成真空生产磁控溅风险提示：技术进展不及预期风险、下游需求不及预期风险、宏观经济波动风险、2正在你身边但是,二维平面互联技术存在芯片间互连线过长、信号延迟大等问题,这限制了芯片之间的高频信号传输。20世纪80理保护，并缩短信号传输路径。系统封装是异构被动元器件被动元器件芯片（来自不同芯片（来自不同转接板（中介层，硅/玻璃），是实现高密度系统级封装的核心电子材料薄硅片，上面有极密走线+TSV硅通孔负责GPU-HBM即芯片之间超高速、低延迟互联 传统高端封装基板将信号/电源从硅中阶层引出去，再通过BGA焊球连接到主板PCB封装技术涉及将两个以上的芯片直接集成在封装基板上，可以将其视为PCB的微型版本。与传统的2D不同，扇出/扇入型晶圆级封装和高密度引线键合技术常被采用。在具有精细金属线宽和间距的薄膜层之间设计超高密度再分布层（Re-在该方案中，高密度布线仍然需要在有机衬底上制造，这限制了可实现的I/O密度要。2.5D先进封装技术包括转接板互连IC硅基3D先进封装利用转接板同时作为有源IC和垂直互连的作用，形成多个半导体芯片堆叠，再通过微组装和RDL与互连转接板集成。3D封装通常用于处理器顶部堆叠存储器或集成模拟和数字IC。正在你身边体，在一些应用场景中会导致更高的工艺难度和制造成本，甚至降低器件性能。1）射频领域：硅通孔（ThroughS低损耗、小型化及高密度集成等优势，已成玻璃基转接板硅基玻璃基钻孔方式机械钻孔先沉积绝缘层（如SiO2或），），激光诱导深刻蚀法靠硅基中介层与芯片本身材料属性相近，CTE匹配度高，可以直接键合与芯片连接。低介电常数（~4.7)、基板制造劣势加工精度低，孔壁质量差，且残余应力较大，难以满足超大规模集成对小型化和高密度的要求TSV结构中通孔侧壁所形成的导致信号衰减、带宽受限、串扰增加、时序偏差及功耗上升，并可能引发寄生振荡，影响电路稳低热导率（解决方案是芯片上方使用散热槽、开设散热孔）正在你身边）：金属布线由电镀铜或钨填充，细间距处的介质层由薄膜沉积氧化硅进行绝缘。玻璃基板上的金属布线可实现比传统基板上更细的线宽和线距，布线密度更高，提供多芯片间局部高密度互连的作），集成与系统级封装（SiP）设计。此外，从晶圆与率来看，玻璃面板在封装制造中的规模化优势愈寸硅晶圆面板面积为7.29*10^4mm2，而新兴的指标有机基板陶瓷基板玻璃基板硅热膨胀系数弯曲模量低30GPa)高（300GPa)中等（70GPa)中等（165GPa)翘曲度高较低低低热导率系数0.9W/(m·K)20-200W/(m·K)~1.1W/(m·K)148W/(m·K)表面粗糙度400-600nm加工难度等级中等困难容易困难生产成本中高低高高频电性能较好一般优秀最优封装尺寸100*100(mm*mm)70*70（mm*mm)100*100(mm*mm)35*35(mm*mm)正在你身边光波导是实现光互连的核心，其具备低损耗、高带宽以及抗电磁干扰的特性，在高速数据传输领域断提升，光波导已逐渐被公认为克服传统电气互连瓶颈的有效技术途径之一。