玻璃纤维行业2026年投资策略分析报告：T布先进封装物理地基算力升级通胀加速

证

券研究报告

中期行业策略报告T布：先进封装物理地基，算力升级驱动通胀加速玻璃纤维行业2026年中期策略报告发布日期：2026年5月5日核心观点

T布：先进封装物理地基，小却重要的刚需材料。T布用于IC载板，通过匹配硅芯片热膨胀系数，确保载板在大尺寸与高算力环境下的结构平整与焊点可靠，是先进封装中抵御“热失配”应力的“定海神针”。T布需求中有70%左右用于FCBGA用ABF载板，30%用于手机等FCCSP用BT载板。AI算力推动IC载板迭代升级，T布正成为先进封装中需求增速最快的刚需材料之一。

云端AI+端侧AI共振升级，T布需求非线性增长。云端AI：算力芯片迭代→封装面积增大→ABF载板层数与尺寸齐升→核心层结构复杂化→T布消耗量呈倍数级通胀。端侧AI：端侧AI放量→主板mSAP工艺渗透率提升/芯片封装尺寸扩大→主板T布渗透率提升/ABF载板层数与尺寸齐升→核心层结构复杂化→T布消耗量快速提升。我们测算2025-2028年全球T布合计需求分别为963.14、2041.6、4026.58、6959.56万米，2026-2028分别同比+111.97%、+97.23%、+72.84%。

T布供需存明显缺口，看好国产超越机会。T布需求端非线性增长，供给增速追不上需求增长，存明确涨价基础。台湾工研院测算T布供需差由2025年的14个点将扩大至2026年的18个点，随后在2027年回落至8个点，2026年为缺口最大阶段。台湾福邦投顾预估，全球T布到2027年预计仍将呈现供不应求的格局，缺口高达27%。供应格局来看，当前日东纺占据垄断地位（85%份额），2027年中有效供应才将释放的现实为内资企业进入T布高端市场打开了长达一年左右的窗口期。我们看好国产超越机会：1）

2025年以来日东纺接连涨价仍难以完全抑制高增需求，T布需求高增明确，日东纺涨价为内资企业产品向上迭代创造明确空间；2）以宏和科技为代表的内资企业快速响应客户需求，积极配合扩产，资本开支密集，当前宏和科技T布性能指标已经达到2.9-3ppm/℃，接近日东纺产品水平，有望打破日东纺垄断，公司客户进展积极，密集资本开支剑指T布产能高速扩张，具备在T布端超越日东纺地位潜力。此外，中材科技、国际复材、中国巨石等电子布大厂也有望凭借研发积累、客户拓展和资本开支速度分得一杯羹。

风险提示：下游需求不及预期的风险；产能无序扩张的风险；终端客户拓展不及预期的风险；信息更新不及时的风险。提纲01.

T布：先进封装物理地基，小却重要的刚需材料02.

云端AI+端侧AI共振升级，T布需求非线性增长03.

T布供需存明显缺口，看好国产超越机会T布：先进封装物理地基，小却重要的刚需材料1.先进封装物理地基，小却重要的刚需材料

T布，即low-cte电子布，从结构位置来看，T布位于芯片与主板之间的封装载板环节，低CTE特征有助于缩小芯片、封装载板与PCB之间的热膨胀差异；E布则更多用于主板PCB基材，承担常规绝缘增强与线路承载功能。芯片CTE：3.3ppm/℃图表：T布与E布在芯片封装结构中的应用位置对比封

装

载板用T布CTE：2.8ppm/℃图表：芯片封装显微镜照片主板（使用普通E/low-d

k一代/low-dk二代布等）CTE：5.6ppm/℃左右5资料：日东纺官网，Prismark,Binghamton

University,中信建投研究所1.先进封装物理地基，小却重要的刚需材料

不同电子布的性能差异主要体现在热膨胀控制与介电损耗控制两条主线。E布主要面向通用PCB基材，Dk、Df及CTE相对较高；T布的核心优势在于低CTE与高拉伸模量，更适配IC载板对尺寸稳定性和封装可靠性的要求；NE（Low-Dk一代）、NER（Low-Dk二代）、NEZ、Q布则沿低Dk、低Df方向迭代，主要面向AI服务器、高速交换机等高阶覆铜板材料体系。图表：主流电子布性能指标与应用等级对比NE布NER布指标E布T布NEZ布Q布（Low-Dk一代）

