存储行业深度跟踪报告：长协锁单彰显紧缺延续行业景气有望延续至2027年

正文目录一、需求端：AI推理驱动存储需求扩张，定制化趋持续提升行业壁垒 7126年CSP资开支将达8000美元以，AI理驱动存全品类求激增 72、存部分产逐渐转定制，行业垒逐渐高或将减周期属性 10二、供给端：26年原厂资本开支大幅增长，HBM挤占下DRAM/NAND实际新增有效供给非常限 141、扩挤占传统DRAM产能预计2027年者仍将存一定缺口 1422026年原资本开增长著，预实际整圆新增量常有限 16三、库存端：原厂库存紧张贯穿全年，中下游战略备货蓄力业绩高增 191、原：26Q1年存处于低水平，DOI持续营运效率高 192、台：Q1积极备库存快增长，保后稳供应能力 203、大：模组积极备创历新高，撑长期绩增长 21四、价格端：现货价短期扰动不改合价上行趋势二季度NAND涨幅超过DRAM 231、价指数：前整体势放，较高有小幅调 232、现价格：DRAM与NAND价有所回，与约价仍存一定差距 243、合价格：计二度NAND涨幅过DRAM，手机、PC领域价也将持走高 28五、销售端：多年期长协持续加固业能见度，存供需紧缺或将延续至年 311、原：26Q1营与利润创新高签署多期议业绩能度提高 312、台：利基货持续将延至27，存储趋势持续 353、大：26Q1利与模组利能力幅提升存价格上涨公司全业绩有著拉动 40六、投资建议：建议关注海外存储国内原厂模组利基和上游产业链公司 46图表目录图1：AIScalingLaw持续 8图2：海外CSP资开支（美元） 8图3：内存层架构 9图4：KVCache占用存空间（GB） 9图5：2026年NAND下游需占比 9图6：数据中心AI分领域NAND位元需求 10图7：各类存技术Roadmap 图8：3DDRAM架构 图9：HBF堆叠 13图10：HBM供情况 14图供需情况 15图12：HBM与DRAM产能占比 16图13：1bDRAM与单晶位元产出 16图14：DRAM与NAND新建厂投产划 18图15：DRAM需缺口 18图16：NAND需缺口 18图17：四原厂季库存情（亿元） 19图18：四原厂季库存周天数 19图19：海主要Flash/HDD季度库情况亿元） 20图20：海主要Flash/HDD度库存转天数 20图21：台存储模厂季度存情（亿美） 20图22：台存储模厂季度存周天数 20图23：台利基型储厂季库存况（亿元） 21图24：台利基型储厂季库存转天数 21图25：大存储模厂季度存情（亿元） 21图26：大存储模厂季度存周天数 21图27：大利基型储厂季库存况（亿） 22图28：大利基型储厂季库存转天数 22图29：DXI23图30：DRAM与NAND价格数 24图31：流DRAM现价格（度，美） 25图32：他DRAM现价格（度，美） 25图33：NAND货价格周度，元） 26图34：NAND粒现货格（周，美元） 26图35：各储产品度价格况（元） 27图36：各商产品道价格货期化情况 28图37：26Q2存器价预测 28图38：DRAM约价（度，元） 29图39：NAND约价（度，美） 30图40：四存储原营收（美元及累计比情况 33图41：存原厂季毛利率况 33图42：存原厂季净利率况 33图43：海士季度收占比分 34图44：美季度营占比拆分 34图45：外NAND/HDD厂季营收及计同情（亿美元） 35图46：外NAND/HDD厂毛率情况 35图47：外NAND/HDD厂净率情况 35图48：群电子季营收及比情（亿美） 36图49：创信息季营收及比情（亿美） 36图50：威季度营及同比况（美元） 36图51：十季度营及同比况（美元） 36图52：台模组厂利率对比 37图53：台模组厂利率对比 37图54：群电子月营收及比（新台币） 38图55：创信息月营收及比（新台币） 38图56：威月度营及同比亿新币） 38图57：十月度营及同比亿新币） 38图58：华季度营及同比况（美元） 39图59：旺季度营及同比况（美元） 39图60：晶科季度收及同情况亿美元） 39图61：钰季度营及同比况（美元） 39图62：台利基型储厂商利率况 39图63：台利基型储厂商利率况 39图64：华月度营及同比亿新币） 40图65：旺月度营及同比亿新币） 40图66：晶科月度收及同（亿台币） 40图67：钰月度营及同比亿新币） 40图68：江龙季度收及同情况亿元） 41图69：江龙季度母净利情况亿元） 41图70：德利季度收及同情况亿元） 41图71：德利季度母净利情况亿元） 41图72：佰存储季营收及比情（亿元） 42图73：佰存储季归母净润情（亿元） 42图74：国存储模季度毛率情况 42图75：国存储模季度净率情况 42图76：兆创新季营收及比情（亿元） 43图77：兆创新季归母净润情（亿元） 43图78：普股份季营收及比情（亿元） 43图79：普股份归净利润况（元） 43图80：东股份季营收及比情（亿元） 44图81：东股份归净利润况（元） 44图82：北君正季营收及比情（亿元） 44图83：北君正归净利润况（元） 44图84：聚股份季营收及比情（亿元） 44图85：聚股份归净利润况（元） 44图86：恒股份季营收及比情（亿元） 45图87：恒股份归净利润况（元） 45表：存储业链海外公司理 2表1：GroqLPU与B200GPU12表2：海外三原厂2026年资开支计划 17表3：海外存大厂业及指引总 32表4：存储产链海内上市梳理 46一、需求端：一、需求端：AI推理驱动存储需求扩张，定制化趋势持续提升行业壁垒AI驱动存储全品类需求结构性激增，同时存储产品逐步从标准化转向定制化，AI→AgenticAI→PhysicalAI”CSPTrendForce预计，2026CSP8300179HervrRM到e、HDD的全栈式需求增长。同时，存储产品正加速从标准化转向定制化：HBM4basedieCXL池化、SOCAMM（AILPDDR、3DDRMH（HM与DHM的86倍）126CSP8000推理驱动存储全品类需求激增AI三大飞轮驱动存储全品类需求激增，数据及存储价值逐渐提升。AI技术演进正沿“推理→AgenticAI→PhysicalAI”三个阶段依次展开，构成一个彼此强化的复合需求循环，驱动全品类存储需求结构性扩张。1）推理阶段，算力引擎从FY26Q32026token，每serverDRAMHDD；2）AgenticAI阶段，AI从单HDD亦3）PhysicalAI（4T510HDDAIHBMHDD存储优化技术改善整体推理成本，进一步推动内存需求用量。另外，AI行业软硬件持续优化成为存储需求的又一驱动，存储优化技术看似降低单设备内存用量，但实际演进方向是最大化单位内存承载的上下文量与用户数，从而改善AI服务的经济性、扩大整体市场规模，形成进一步推升存储需求的正向循环。图1：AIScalingLaw持续英伟达受零部件价格上涨以及AI旺盛需求拉动，2026年全球主要CSP资本开支预计增至8300CSP202619002501750-18501800-1900+102%；Meta1250-1450AI2300MetaCSP，合计资本支出预估至830061%。图2：海外CSP资本开支（亿美元）0