光波导结构可在不同材料上实现，包在传统100/400G光模块中几乎不使用光波导，800G、1.6T光模块中开始开始大量用硅基光波导、聚合物光波导，而在3.2T、CPO、NPO中，高密度金属离子之间的热扩散交换，在玻璃基板表层局部形成高折射率的波导芯区，随后属性玻璃聚合物硅光学透明性从可见光到红外波段具有高透明性在可见光波段透明，在1550nm时透射率较低在红外波段高透明，在可见光波段低透明系统集成性与PCB高度兼容，便于集成兼容性差，可能因高温焊接导致性能劣化与CMOS和III-V器件共集成兼容性强与光纤连接性模式场直径相似，可进行模式转换模式场直径类似但折射率不同，可能造成菲涅耳反射损耗光纤耦合仍存在尺寸和模式失配问题介电损耗低损耗，非常适合＞20GHz的高频应用中等损耗，高频下可用因其半导体特性，在高频下损耗较大绝缘电阻高差低（需额外绝缘）通孔能力可进行TGV加工直径大，间距大，非气密结构可进行TSV加工，但需要外绝缘处理耐化学性化学惰性，耐腐蚀耐性差化学惰性，耐腐蚀表面光洁度初始表面非常光滑表面粗糙、翘曲、变形抛光后光滑尺寸稳定性高低高可用规格支持晶圆和面板形式，甚至可用于卷对卷加工仅面板可用晶圆形式成本单位面积成本低高频材料昂贵材料成本高可靠性长期可靠性高溪水和光学降解导致损耗增加长期可靠性高 除芯片封装基板外，基板玻璃主要是指液晶显示LCD和OLED面板的关键基础材料，因此显示领域是玻璃基板最大的应用领域与高端Mini/MicroLED以及OLED等产品。市场容量呈现“显示主导、半导体高增”态Micro-LED是一种新型的显示技术，它利用自发光的微米量级的LED为发光像素单元。这些LED的尺寸通常在10微米至50微米之间“Micro-LED”。与传统的液晶显示屏(LCD)和有机发光二极管(OLED)技术相比，Micro-LED具有更高的亮度、更高的对比度、更低的功耗，更长的寿命，更快的响应时间以及更广的颜色范围等诸多优势，所以也被业内誉为下Micro-LED显示技术的核心是如何将这些巨量且微小的LED芯片精确地转移和贴合到基板上，从而形成一个完整的显示屏。目前市场上主要有两加复杂和昂贵。加复杂和昂贵。优势/劣势介绍优势优异的光学性能玻璃基板(TFT)具有高透光率、低色散和低吸收等特点，能够提供卓越的显示效果，包括更高的亮度和更真实的色彩表现。这使得Micro-LED显示屏在视觉体验上具备了显著优势。良好的平整度玻璃基板(TFT)表面平整度高，有助于保持图像质量和观感效果的一致性。微小的不平整度可能导致图像失真，而这在高分辨率显示器上特别显著。低热膨胀系数玻璃基板(TFT)的低热膨胀系数有助于减少温度变化引起的形变和应力，提高了显示器的稳定性和可靠性。这在长时间使用和不同环境条件下的Micro-LED显示器中非常重要。抗阻燃性能玻璃基板(TFT)具备耐高温和抗阻燃的天然特性，相较于印刷电路基板(PCB)，具有更高的安全等级，尤其在高温工作环境下更为可靠。微间距下的高精度性能进入到“像素微间距时代”，如P0.3毫米以下，MicroLED显示技术对基板的厚度和精度要求越来越高，在此前提下印刷电路基板(PCB)的成本和技术难度将呈指数级上升，甚至会超过玻璃基板(TFT)产品，从而失去竞争力。挑战制造成本高制造玻璃基板(TFT)需要高精度的设备和工艺，以确保LED芯片正确地贴附到玻璃基板上。这导致了制造成本相对较高，这也是目前的制约因素之一。LED工艺复杂玻璃基板(TFT)的制造过程相对复杂，需要严格的工艺控制和高度的自动化。