（Low-Dk二代）Dk@10GHzDf@10GHzCTE（ppm/℃）拉伸模量6.60.0065.30.0074.70.00253.34.50.00183.44.00.0013.70.00050.55.62.83.175GPa52%–56%12%–16%M4–M686GPa64%–66%24%–26%–64GPa45%–55%10%–15%50GPa45%–55%10%–18%46GPa50%–55%10%–18%78GPa99.9%–SiO₂含量Al₂O₃含量覆铜板等级M7–M8M9–M10AI服务器、400G交换机、

800G交换机、HDI/PTH

HDI/PTHAI服务器、AI服

务器、1.6T交换机、终端应用通用领域IC载板HDI/PTH6资料：Trendforce，中信建投研究所1.先进封装物理地基，小却重要的刚需材料

T布的核心价值在于通过低CTE、高模量特性提升封装载板的尺寸稳定性。随着GP

U、ASI

C等高阶芯片封装面积扩大，硅芯片、interposer与封装载板之间的热膨胀失配更容易带来翘曲、焊点应力和界面可靠性问题，T布嵌入BT

Core后可降低载板整体CTE并增强支撑能力，成为先进封装中提升可靠性的关键材料。图表：T布在封装载板中的核心作用图表：T布对封装载板翘曲的改善效果在

GPU/ASIC

链条中的作用对应封装问题意义硅芯片、interposer、ABF/BT载板之间热膨胀不一致降低芯片封装热循环中的尺寸失配，减少焊点、凸点和界面应力降低

CTE封装尺寸越大，热膨胀失配带来的绝对位移呈比例同步放大，越需要低CTE支撑大尺寸封装在回流焊、高温工作、冷热循环下容易翘曲抑制翘曲高密度线路、细间距封装对平整度和尺寸变化敏感提高刚性和尺寸稳定性保证封装基板加工、贴装和长期运行可靠性7资料：日东纺官网，Panasonic官网，Amkor/iMAPS，中信建投研究所1.先进封装物理地基，小却重要的刚需材料

从终端应用看，T布主要对应AI服务器、消费电子、汽车电子中的处理器、存储、高阶SoC等封装载板环节，需求弹性来自先进封装渗透、芯片面积扩大及高阶载板用量提升；NE、NE

R、Q布则更多用于服务器主板、交换机、网卡、射频模组等高频高速PCB场景，需求弹性来自电子布用量提升和高阶覆铜板升级。E布作为通用电子布，主要覆盖普通主板、普通封装及中端PCB基材。图表：中高端电子布终端应用及对应部件对比应用领域具体应用设

备

/部件基板类型封装载板对

应器件/用途CPU/GPU/ASICNAND存储高端电子布类型T布中端电子布类型E布处理器、控制器T布E布手机基站、数据中心交换机/路由器/服务器、AI服务器DDR存储NE/NERNE/NERNE/NER/NEZNE/NER超薄T布、T布超薄T布超薄T布NE布E布通信、算力等基建设施服务器（AI及通用服务器）E布主板交换机（核心/AI）网卡（NIC）E布E布处理器AP/CPU/NPU超薄E布极薄E布非易失性存储NAND存储DDR存储DDR存储封装载板封装载板智能手机、平板电脑、移动PC、边缘AI设备易失性存储终端设备主板无线通信市场CPU/存储主板主板基板超薄NE布超薄NE布T布超薄E布超薄E布E布射频封装基板CPU/GPU/NPU台式机、笔记本电脑、AI

PCDDR存储NE布E布AR/VR、无人机电动车、ADAS高阶SoC高阶SoC毫米波封装载板封装载板模组板T布极薄E布E布T布汽车电子超薄NE布E布8资料：日东纺官网，中信建投研究所1.先进封装物理地基，小却重要的刚需材料

据台湾福邦投顾，T布需求中有70%左右用于FCBGA用ABF载板，30%用于手机等FCCSP用BT载板。ABF载板作为一种高性能IC载板，近年来随着高性能、大尺寸、高算力芯片出货量的快速增长，在IC载板出货中的占比正在快速提升，根据Prismar

k数据，我们预计2030年ABF载板将占到封装载板市场的63.2%，占据主导地位，同时，手机用载板随着端侧AI的渗透，也会逐步向使用T布的高端BT载板甚至是高阶ABF载板发展，T布跟随下游IC载板进步，正在逐步成为先进封装中增速最快的刚需材料之一。图表：高阶ABF载板结构示意图图表：高端BT载板结构示意图9资料：台湾福邦投顾，三菱瓦斯化学，新光电气，中信建投研究所2.1

