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文档简介
正文目录一、国企级储龙头 51、足储统决案,向展业布局 52、企户主经拐点显 53、值期累受存储级期绩速放 64、权构分散 8二、AI驱存储气公司产链局面益 81、AI动储超期” 82、抓内AI算、HPC规化地遇 12业存系统 12种态盘 15三、参企业SSD忆恒源协价突出 161、恒源 16业级SSD市分析 16企级SSD市续增长 16企级SSD市争格局 17恒源要品服务 18企级SSD产品 18固技解方案 212、石技 212.1石技要品服务 21四、盈预及资议 22风险示 23图表目录图1:同科发历程 5图2:2021-2025年收入成按品) 6图3:2021-2025年分业毛率 6图4:2021-2025年收入构按户) 6图5:2021-2025年客户中度 6图6:2021-2026Q1公收入亿) 7图7:2021-2026Q1公归母利(元) 7图8:2021-2025司三情况 7图9:2021-2025司研人员量结构 7图10:2021-2026Q1毛利率净率 8图11:2021-2026Q1营/合营业资益万) 8图12:有技权构(26 Q1) 8图13:23Q2-26Q1主要联云商本支(美) 9图14:DRAM和NANDFlashWafer货格(美) 10图15:外储厂额(美)增速 10图16:SK海士DRAM和NAND入分亿元) 11图17:光DRAM和NAND入分亿元) 11图18:外储厂开支亿元及速 11图19:储统品示意图 12图20:NetStorACS18000系示图 14图21:NetStorNCS15000系示图 14图鸿秦PCIe据储(密中极物销毁XMC存储卡右) 15图23:业级SSD性内结构 16图24:2022-2027E全企级SSD场模美元) 17图25:2022-2027E中企级SSD场模美元) 17图26:2024年全企级SSD市份情况 17图27:2024年中企级SSD市份额 17图28:恒PBlaze77940系列品意图 19图29:PBlaze7显缩短AI训练任务行时 20图30:PBlaze7有提升AI训练加速利率 20图31:恒PBlaze77A40Ocean的会场图 20图32:恒件术方案构 21图33:石技古)、农Tensor(中精卫右主芯片 22表1:海存原资支出划 12表2:有ACS系产(部) 13表3:有NCS系产(部) 13表4:鸿科存产品 15表5:企级SSD行营模式 18表6:忆恒PBlaze7系产品 18表7:忆恒PBlaze7和PBlaze6产参对比 19表8:泽主芯产介绍 21附:务测表 24一、国产企业级存储系统龙头 30+51、立足存储系统解决方案,纵向拓展产业链布局19882001200520122017((主控芯片+图1:同有科技发展历程公司官网2、政企客户为主,经营拐点凸显SSD202331%30%36%51%65%69%70%64%49%35%图2:2021-202531%30%36%51%65%69%70%64%49%35%100%0%
0%
51%48%47% 48%202220232022202320242025存储系统固态存储
34%
49% 51%45%25%2021 2022 2023 2024 2025 存储系统 固态存储、公司年报 、公司年报2021-2025提升至92%,20211.231.0220239%8%22%11%41%78%59%89%92%91%图4:2021-2025年公司收入结构(按客户) 图9%8%22%11%41%78%59%89%92%91%100%90%80%70%60%
46.79%
62.09%
66.74%
59.70%
48.10%0%
2021 2022 2023 2024 2025
0%
15.54%2021
24.98%2022
21.97%2023
28.02%2024
19.79%2025政府 非政府类客户