这使得生产过程更正在你身边布局在2023年9宣布推出业界首批用于下一代先进封装的玻2026年1月，英特尔正式宣布玻璃基板技术璃核心基板的Xeon6+“ClearwaterFo现商业化落地的玻璃基板产品。该产品通过以玻大尺寸AI芯片高温下的翘曲难题。英特尔数据显示，玻璃基板有望支撑单个利用其扎根玻璃行业多年的优势，拟推出应用于芯片先进封装聚焦面板级封装工艺创新，与康宁合作推进FOPLP（面板级扇基板的融合，2026年建成迷你产线，初期采用300mm规格，后续渡。双方联合制定行业标准，将CTE公差压缩至±0.5ppm/℃,介电常数离散度控正加速推进自研AI硬件的布局，并已开始测试先进的玻璃基采用芯粒架构组合，为了增强整个供应链掌控，采取类似“孤岛式”的封闭三星电子正积极测试将玻璃基板应用于下一代HBM4内存的封装23年宣布建设玻璃基板封装生产线，242025年起，向苹果供应玻璃基板样品，用于其代号为“B三星电机在韩国世宗工厂运营试产线，已实现TGV深宽比10:芯片封装子公司Absolics在美国佐治亚州的玻璃基半导体封装厂即将完成量产前的准备工作，已向AMD等客户提供量产级样品，计划2026年启计划2026-24年7月，三叠纪在24年7月，三叠纪在广东东莞松山湖创建了国内首条TGV板级封一家同时拥有玻璃基晶圆和板级封装线的公司。三叠纪的TGV板级封装线产线一条TGV板级封装全自动化生产线，高度集成搬运、传输、制造和检测，可年产3在BOEIPC2024上正式发布并展出面向半导体封装的玻璃基面板级封装载板，在BOEIPC2024上正式发布并展出面向半导体封装的玻璃基面板级封装载板，计划将在2026年后开始量产，到2027年实现深宽比20110x110mm的玻璃基板量产能力，到国内最早研发TGV技术的半导体公司，在ELEXCON2展示了其2.5D高密度TGV转接板样品和高深宽比75:1的TGV样国内领先的面板级扇出型封装和玻璃基板制造服务商。TGV径1μm，深径比150:1。佛智芯、三孚新科、明毅电子三家企业宣布携手打造玻璃基板战略国内板级高密封装技术领域的先行者，是中国大陆FOPL统封测技术，在510mmx515mm的玻璃载板上实现了2DFO、2.集成封装及Chiplet方案，在芯片偏移控制、翘曲度、RDL等核心工艺指标上已达行水准。在玻璃面板级封装方面，佛智芯和奕成科技是国内首批量产的厂家。到2030成科技或将在全球(玻璃)面板级封装集成线领域占有重要地位，可帮助满足人工智能24年9月，向重点客户推送了同样的ABF基玻璃载板，成为全球唯一AB璃基ABF载板封装的基板商。ABF夹层玻璃基板，用于机械支撑，防止在过孔产生微裂纹，同时改进表面导体粘附性，可以将ABF基玻璃叠层14层。目前上海工厂在2026年4月的337调查中初裁获胜，认定其自主研发的“616”新料方玻璃基板不掌握全球少数的TGV全制程工艺，武汉基地年产10万平方米TGV产线已实现量产，成都25年3月发布了采用沃格光电玻璃基精准光源2304分区背光匀性优势还显著提升了画面通透感，配合海信黑曜屏技术，在色彩过渡、可体艺品正在你身边特定区域形成通孔结构；随后通过物理气相沉积（PVD）或化学镀方法在玻璃表面及孔侧壁沉积金属种子层，并采用电镀工艺在通孔内部及基板正反两面布线区域填充金属，在芯层上下表面形正在你身边玻璃基板的材料属性决定了它可同时兼具有机基板的面板级封装尺寸和硅基板的半导体薄膜工艺。