亚马逊 谷歌 Meta 微软 累计同比

90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%-10%-20%彭博KVCache扩容促使存储层级系统化，AI存层级架构。AILLM文本的持续扩展以及etVaceGPUHBMDDRSSD等AIAIAI层级架构。图3：内存层级架构美光，SemivisionKVCce逐渐下沉至eAI26年AD最大应用市场。KVCachetoken速下沉至eSSDtokenKVCache1ktoken0.5GBKVCache，128ktoken64GBKVCacheAI37%。服务器手机PC其他图4：KVCache占用存储空间（GB） 图5：服务器手机PC其他MemoryS2026 注：BF/FP16，求） MemoryS20262031年数据中心NAND位元需求将增至1686EB，AI推理引领增长25-31年CAGR为56%。NAND2025286EB20311686EB，2025-2031CAGR34%AIAIAgenticAI、EdgeAI、PhysicalAI等新应用场景的兴起，AI推理对NAND的需求将以56%的CAGR爆发式增长，从2025年的86EB扩张至2031年的1251EB，届时将占数据中心NAND总需求的74%，支撑企业级SSD（尤其是高性能QLC/TLC产品）的长期需求，而AI训练与传统负载的CAGR分别仅为11%和14%。图6：数据中心AI细分领域NAND位元需求铠侠，SDCAI2、存储部分产品逐渐转向定制化，行业壁垒逐渐提高或将减小周期属性HBMJEDECHBM4basedieDRAM能，开始采用逻辑工艺而非DRAMbasedie可以集成更多定制功能，如电源管理、SK海力士主流产品basedie12nm舰GPU和谷歌TPU的高端设计则采用3nm4nm工艺，2nmHBM4EbasedieAMDCXL：专为集中部署设计，扩展内存容量。PCIeCPU、25%的DRAM：采用LPDDRAI14×90mmRDIMM内16芯片LPDDR5X128GB容量，读写速度为9.6GT/s。美光的SOCAMM内存条已量产，并应用于英伟达的GB30026Q1公司率先面向英伟达RubinSOCAMM2AlmacapResearchDRAM方面，3DDRAM当前原厂DRAM技术6F²10nm6F²4F²4F²VCT通4F²VG4F²NEOSemiconductor3D1T1C和3T0C3DX-DRAMIGZO3DDRAM20nm级EUV图8：3DDRAM架构NEOSemiconductor，闪存市场架构上，GroqLPU+SRAM凭借低延迟、高带宽打破低延迟瓶颈。传统GPU需HBMLPUSRAM80TB/s以上，相比于HBM10LPU+SRAMLPUGPUAIU负责eil，LU负责Dce英伟达在C26LULX机柜，升256LPUGPUFeynman将全球首发台积电A16（1.6nm）LPUGPU+LPU的异构架构。架构GroqLPUNVIDIAB200GPU内存类型片上SRAM片外HBM3e架构GroqLPUNVIDIAB200GPU内存类型片上SRAM片外HBM3e内存容量230MB192GB内存带宽80TB/s8TB/s推理速度Llama270B:300token/s8卡DGXB200系统可为单用户提供＞1000token/s的生成速度（Llama4Maverick）Llama27B:750token/sLlama38B:1300+token/s功耗约185W（单卡）1000W（单GPU）延迟特性确定性执行（亚毫秒级）动态调度（存在延迟抖动）应用AI推理（特别是LLM）训练与推理闪存市场HBF是闪迪专为AI与215HBFOCPHBFBiCSNANDCBA（CMOS256Gbdie16512GB8-161.6TB/s落后于无容量上限HBMHBM4DRAMNAND23代产2Ts与32Ts1TB与15TB10.8x0.64xGPU系统通过引入HFHM方案的92B扩展至逾TB量级，HBF图9：HBF堆叠闪迪挤占下DRAM/NAND实际新增有效供给非常有限供给端受HBM挤占与洁净室产能不足双重制约，2026-2027年DRAM/HBM/NAND或将持续存在供应缺口。