云端AI：算力芯片迭代驱动T布需求倍数级增长

云端AI芯片迭代驱动T布单位用量和价值量显著通胀。1）面积增长：为了追求更高的单机算力，单颗芯片的封装面积（Package

Si

ze）在每一代迭代中持续增大。这直接导致了底层支撑载板的面积同步扩张；2）层数增长：由于算力芯片引脚数量（Pin

Count）激增以及信号完整性要求极高，ABF载板正向“大尺寸、高层数”演进。载板层数的增加意味着对核心层及各补强层的材料消耗量成倍提升，ABF芯层需要使用更多层高模量、低膨胀的T布；3）厚度减薄：有限的封装面积内，T布层数变高的同时对高端轻薄T布的需求大幅上升。

算力芯片迭代→封装面积增大→ABF载板层数与尺寸齐升→核心层结构复杂化→T布消耗量呈倍数级通胀。图表：ABF载板朝着层数高、尺寸大、表面平等方向发展图表：算力芯片载板面积持续提升11资料：臻鼎科技官网，yole，中信建投研究所2.1

云端AI：算力芯片迭代驱动T布需求倍数级增长

据Tre

ndForce，2023-2026全球AI服务器出货增速持续快于服务器整体，构成服务器出货增长的核心驱动力，按照类型来分，2026年ASIC路线占比将大幅提升6.9个百分点。图表：2023-2026F全球服务器整体和AI服务器发货增速服务器总计AI服务器46.00%34.60%

测算AI

Rack拉动T布需求2026-2028翻倍式增长。2026-2028年AI

Rack对T布需求量分别为558.61、1550.41、3193.3

万

米

，

分

别

同

比

+260.8%、

+177.55%

、+105.97%。28.30%12.80%24.20%7.80%2.10%2024图表：按照类型分类的全球AI服务器出货结构2023-6%20252026FASIC&othersFPGAGPU图表：2025-2028F全球AI

Rack拉动T布需求测算表202512.42026E20.12027E2028E27AI

Rack服务器发货量（万台）——英伟达24.613.538.618.0612.066.0313.5010.802.70——谷歌、亚马逊、Meta等ASIC——AMD、Intel等3.1069.70%1.242.012.4672.20%74.50%75.90%英伟达GPU拉动T布需求合计（万米）英伟达CPU拉动T布需求合计（万米）57.8834.24152.39157.9577.58102.4168.27558.61407.47389.47199.24358.62195.61880.35622.38375.68909.15405.742.50%英伟达NV-switch拉动T布需求合计（万米）

23.033.50%2.70%3.20%谷

歌

服务器对T布需求拉动合计（万米）其

他

厂商对T布需求拉动合计（万米）AI

Rack对T布需求拉动合计（万米）YOY21.8217.8627.80%24.30%22.80%20.90%2023202420252026F154.831550.41

3193.30260.80%

177.55%

105.97%12资料：TrendForce，中信建投研究所2.2

端侧AI：硬件升级与放量带来T布两重通胀

以Apple

Intelligence为代表的端侧AI将为T布带来两重通胀：1）端侧AI迭代凸显巨大产品进步，顺应AI发展趋势，唤醒换机潮，推动销量回升，拉动T布需求；2）端侧AI对硬件设置更高门槛，为支持端侧大模型（On-device

LLM）的运行，手机SoC需要更强大的NP

U计算能力和更高的带宽，一方面推动手机主板mS

AP工艺渗透，主板使用T布的渗透率升高，另一方面芯片封装面积将持续扩大，ABF载板面积和层数将同步提升，总之，T布单位用量会快速上升。

端侧A

I放量→主板mSAP工艺渗透率提升/芯片封装尺寸扩大→主板T布渗透率提升/ABF载板层数与尺寸齐升→核心层结构复杂化→T布消耗量快速提升。图表：mSAP工艺过程示意图图表：2026年PCB的核心趋势是云端与终端同时发力13资料：臻鼎科技官网，京瓷，中信建投研究所2.2

端侧AI：硬件升级与放量带来T布两重通胀

iPhone17的发布或意味着T布在高端AI手机中的应用进入加速释放期。同时随着端侧AI能力的不断进化，硬件标准门槛也持续抬高，单台高端AI手机对T布的耗用量将持续提升。

测算2025-2028年全球高端AI手机用T布的需求分别为241.92、633.6、1163.29、1712.79万米，2026-2028分别同比+161.90%、+83.6%、+47.24%。图表：全球GenAI智能手机和AI

PC出货大幅增长图表：全球高端AI手机用T布需求测算表20252026E2027E2028E全球手机出货量（亿台）12.6011.0011.2211.80使用T布的高端手机占比10.00%