作为非晶材料，玻璃的物化性质可通过掺杂特定元素来用场景的要求制备各种常规或特殊玻璃，如高膨胀物化属性的高度匹配，从而使集成模组具备和较高的转变温度（约为720℃),同时具备极低的表面粗糙度和介电损耗。这些特性使AF32在晶圆级封装、MEMS基板等需要精密热匹配的领域表现出色。相较之下，D263属于传统槽道下拉工艺生产的硼硅酸盐薄玻璃，CTE约为7.2×10-6/℃,转变温度约为557℃。D263兼具优良的化学稳定性和高光学透射率，常被用作传感器窗口、封装盖板3.2×10-6/℃)和较高的应变点，可耐受更高的工艺温度。凭借兼具玻璃和陶瓷2种材料的特点与优势，是先进玻硼硅玻璃钠钙玻璃铝硼硅玻璃铝硅玻璃璃损耗角正切/10^(-3))√)√√√√√√√√旭硝子(AGC)EN-AI√1√正在你身边沃格光电公司玻璃基1.6T光模块/CPO产品已完成小批量送样，目前正协同整体进展顺利。产能方面，公司目前已建成首条年产10万平米TGV产线并实现小批量供货具备满足当前验证及初期订单的生产能力。力诺药包作为国内领先的硼硅玻璃生产企业，公司持续探索硼硅玻璃材料在多个前沿领域如微晶玻璃、光学玻璃的应用场景。技公司TGV玻璃技术处于研发攻关阶段，有制备出相关样品并与下游客户持续开展产品测试公司长期从事特种功能玻璃材料的研究、生产和销售,半导体先进封装用玻璃基板材料是公司近几年重点开发的产品,该材料需要根据不同芯片的特殊性能(比如综合CTE指标等)定制开发,开发难度较大,目前公司部分产品已向产业链知名企业送样测试。国内半导体先进封装用玻璃基板目前尚无正式的国家标准(GB)或行业标准(SJ),公司联合产业链知名企旗滨集团集团2018年进入电子玻璃，目前已布局超薄高铝、锂铝硅、微晶、柔性、中铝钠钙五大玻璃产品矩阵，上述产品广泛用于消费电子、汽车电子和显示领域。公司目前已组建专业技术团队和技术平台，着手积极拓展浮法工艺之外的基板玻璃制造工艺技术，推进从低世代公司玻璃基板业务将瞄准国内面板产业集群需求，把握市场份额调整机遇，依托高附加值产品优势推进布局；芯片封装玻璃业务将针对技术壁垒高、国产化缺口大的现状，凭借现并实现产品的批量交付，打造公司的核心竞争力产品。目前，公司已与国内某著名自主芯片科技公司开展芯片封装玻璃有关合作。硼硅酸盐玻璃铝硅酸盐玻璃无碱铝硼硅通常包括质量分数约组成，同时包含碱金属氧化物(R2O)和碱土金属氧化物(RO)不含碱金属氧化物或含量极低(通低、化学稳定性高。热膨胀系数与硅芯片相匹配,能够提供优异的热稳定性,不易因芯片发热而产生翘曲变形或导致电路连接的破坏硬度和较低的表面张力、热膨胀系数优异的电绝缘性能,能有效防止电信号的干扰和泄漏，在酸、碱和有机溶剂中耐腐蚀性出色，具有良好抵抗外部冲击和机械应力。景对热稳定性要求高的电需要高机械强度和耐磨损的电子封装螺仪和压力传感器),要求基板具有高机械强度和低热膨胀系数正在你身边根据艾邦半导体网，国内一条510×515mm玻璃基板产线投资额约13-15亿元（单条产线满负荷年产能约为8-10万平米设备价值量分布如下：激光打孔及腐蚀线：占比30%，含激光设备（100万-1000万元/台）及氢氟酸蚀刻槽；PVD及黄光设备：占比50%，含PVD镀膜机、曝光机（光刻机）等核心设备；其他环节：清洗、烘烤等湿法设备占比约20%。