SemiAnalysis，2026DRAM需求约7%，其中缺口6%、年进一步扩大至9%，通用DRAM2026/20277%2026DRAM缺口达8%、NAND5%2026年三大原厂资本开支虽同比大幅增长，但实际新增晶圆产能高度集中且主要分配给HBM，2026P4M15X三家M15XHBMNAND20262028年停产2DND（iCSLH第3代其余主要扩产项目（海力士龙仁、美光铜锣/爱达荷）的实质性产出贡献基本要2027H22027Q31HBMDRAM2027年两者仍将存在一定缺口2027年HBM与DRAM仍存在一定供应缺口。根据SemiAnalysis数据，预计20267%6%20279%DRAM202620277%的缺口。图10：HBM供需情况SemiAnalysis图11：DRAM供需情况SemiAnalysisAI算力需求的激增正转化为短期内DRAMAIDDR/LPDDR/HBMDDR2023HBM需求2023123千片/331千片/2.72026473/月；2027668千片/月，即四年内HBM5HBMAI（GPUASIC）HBM密集度的持续提升将驱动单台服务器HBMDRAMHBM产能的大规模扩张对通用DRAM供应产生了双重挤压效应。1）直接挤占晶圆产能：HBMDRAM20225%202520%202735%HBM一项就将消耗三大原厂DRAM总晶圆产能的三分之一以上，直接挤占了原本可用于通用DRAM生产的产能。图12：HBM与DRAM产能占比SemiAnalysis位元转换率显著低于通用HBM3E12-HiDRAMHBM3H44HM4E图13：1bDRAM与HBM单晶圆位元产出SemiAnalysis2、2026年原厂资本开支增长显著，预计实际整体晶圆新增量非常有限2026年海外三大原厂预计资本开支增长显著，美光进一步上调全年资本开支，将进一步加大投资以扩充高端产品产能。市场需求；AICapexClusterM15X产能ramp-upEUV美光：20262502027将大幅上调，重点投向HBMDRAM100三星海力士美光2026年预计资本开支2026三星海力士美光2026年预计资本开支2026年预计资本支出将同比大幅增加2026年资本支出预计同比将显著增加，主要用于产能扩张和基础设施的建设上调至约250亿美元，增幅主要源于洁净室设施相关资本支出产品最新进展1）与第二代6.03）将于二季度率先推出HBM4E首批样片。cm程开发；2）4192GBSOCAMM2PQC21clientSSD为公司首款采用CTF321层QLC已完成162027256GBSOCAMM2G9NAND的PCIe®Gen6各公司法说会26年实际新增晶圆产量有限且主要集中在MAND几乎没有实际晶圆增SemiAnalysis202626入有限SKM15XA3SK海力士的M15XHBM生产而非传统2026P42027表可能会提前。即便如此，预计第二阶段对晶圆产量的实质性贡献仍将在2027海力士：20272设备搬入和认证需要时间，晶圆产量在2027年第三季度前将非常有限。P52027晶圆产量尚不确定。在满负荷运转下，该厂通用型DRAM的最大月产能约为4.5HBMTC州1号晶圆厂目前的目标是2027年中期投产，晶圆产出可能同样要等到2027NAND2DNAND”（TSOP）（）331浮栅式（FloatingGate）BiCSFLASH32028图14：DRAM与NAND新建工厂投产计划闪存市场DRAM与NAND供需缺口将维持2026全年。2026DRAMNANDDRAM8%，DRAM5%季缩小，全年仍处于紧平衡状态。图15：DRAM供需缺口 图16：NAND供需缺口