前五大客户 第一大客户、公司年报 、公司年报3、减值短期拖累,受益存储超级周期业绩加速释放收入稳健,利润受减值影响有所波动,25年开始出现经营拐点。收入端,受益于存储上行周期,2025年公司实现收入4.0亿元,YOY+11%;其中26Q1增长加速,实现收入1.2亿元,YOY+156%。利润端,公司2023-2025年亏损严重,受非日常经营因素影响较大:(1)2023年计提鸿秦科技8,493万元商誉减值和5,392万元参股公司投资损失;(2)2024年计提鸿秦科技2.56亿商誉减值。(3)对前期购置的北京市房山区土地计提长期资产减值准备4,428万元。其中,20258278,71826Q14.5图6:2021-2026Q1公司收入(亿元) 图7:2021-2026Q1公司归母净利润(万元)
20212022202320242025 25Q1营业收入 YOY
15%4.43.94.43.911%3.53.64.011%4%1.22-19%0.485%0%-5%-10%-15%-20%-25%
0
10841%8,718841%8,718-1,208-2,02120212022202320242025-5,25625Q126Q1-2,65367%-19,01548%-81%6420-28,065 -2归母净利润 YOY、公司年报 、公司年报320%AI智算和HPC2021-202513219119升至26图8:2021-2025公司三情况 图9:2021-2025公司研人员数量及结构25%21.1%20.9%25%21.1%20.9%19.1%20%18.0%16.3%15%14.9%16.6%14.1%14.5%10%11.1%10.8% 10.7%5%10.0%10.1%7.6%16717817724%13219%21%18%19126%25%5%20015010050
30%0%2021 2022 2023 2024 2025销售费用 管理费用 研发费用
0 0%2021 2022 2023 2024 2025研发人员 硕士占比、公司年报 、公司年报毛利率快速回升,26Q1202054.8增至8.9。26Q171.6%48.0%企业忆恒创源和泽石科技业绩大幅增长,使其当季确认投资收益合计约7,988万元。48.7%45.6%34.8%41.6%48.9%41.9%48.0%-3.1%-4.6%2021 2 202 202 2024-54.2%2025-13.0%25Q126Q1-55.4%-77.0%7,98865820212022202320242025-1,969 -12625Q126Q1-80-3,89948.7%45.6%34.8%41.6%48.9%41.9%48.0%-3.1%-4.6%2021 2 202 202 2024-54.2%2025-13.0%25Q126Q1-55.4%-77.0%7,98865820212022202320242025-1,969 -12625Q126Q1-80-3,899-5,390
毛利率 净利率
71.6%
0
联营&合营企业投资收益、公司年报 、公司年报4、股权结构较分散周泽湘、佟易虹、杨永松、王磊为公司发起人股东,前十大股东合计持股比例17.41%公司参股的主要企业包括鸿秦科技(100%)、忆恒创源(17.37%)、泽石科技(7.86%),并在忆恒创源和泽石科技均有一个董事席位。图12:同有科技股权结构(26Q1)二、AI驱动存储景气,公司全产业链布局全面受益1、AI驱动存储“超级周期”受AI浪潮推动,主要AI2026AIGoogleMicrosoftAmazon、MetaCapEx1800亿-1900190020001250亿-1450AI20253,800AIAIIDC2029AI1(20253180亿)。图13:23Q2-26Q1北美主要互联网云厂商资本开支(亿美元)023Q2 23Q3 23Q4 24Q1 24Q2 24Q3 24Q4 25Q1 25Q2 25Q3 25Q4 Amazon Google Microsoft Meta 总资本开支
90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%AI产业高速发展正推动存储行业供需结构性趋紧。率先拉动HBM和eSSDGPUeSSDDDR3/DDR4/DDR5的DRAM512/256/128GbTLCNANDFlashOmdia20264232026年DRAMNAND2025242027H2图14:DRAM和NANDFlashWafer现货价格走势(美元)26Q1YOY+292%,QoQ+101%AINVIDIAVeraRubinHBM4和A2Ceen6DK25年HM00,26Q1增长主要受HBMDRAM和eSSDFY2556Y24M0Y62收入YOY+196%,HBMDRAMNAND图15:海外存储原厂销售额(亿美元)及增速三星电子(存储) 海力士 美光 YOY(总收入)1,200 250%1,000