25.00%

31.20%

34.70%使用T布的高端AI手机出货量（亿台）单台高端AI手机T布用量（米）1.260.022.750.033.500.034.090.03全球高端AI手机T布需求拉动合计（万米）

241.92633.60

1163.29

1712.79YOY161.90%

83.60%

47.24%14资料：Gartner，IDC，中信建投研究所2.3

云端+端侧共振放量驱动2026T布需求倍数增长

测算2025-2028年全球T布合计需求分别为963.14、2041.6、4026.58、6959.56万米，2026-2028分别同比+111.97%、+97.23%、+72.84%。图表：全球T布需求拆分测算总表202512.42026E20.12027E24.62028E27AI

Rack服务器发货量（万台）——英伟达

分应用结构来看，AI

Rack占比提升速度最快，预计2028年达到45.88%，是T布整体需求快速增长的核心驱动因子之一。2028年，AI

Rack、8GPU服务器、高端AI手机对T布需求占比分别为45.88%、2.34%、24.61%。8.0612.066.0313.538.6113.5010.802.70——谷歌、亚马逊、Meta等ASIC——AMD、Intel等3.101.242.012.46英伟达GPU拉动T布需求合计（万米）英伟达CPU拉动T布需求合计（万米）英伟达NV-switch拉动T布需求合计（万米）57.8834.2423.0321.8217.86154.83152.39157.9577.58102.4168.27558.61407.47389.47199.24358.62195.61880.35622.38375.68909.15405.74谷

歌

服务器对T布需求拉动合计（万米）图表：全球T布需求结构变化情况其

他

厂商对T布需求拉动合计（万米）AI

Rack对

T布需求拉动合计（万米）YOY机架式AI服务器8GPU服务器1550.41

3193.30高端手机其他（PC、光模块、汽车电子等）260.80%

177.55%

105.97%11.00

11.22

11.80全球手机出货量（亿台）使用T布的高端手机占比使用T布的高端AI手机出货量（亿台）单台高端AI手机T布用量（米）全球高端AI手机T布需求拉动合计（万米）YOY12.6027.17%10.00%

25.00%

31.20%

34.70%29.35%36.18%31.03%1.260.022.750.033.500.034.090.0347.93%24.61%2.34%28.89%3.26%241.92633.601163.29

1712.79161.90%

83.60%47.24%25.12%8GPU服务器T布需求拉动合计（万米）YOY104.79110.825.75%738.57131.17162.735.43%18.37%

24.06%45.88%202810.88%16.08%38.50%202727.36%其他（PC、光模块、汽车电子等）（万米）

461.60YOY1181.71

1890.7360.00%

60.00%

60.00%20252026全球T布总需求（万米）963.14

2041.60

4026.58

6959.56YOY111.97%

97.23%

72.84%15资料：Prismark，中信建投研究所T布供需存明显缺口，看好国产超越机会3.1

T布涨价持续性和弹性不可低估

我们判断T布存明显供需缺口，具备强涨价基础。1）需求端：结合上述测算，预计2026-2028全球T布需求分别同比+111.97%、+97.23%、+72.84%，需求快速成长；2）供给端：结合台湾工研院数据判断，预计供给增速追不上需求增长。工研院将2024年供给归一为100，T布2025E至2027E供给分别为127、152、228，需求分别为141、170、236，供需差由2025年的14个点扩大至2026年的18个点，随后在2027年回落至8个点，2026年为缺口最大阶段。

台湾福邦投顾也预估，全球T布到2027年预计仍将呈现供不应求的格局，2026-2027供需缺口分别高达41%、27%。图表：2024-2027全球T布供需情况（工研院口径）图表：2025-2027全球T布供需情况（台湾福邦投顾口径）供给

需求236%228%170%152%141%127%100%96%2024（A）2025（E）2026（F）2027（F）17资料：台湾工研院，台湾福邦投顾，中信建投研究所3.1