10%5%0%-5%-10%-15%-20%-25%-30%瞻 瞻三、库存端：原厂库存紧张贯穿三、库存端：原厂库存紧张贯穿2026全年，中下游战略备货蓄力业绩高增原厂与利基厂库存持续去化、26Q1DRAM库存120NAND/HDDNBM+14%DOI环（）26Q16500（26Q1422.28DOI1、原厂：26Q1年库存处于较低水平，DOI持续下降营运效率提高26Q1DOI仍处紧张水平。25Q4364.42+1.7%，DOI94；25Q498.93亿56%DI为316127+08%，DOI为130；26Q1末南亚科库存7.59亿美元，环比-12.6%，DOI为191。三星：NAND美光：26Q1836200天；DRAM库存周转天数仍处于紧张水平，低于120天。图17：四大原厂季度库存情况亿美元） 图18：四大原厂季度库存周转数0

三星电子 海力士 美光南亚科 累计同比

60%40%20%0%11Q412Q411Q412Q413Q414Q415Q416Q417Q418Q419Q420Q421Q422Q423Q424Q425Q4

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三星电子 海力士 美光 南亚科10Q411Q312Q213Q113Q414Q315Q216Q116Q417Q318Q219Q119Q420Q321Q222Q122Q423Q324Q225Q125Q410Q411Q312Q213Q113Q414Q315Q216Q116Q417Q318Q219Q119Q420Q321Q222Q122Q423Q324Q225Q125Q426Q122.3813.5715.3+4%/环比141778726Q114%，NBM26Q1图19：海外主要Flash/HDD厂季度库存情况（亿美元）图20：海外主要Flash/HDD季度库存周转天数0