200%
150%100%50%0 0%23Q123Q223Q323Q424Q124Q224Q324Q425Q125Q225Q325Q426Q1、BloombergDRAMAIDRAM2023HBMDRAMDRAMNAND2024-2025NANDeSSDNAND海力士和美光近一季度NANDDRAMFY26Q2NANDNAND图16:SK海力士DRAM和NAND收入拆分(元) 图17:美光DRAM和NAND收入拆分(亿美元)DRAM NANDFlash YOY-DRAM YOY-NAND DRAM NAND YOY-DRAM YOY-NAND806040200
23Q123Q223Q323Q424Q124Q224Q324Q425Q125Q225Q325Q4
200%150%100%50%0%-50%
806040200
250%200%150%100%50%0%-50%Bloomberg Bloomberg存储原厂CapEx2016-20182020-2021AI26Q1CapExSK26Q1CapEx25Q1SK26Q1合计CapEx21Q2FY26Q2AI受到DRAMNANDCapEx图18:海外存储原厂资本开支(亿美元)及增速三星电子 海力士 美光 YOY(总资本开支)250 200 150 100 0%50 -40%0 、Bloomberg ;注:26Q1数据不含SK海力士CapExeSSDNAND本轮周期新增投入主要集中于AIHBM、DDR5/DRAMeSSDAIKVCacheSKCapExeSSD出存储原厂2023年2024存储原厂2023年2024年2025年2026E三星电子53.148.4DS部门,2.4万亿韩元用于显示2.5HBMHBM52.7DS47.5万亿;HBM供应量同比翻倍增长继续拓展HBM4、高密度DDR5、SOCAMM2、GDDR7等;重点扩大高性能TLCSSD规模SK海力士2023年资本支出同比减少50%以上大幅扩产HBM、TSV产能,NAND产能提升有限年内上调支出指引,HBM新产线相关投入增长显著资本支出同比大幅增长;预计26Q2DRAM销售bit环比高个位数增长,NAND销售bit环比中双位数增长美光130亿美元,同比减少38%81亿美元138亿美元,主要用于投资1β1γnmNAND资本开支FY26250FY27也HBM和DRAM营收预计大幅增长各公司公告2、紧抓国内AI智算中心、HPC规模化落地机遇SSDSSDAIHPC企业级存储系统图19:存储系统产品分类示意图ACSNCSACS“+ACS5000/7000端A001800VeCe.0、RDMA和AI/HPCACS9000ACS18000AIHPC主要产品产品定位核心特点适用场景NetStorACS18000国产高端全闪分布式存储主要产品产品定位核心特点适用场景NetStorACS18000国产高端全闪分布式存储基于PCIe5.0的自主可控全闪分布式高端存储,采用全闪NVMe架构、端到端RDMA网络、100G/200G互联,支持十亿级文件并行访问,打破过去超高性能业务完全依赖国外高端产品的问题AI、HPC、大数据分析等高端应用,以及石油勘探、卫星接收、生物医学、金融支付等高性能核心业务场景NetStorACS11000自主可控分布式统一存储CPUTYDS分布式存储核心软件,提供文件、块、对象、大数据及云存储OpenStackHadoopKubernetes接口5G、云、AI、大数据时代下的多接口、海量数据安全存储NetStorACS9000高端国产端到端NVMe全闪存储PCIe5.0IO堆栈和存储管SAN/NAS融合、NVMe-oF、FC/iSCSI、SMB/NFS等协议高性能计算、数据库、OLTP/OLAP、云计算、文件共享、AIGC等高性能自主可控场景NetStorACS7000面向信创/XC市场的中高端存储2000+/64NVMeIOPS1ms,支持SAN/NAS一体化双活、快照、容灾和多协议访问党政、金融、交通、医疗、科OA数据库、云计算、文件共享、高性能计算NetStorACS5000中端国产统一存储SAN/NAS一体化、SSD缓存加速、自动分层、资源池化中小型数据中心、党政、科研院所、金融、能源、电信等关键业务存储同有科技官网NCS系列偏向通用商用市场和性能型场景,产品覆盖全闪存储、混闪统一存储、多控虚拟化存储和分布式统一存储。