T布涨价持续性和弹性不可低估

T布寡头垄断格局明显，进入壁垒高企，涨价持续性和弹性不可低估。从产业链条来看，上游原材料T布端由日东纺占据绝对主导（份额85%左右），尤尼吉可、旭化成等跟随，宏和科技、国际复材、泰山玻纤、中国巨石等国产厂商加速认证和扩产切入；IC载板CCL端则由力森诺科、三菱瓦斯、斗山等日韩龙头主导。IC载板材料属于先进封装产业范畴，认证和进入壁垒高，特别是T布环节呈现寡头垄断格局，日东纺新增产能集中于2027年前后释放，短期仍受纱线产能及织布机短缺制约，有效供给难以匹配需求放量，紧张供给支撑本轮T布涨价周期或延续至2027年。总之，此轮T布涨价周期的高度和持续度不可低估。图表：T布至IC载板产业链及份额T布厂IC载板PCB厂日东纺IC载板CCL厂欣兴85%11%16.0%力森诺科三菱瓦斯斗山41.2%尤尼吉克旭化成三星电机揖斐电9.9%9.3%9.1%8.7%22.9%18.8%宏和科技泰山玻纤AT&S扩产中扩产中南亚电路注：T布格局来自台湾工研院2025年数据，IC载板CCL格局来自Prismark2025数据，IC载板PCB厂格局来自TPCA2024数据：台湾工研院，Prismark，TPCA，中信建投研究所18资料3.1

T布涨价持续性和弹性不可低估

T布成本占比很低，失效损失却很高，杠杆效应突出。1）从单位价值量的角度，以GB200系列为例，测算一个GP

U封装模块（2die+8HBM3E）约消耗0.16米的T布，根据宏和科技定增审核回复文件，2025年上半年公司低热膨胀系数电子布产品的平均价格为56.36元/米，考虑高速算力GPU/

ASI

C耗用T布更加高端，假设高端T布价格为此均价的3倍，据此测算，GB200一个GPU封装模块耗用T布的价值量也仅为27元左右；2）从成本占比的角度，CCL成本构成中，电子布仅占到19%左右，低于铜箔和树脂，但对先进封装而言，T布对载板CCL/载板PCB稳定性至关重要，T布的不稳定在封装端会带来载板良率的下降，带来芯片贴装失效，一块高阶ABF载板或一个GP

U的价值远高于所耗用的T布，如果是在数据中心运行阶段由于T布失效产生停机检修，造成的损失将会更大。根据silicon

analyst的分析，单颗英伟达B200的BOM成本是6400美金，是所耗用T布价值量的3245.59倍，并且随着芯片迭代和BOM成本上升，这一倍数关系还将上升。图表：英伟达B200相较H100的BOM成图表：英伟达B200

BOM成本拆分本大幅上升（单位：美元）图表：CCL成本构成情况铜箔

电子布

树脂

其他13.45%41.77%25.53%19.25%19资料：南亚新材招股书，siliconanalyst，中信建投研究所3.2

T布和超越的窗口期已经打开

供应格局来看，当前日东纺占据垄断地位（85%份额），扩产保守+织布机短缺+2027年中有效供应才将释放的现实为内资企业进入T布高端市场打开了长达一年左右的窗口期。2025年8月日东纺公告拟投资约150亿日元在福岛建设特殊玻纤布新产线，预计2027年初投产，若全部用于生产T布，产量可提升至当前约3倍，考虑投产之后的爬坡过程，预计日东纺T布产能释放在2027年年中。与此同时，日东纺选择将部分特种布织布环节外协给南亚塑胶，预计到2027年其特种布产能中约20%由南亚织造，此举说明当前扩产约束不仅来自纱线产能，更包括织布机短缺。

日东纺接连涨价、扩产仍难完全覆盖需求。据TrendForce，2025年8月日东纺对T布提价20%；8月公告的扩产通知里亦表示，即使该项投资达产，仍可能无法满足市场全部需求；11月公司进一步表示，正推进自2026年起的T布涨价谈判，涨价与扩产节奏共同指向T布紧俏行情。图表：日东纺战略转向高附加值特种玻纤业务图表：日东纺高附加值产品放量带动利润弹性释放时间事件与动作YOY（右轴）电子材料营业利润（亿日元）YOY（右轴）180%电子材料营收（亿日元）160140120100802017-4504003503002502001501005040%35%30%25%20%15%10%5%2020中期

战略背景：向高附加值玻纤迁移。160%140%120%100%80%计划产能政策落实：增加台湾、福岛特种玻纤产能20192020202120242025扩产执行：福岛特种玻纤产能投产6060%40官方归类：将E-glass中的厚布、中厚布归为通用品类40%2020%官方报告：通用品类拖累，高附加值支撑业绩格局形成00%00%FY2024FY2025Q1

FY2025H1

FY2025Q3FY2024FY2025Q1

FY2025H1

FY2025Q3注：FY2025H1、FY2025Q3分别为中期及前三季度累计口径，单位为亿日官方报告：明确退出通用品类元。20资料：日东纺官网，TrendForce，中信建投研究所3.3

看好T布国产超越机会图表：主要厂商T布产能、扩产计划及导入进展

考虑T布下游IC