闪迪 西部数据 希捷

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闪迪 西部数据 希捷 博 （自年示） 博2模组厂：26Q1加速备货库存快速增长，确保稳定供货能力整体营运水平较好。1）群联电子：2500CSPOEM厂商同步签订2）威刚：NANDWafer44006500十铨：20262NANDFlash图21：台股存储模组厂季度库情况（亿美元） 图22：台股存储模组厂季度库周转天数群联电子 创见信息 威刚科十铨 累计同比25201510510Q111Q110Q111Q112Q113Q114Q115Q116Q117Q118Q119Q120Q121Q122Q123Q124Q125Q1

80%60%40%20%0%-20%-40%

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群联电子 创见信息 威刚科技 十铨10Q111Q112Q113Q114Q110Q111Q112Q113Q114Q115Q116Q117Q118Q119Q120Q121Q122Q123Q124Q125Q1利基型存储：26Q1库存与DOI26Q17.872.89亿美元，环比-7.3%，DOI163.5；26Q12.18-3.2%，DOI209.726Q1图23：台股利基型存储厂季度存情况（亿美元） 图24：台股利基型存储厂季度存周转天数华邦 旺宏 晶豪科 钰创 累计同比20 60%15 40%20%100%5 -20%10Q111Q110Q111Q112Q113Q114Q115Q116Q117Q118Q119Q120Q121Q122Q123Q124Q125Q126Q1

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华邦 旺宏 晶豪科 钰创10Q111Q112Q113Q114Q110Q111Q112Q113Q114Q115Q116Q117Q118Q119Q120Q121Q122Q123Q124Q125Q126Q13、大陆：模组厂积极备货创历史新高，支撑长期业绩增长模组厂：各家26Q1179.6121.9120.730327028226Q1大普微库20+43%422.2DOI图25：大陆存储模组厂季度库情况（亿元） 图26：大陆存储模组厂季度库周转天数0

江波龙 德明利 佰维存储 累计同比200%150%100%50%21Q221Q422Q221Q221Q422Q222Q423Q223Q424Q224Q425Q225Q4

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江波龙 德明利 佰维存储22Q222Q322Q423Q123Q222Q222Q322Q423Q123Q223Q323Q424Q124Q224Q324Q425Q125Q225Q325Q426Q126Q1进一步下降。26Q134.01亿元、15.8411.9329.383.03亿元、3.22+34%/1751964533021842178图27：大陆利基型存储厂季度存情况（亿元） 图28：大陆利基型存储厂季度存周转天数0