其中,NCS9000/F强调NVMe全闪和数据处理性能;NCS15000则以全对称分布式架构、对象/块/文件/大数据/云存储“五类服务”以及3到4096节点平滑扩展为核心,适合海量非结构化数据、AI、物联网、运营商、金融、医疗、教育等行业。主要产品产品定位核心特点适用场景表3主要产品产品定位核心特点适用场景NetStorNCS15000分布式统一存储TYDS34096个节TB/PB/EB级容量需求人工智能、物联网、运营商、NetStorNCS10000-F全闪分布式存储采用全闪硬件平台和端到端NVMe技术,突出分布式架构下的高吞吐、低时延能力AI训练、高性能计算、大数据分析、海量小文件并发访问NetStorNCS10000分布式集群存储数据管理能力非结构化数据、视频云、广电媒资、大数据存储NetStorNCS9000/F通用商用NVMe全闪存储融合NVMe技术,提供全闪或混闪方案,提升数据处理速度,并支持快速、灵活的云服务部署AI、数据分析、企业高性能存储、云服务部署NetStorNCS7300G3新一代混闪统一存储面向成本与性能兼顾的商用市场,采用混闪架构,兼顾容量、性能和统一存储能力企业级数据库、文件共享、虚拟化、一般商用关键业务NetStorNCS7000G2多控虚拟化存储面向通用企业存储市场,强调多控架构、灵活扩展和存储资源虚拟化资源整合与虚拟化同有科技官网图20:NetStorACS18000系列示意图 图21:NetStorNCS15000系列示意图同有科技官网 同有科技官网AIAIHPC252.5125特种固态硬盘固态存储(D,是用固态电子存储芯片阵列而制成的存储产品,相较机械硬SSD,SSDSSD产品系列产品特性应用领域固态硬盘产品系列产品特性应用领域固态硬盘面向特种装备、工业自动化领域,在产品性能、可靠性、适配性等方面优于通用产品;分为特种和工业类固态硬盘特种行业类固态硬盘主要用于特种行业加固计算机及平板电脑等;工业类固态硬盘主要用于工控机存储系统、安防监控及视频采集系统等定制固态存储毁、数据无损保护及闪存强化技术等功能。适用于对存储结构、接口形态、性能指标、安全销毁、数据保护等有特殊要求的特种、工业及专业化应用场景固态存储板卡NANDFLASH等主要用于高清视频计算系统、高速数据信息存储处理系统及信号处理系统等复杂存储场景安全存储产品针对用户数据进行安全加密,可在标准固态硬盘及存储板卡等产品上实现安全加密功能;支持多种安全加密算法;包括自加密安全产品、主板绑定安全加密产品等主要适用于对数据安全有特殊需求的特种行业、政务及工业系统客户,应用于加固平板、加固计算机、存储单元及存储服务器等领域鸿秦科技官网、公司公告图22:鸿秦PCIe数据存储卡(左)、加密SSD(中)、极速物理销毁XMC存储卡(右)鸿秦科技官网特种行业国产自主可控经营稳健。公司下游客户主要为国内特种集团下属的科研三、参股企业SSD龙头忆恒创源,协同价值突出 eSSD1、忆恒创源SSDPBlazeNVMeSSD2024SSD20258.8Y49.164742O+6.3。202517.37%企业级SSD市场分析企业级SSD市场持续增长企业级SSDFlash、DRAM)图23:企业级SSD示意性内部结构忆恒创源公告AI基建和应用推动企业级SSD景气上行。随着AI驱动的半导体存储超级周期,ForwardInsights2022-2027ESSD204.54514.18CAGR20.25%SSD44.71135.09CAGR24.75%eSSD加速HDD,PCIe图24:2022-2027E全球企业级SSD市场规模(亿美元) 图25:2022-2027E中国企业级SSD市场规模(亿美元)大普微公告、ForwardInsights 大普微公告、ForwardInsights企业级SSD增量结构性向QLCSSDAIAISSDeSSDAIeSSD3QLCSSD凭借GPUAIIDC,2026AI347.1(2021-2026EC=17.3AICD企业级SSD市场竞争格局企业级SSDSK80%eSSDeSSD年忆恒占全国eSSD4.7%2.30%3.00%4.70%11.40%35.40%11.40%31.80%三星思得忆联信息忆恒创源大普微浪潮其他图26:2024年全球企级SSD市场份额情况 图27:2024年中国企2.30%3.00%4.70%11.40%35.40%11.40%31.80%三星思得忆联信息忆恒创源大普微浪潮其他3.57% 1.11%8.89%14.20%