ABF载板正在你身边钻孔是玻璃通孔工艺的核心步骤，需要满足高速、高精度、窄节距、侧壁光滑、垂直度好以及低成本等优点：1）冷加工：激光诱导所采用的光源为超短脉冲激光，其量传递过程，这一先进诱导技术的能量传递过程是非线性的，可以达到任意材料的损伤阈值，从而在特上的暴露区域孔济高深径比的TGV更容易形，影响后续可靠性装流体器件中的相比于其他成孔技术，LIDE工艺可实现TGV基板小于10°的锥度通孔制备，即TGV的内径与表面直径接近。LIDE技术能够以低成本和高速率制造出高密度、高深径比的TGV。此外，该工艺在减少玻璃微裂纹、提高孔壁质量方面具有显著优势。正在你身边紫外线清洁法：因其快速且环保的特点也受到关注。因为此方法仅有机物的能力，其可使污染物分子解离，同时促使氧气分子分解产生原子氧，二者相互作用生定的安全隐患。因此，需要提出新的清洗方法，避免使用传统的玻璃清洗工艺对环境造成危害。也有学者提出了一种新的合液与NaOH溶液的组合进行清洗。该方法无需使用刺激性化学物质或昂贵设备，在室温下实现有效清洗，且正在你身边正在你身边功能性薄膜：是指通过特定的工艺在基板上）；射法作为在玻璃上形成功能性薄膜的常用干法技术，因理，金属导电膜的附着力将难以满足实际应用，但粗化处理合力，原理是其中的硅氧基（-Si-OR）能够与玻璃表面的羟基（-优势：相比PVD具有明显的成本优势，可在异构结构上实现近正在你身边在TGV成孔之后，需要对其进行填充以实现电气互联。基板上形成高精度通孔后，首先应对通孔内壁进行表面处理以首先，玻璃芯板（玻璃CORE）来料采用目前较为成熟的激光诱导加碱成孔后，采用三维自动光学检测仪（AOI）进行使用类似真空塞孔机的设备将铜浆填充到TGV内，完成收油、固化等步骤随后，使用三维X射线成像技术，进行TGV填孔质量检测，保证填对玻璃表面金属化处理采用芯片载板或面线路的制作和理气相沉积（PVD)或化学气相沉积（CVD）法实现。种子层材料一般为铜或TGV通孔并不一定需要完全填充，可以选择沿侧壁或采用先进的减成法可在镀出较薄的面铜厚度条件下填首先，玻璃芯板来料采用目前较为成熟的激光诱导加碱性蚀刻或酸性蚀刻成孔，成孔后，采用三维自动光学检测仪（AOI）进对TGV内部及玻璃表面都覆盖完整致密的金属种子层。使用3D_X将TGV填满电镀而后进行芯片载板或HDI板使用减成法进行表面线路的制作和检验，或者经减铜工艺后，再进行正在你身边9最小线宽/线距(μm)好难正在你身边针对先进封装基板市场，公司前瞻性布局及专项研究，创新运用新型激光技术，开发出用于先进封装领域玻璃基板TGV在内的多制程加工方案，可满足极小直（TGV）、内埋高精度元器件盲槽（Cavity）、增层ABF钻孔、玻璃基成品载板的分切等工艺应用，相关公司的TGV激光微孔设备，通过精密控制系统及激光改质技术，实现对不同材质的玻璃基板进行微孔、微槽加工，为后续的金属化工艺实现提供条件，可应用于芯片封装、显示芯片封装等相关领域。公司TGV激光微孔设备主要面向玻璃基板精密通孔加工，目前已实现晶圆级、面板级设备交付，整体布局半公司间接控股子公司洪镭光学已向市场推出三款微纳直写光刻设备，聚焦于PCBHDI/FPC高阶线路板、半导体玻璃基板（公司自主研发的全自动移载式填孔电镀设备，运用于印刷电路板（PCB）领域，可生产多类型PCB，覆盖消费电子、汽车电子、通信设备等多领域应用；垂直与单TGV玻璃基板清洗设备，