兆易创新普冉股份东芯股份北京君正聚辰股份恒烁股份累计同比

40%30%20%10%0%-10%

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兆易创新 普冉股份 东芯股份北京君正 聚辰股份 博 博四、价格端：现货价短期扰动不改合约价上行趋势，四、价格端：现货价短期扰动不改合约价上行趋势，二季度NAND涨幅超过DRAM现货价较高点出现小幅回调，但合约价涨势依然强劲。DXIDRAM及NAND40.4%、2.7%5.3%DDR416GbNAND现货价30-40%TrendForce26Q2DRAM58-63%，NAND涨幅超过CSP主动签署LTA1、价格指数：当前整体涨势放缓，较高点有小幅回调年7DXI202572026421日达681172.688DXI6786500.7%0.4%。DRAM指数：出现小幅下滑，当前较高点下降2.7%。10月指数突破千点关口，此后涨幅持续扩大，11月单月涨幅超40%，2025年末指数突破2000点，进入2026年后更是加速冲高，最终在4月7日达到4049.2点的阶段高点，4月28日指数为3938.5，较高点下降2.7%。NAND5.3%。NAND25年9月低点冲高至6年3月4日高点394月8日指数为399，5.3%。图29：DXI指数DXI指数2013-06-042013-11-042013-06-042013-11-042014-04-042014-09-042015-02-042015-07-042015-12-042016-05-042016-10-042017-03-042017-08-042018-01-042018-06-042018-11-042019-04-042019-09-042020-02-042020-07-042020-12-042021-05-042021-10-042022-03-042022-08-042023-01-042023-06-042023-11-042024-04-042024-09-042025-02-042025-07-042025-12-042026-05-04（截至5月8日）图30：DRAM与NAND价格指数NAND指数 DRAM指数02021-06-22 2022-06-22 2023-06-22 2024-06-22 2025-06-22，存场 （截至4月28日）2、现货价格：DRAM与NAND价格有所回调，与合约价仍存在一定差距整体现货价普遍回调16Gb回调幅度最大至5月8日主流DDR516Gb/DDR416Gb/DDR48Gb/DDR34Gb 现货均价为39.83/58.46/32.1/8.73美金，相上周环+2.14%/-4.41%/-1.17%/+4.18%，+7.66%/-19.42%/-4.35%/+13.31%DDR416GbTrendForceD5DD4图31：主流DRAM现货价格（日度，美元）DDR5(16Gb(2Gx8),4800/5600Mbps) DDR4(16Gb(2Gx8),3200Mbps)DDR4(8Gb(1Gx8),3200Mbps) DDR3(4Gb(512Mx8),1600MHz)9080706050403020100， 58日）图32：其他DRAM现货价格（日度，美元）DDR416Gb(2Gx8)2666Mbps DDR48Gb(1Gx8)2666DDR48Gb(512Mx16)2666Mbps DDR416Gb(2Gx8)eTT80706050403020102022-01-192022-03-192022-01-192022-03-192022-05-192022-07-192022-09-192022-11-192023-01-192023-03-192023-05-192023-07-192023-09-192023-11-192024-01-192024-03-192024-05-192024-07-192024-09-192024-11-192025-01-192025-03-192025-05-192025-07-192025-09-192025-11-192026-01-192026-03-19， 54日）NAND：近期呈持续下修态势，部分贸易商因资金周转压力采取降价变现措施。427TLC512Gb/TLC256Gb/TLC128Gb20.59美元/10.48美元/6.58-1.8%/持平/NANDTndrceNND30-40%图33：NAND现货价格（周度，美元）现货平均价:NANDFlash(64Gb8Gx8MLC) 现货平均价:NANDFlash(32Gb4Gx8MLC)2520151052015-01-052015-05-052015-01-052015-05-052015-09-052016-01-052016-05-052016-09-052017-01-052017-05-052017-09-052018-01-052018-05-052018-09-052019-01-052019-05-052019-09-052020-01-052020-05-052020-09-052021-01-052021-05-052021-09-052022-01-052022-05-052022-09-052023-01-052023-05-052023-09-052024-01-052024-05-052024-09-052025-01-052025-05-052025-09-052026-01-05， 427日）图34：NAND颗粒现货价格（周度，美元）TLC128Gb TLC256Gb TLC512Gb25.0020.0015.0010.005.000.00， 427日）近期各类存储产品现货价均趋稳，个别PC价格小幅上涨。数据，原厂NANDSSDPCQ2PC0.30美金300美金PCOEM256GBSSD的议价权。4月28日行业256GBSATA/PCIe3.0SSD价格呈个位数百分比上涨。