42.31%29.92%三星 SK海力士+得 美光 铠侠 西部数据 其他大普微公告、集邦咨询 大普微公告、IDC企业级SSDeSSD++Marvell、Microchip++eSSD类型代表厂商经营模式及特点主控芯片+固件+模组三星、思得、西部数据、大普微、忆联信息等自主掌握主控芯片设计、固件及模组开发等核心环节,存储介质主要类型代表厂商经营模式及特点主控芯片+固件+模组三星、思得、西部数据、大普微、忆联信息等自主掌握主控芯片设计、固件及模组开发等核心环节,存储介质主要自产或外购。产品类型多样化,可按下游客户需求提供更多差异化定制产品和售后技术支持。主控芯片Marvell、Microchip等SSD与下游eSSD厂商合作,满足终端领域的市场需求。固件+模组忆恒创源等与主控芯片、存储介质供应商合作,通过外购主控芯片和存储介质,并搭载自研固件实现模组开发,为客户提供定制化存储解决方案。大普微公告忆恒创源主要产品和服务企业级SSD产品建成通用和全国产自主可控企业级SSD产品矩阵。忆恒成立至今已完成7代eSDBaz7和Bae6Bz7为其面向AI、云计算、数据库和高性能存储系统的新一代PCIe5.0企业级NVMeSSDSSD79407A40PBlaze77A40Ocean为其首款超大容量QLCeSSD。产品系列产品定位核心参数主要特征适用场景PBlaze77A40Ocean产品系列产品定位核心参数主要特征适用场景PBlaze77A40OceanQLC大容量企业级SSD容量最高122.88TB、14.2GB/s顺序读、3350KIOPS4K随机读、0.7DWPD忆恒创源首款QLC超大容量PCIe5.0企业级SSD,强调存力密度、能效和数据中心空间/功耗优化AI高效检索、内容分发、大数据分析、高性能存储系统等PBlaze77A40全国产高性能企业级SSD容量最高30.72TB;最高14.2GB/s顺序读、12.0GB/s顺序写;NAND,1DWPD/3DWPD向读密集与混合读写场景AIKVCacheRAGPBlaze77940高性能通用企业级SSD容量覆盖3.2TB-30.72TB;最高14GB/s顺序读、10GB/s顺序写;U.2HHHLAICE1.SE3.S多种形态,强调性能、能效和部署灵活性AI/机器学习等延迟敏感型负载忆恒创源官网图28:忆恒PBlaze77940系列产品示意图忆恒创源官网第7代产品性能优化显著,适配AI训练与推理需求。忆恒创源第7代产品体系自2023年8月PBlaze77940发布起正式进入PCIe5.0阶段。第7代产品在总AIUnet3D7940PCIe4.0SSD3TB42.6%;890%指标PBlaze6指标PBlaze66920PBlaze66530PBlaze77940PBlaze77A40PBlaze77A40Ocean功能配置指标产品系列692065307940/79467A40/7A467A40Ocean总线通道类型PCIe4.0PCIe4.0PCIe5.0x4PCIe5.0x4PCIe5.0x4通信协议NVMe1.4NVMe1.4NVMe2.0&OCP2.0NVMe2.1NVMe2.1闪存类型96L3DeTLC176L3DeTLC3DTLCNAND3DTLCNAND3DQLCNAND可用容量4-16TB2-8TB3.2TB–30.72TB3.2TB–30.72TB30.72TB/61.44TB/122.88TB性能指标顺序读写速度最高7.1GB/s最高6.8GB/s128KB读:最高14GB/s;128KB写:最高10GB/s128KB读:14.2GB/s;128KB写:最高12.0GB/s128KB读:最高14.2GB/s;128KB写:4.0GB/s随机读写速度最高1,600K最高1,100K4KB随机读:最高2800KIOPS;4KB随720KIOPS4KB随机读:最高3400KIOPS;4KB随机写:最高1250KIOPS4KB随机读:最高3350KIOPS;随机写:60KIOPS(16KB)可靠性指标寿命1DWPD或3DWPD1.5DWPD或3.3DWPD1/3DWPD1/3DWPD0.7DWPD不可纠正错误率<10^-17<10^-18平均无故障时间200万小时250万小时忆恒创源官网、忆恒创源公告图29:PBlaze7显著缩短AI训练任务运行耗时 图30:PBlaze7有效提升AI训练加速器利用率忆恒创源官网 忆恒创源官网自主可控PCIe5.0QLCSSD20249月发布PBlaze77A40eSSD20256PCIe5.0SSD(eSSD)50万片,部署于AI训练/3CFMS|MemoryS2026eSSDPBlaze77A40OceaneSSD图31:忆恒PBlaze77A40Ocean的展会现场图IT之家固件技术解决方案SSD7×24Memspeed、Memsolid等核心MUFPeSSD图32:忆恒固件技术解决方案架构忆恒创源公告2、泽石科技2017SSD2025PCIe5.020252.5YOY+93.7%5,999.44.62026年320257.86%2.1泽石科技主要产品和服务围绕国产SSD主控芯片持续布局。公司主要围绕盘古、神农Tensor、精卫三大产品矩阵,覆盖PCIe5.0、PCIe3.0NVMeSSD及UFS嵌入式存储场景。基于3DSSDPCNAS产品接口/协议最高性能核心特点产品接口/协议最高性能核心特点盘古PCIe5.0x4/NVMe2.0顺序读14GB/s;顺序写13GB/s;4K随机读2500KIOPS;4K随机写2000KIOPS面向企业级高性能SSD,支持端到端数据保护及国密算法神农TensorPCIe3.0x4/NVMe1.3顺序读3.5GB/s;顺序写3.0GB/s;随机读500KIOPS;随机写450KIOPS完全自主研发,搭载TensorECC®纠错算法,最大支持8TB容量精卫UFS2.1x1-Lane顺序读40Bs40/s面向嵌入式存储,支持LDPC、磨损均衡、垃圾回收、掉电数据完整性等可靠性功能泽石科技官网图33:泽石科技盘古(左)、神农Tensor(中)、精卫(右)主控芯片泽石科技官网四、盈利预测及投资建议 我们基于以下假设对公司2025-2027年盈利进行预测:HPC202696%2027-202833%/25%51%/52%/52%。SSD2026-2028年投3.5/3.8/4.1亿元。综上,我们预计公司2026-2028年收入7.91/10.52/13.15亿元;归母净利润4.15/4.66/5.45亿元,2026年利润端大幅扭亏为盈。我们看好公司存储全产业链布局在AI时代的成长韧性,首次覆盖给予“强烈推荐”投资评级。风险提示 AIAIAI型尚处于快速迭代期,若大模型无法突破性能、成本等瓶颈,将可能影响相关AISSD资产负债表单位:百万元202420252026E资产负债表单位:百万元202420252026E2027E2028E流动资产65172496614142028利润表单位:百万元202420252026E2027E2028E营业总收入36540379110521315营业成本213206387505631营业税金及附加38162126营业费用364177100118管理费用5367111144177研发费用7677134177217财务费用10160160资产减值损失(258)(53)00000000其他收益810101010投资收益(1)7350380410营业利润(279)(48)425479565现金1388380257590交易性投资3131313131应收票据5580158210262应收款项295286237316394其它应收款57141823存货108206386503629其他1931607998非流动资产102599798096595120242025 2026E 2027E 2028E长期股权投资21624120242025 2026E 2027E 2028E长期股权投资216241241241241固定资产392389386384381无形资产商誉142137123111100其他274230230229229资产总计167
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