图35：各存储产品周度价格情况（美元）存储类型1/62026/1/132026/1/202026/1/272026/2/32026/2/102026/2/242026/3/32026/3/102026/3/192026/3/242026/3/312026/4/72026/4/142026/4/212026/4/28FlashWafer14.219.019.024.024.028.028.028.028.028.028.028.027.0DDR50.050.050.050.050.050.050.050.050.050.050.050.050.050.050.0DDR416GbeTT10.010.012.512.512.512.513.013.013.015.015.015.015.015.015.015.015.0DDR48Gb320011.011.015.015.015.015.015.015.015.015.015.015.015.015.015.015.015.0DDR48GbeTT6.06.06.56.56.56.56.86.86.87.47.47.47.47.47.47.47.4DDR44GbeTT1.91.92.52.52.52.52.72.72.72.72.72.72.72.72.72.72.7DDR524GbMajor30.030.036.036.036.036.036.036.036.036.036.036.036.036.036.036.036.0DDR516GbMajor24.024.030.030.030.030.030.030.030.030.030.030.030.030.030.030.030.0DDR516GbeTT15.015.020.020.022.022.024.024.024.026.026.026.023.023.022.022.022.0内存条（PC）DDR4SODIMM4GB320035.035.035.035.038.038.038.038.038.038.042.042.042.042.042.042.042.0DDR4SODIMM8GB320062.062.062.070.070.080.080.080.090.090.096.096.096.096.090.090.085.0DDR4SODIMM16GB3200130.0130.0140.0160.0180.0180.0180.0180.0180.0180.0200.0200.0200.0200.0190.0190.0180.0内存条（渠道）DDR4UDIMM8GB320038.045.045.047.050.050.050.050.050.060.060.060.045.045.044.042.040.0DDR4UDIMM16GB320075.085.085.090.095.095.095.095.095.0120.0120.0120.090.090.085.085.080.0DDR4UDIMM32GB3200125.0140.0140.0160.0170.0170.0170.0170.0170.0220.0220.0220.0200.0200.0189.0175.0170.0DDR5UDIMM16GB5600110.0125.0125.0160.0170.0170.0170.0170.0170.0190.0190.0190.0170.0170.0165.0160.0155.0DDR5UDIMM16GB6000120.0145.0145.0170.0180.0180.0180.0180.0180.0200.0200.0200.0180.0180.0170.0167.0167.0DDR5UDIMM32GB5600220.0230.0230.0260.0270.0270.0270.0270.0270.0320.0320.0320.0290.0290.0280.0275.0270.0DDR5UDIMM32GB6000230.0250.0250.0270.0280.0280.0280.0280.0280.0330.0330.0330.0300.0300.0290.0280.0275.0SSD（PC）SSD(SATA3)256GB40.045.046.048.053.055.055.055.056.059.060.060.060.060.060.060.063.0SSD(SATA3)512GB60.072.075.085.090.0100.0100.0100.0102.0108.0115.0115.0115.0115.0115.0115.0115.0SSD(SATA3)1TB117.0140.0150.0170.0180.0190.0190.0190.0190.0190.0190.0190.0190.0190.0190.0190.0190.0SSD(PCIe3.0)256GB42.046.046.050.055.057.057.057.058.060.062.062.062.062.062.062.068.0SSD(PCIe3.0)512GB64.074.078.090.0100.0102.0102.0102.0105.0109.0115.0115.0115.0115.0115.0115.0115.0SSD(PCIe3.0)1TB125.0145.0152.0170.0185.0190.0190.0190.0190.0190190.0190.0190.0190.0190.0190.0190.0SSD(PCIe4.0)512GB68.076.080.0100.0110.0110.0110.0110.0112.0115.0118.0118.0118.0118.0118.0118.0118.0SSD(PCIe4.0)1TB135.0148.0155.0200.0200.0200.0200.0200.0200.0200.0200.0200.0200.0200.0200.0200.0200.0SSD(PCIe4.0)2TB248.0285.0300.0360.0380.0380.0380.0380.0380.0380.0380.0380.0380.0380.0380.0380.0380.0SSD（渠道）SSD(SATA3)120GB18.020.020.022.024.024.024.024.024.026.026.026.023.023.022.021.018.0SSD(SATA3)240GB32.035.035.040.047.047.047.047.047.052.052.052.049.049.048.046.040.0SSD(SATA3)480GB55.063.063.070.080.080.080.080.080.090.090.090.086.086.083.082.075.0SSD(PCIe3.0)256GB35.038.038.042.047.047.047.047.047.055.055.055.052.052.050.049.042.0SSD(PCIe3.0)512GB60.068.068.072.086.086.086.086.086.0105.0105.0105.0100.0100.095.093.085.0SSD(PCIe3.0)1TB108.0110.0110.0130.0140.0140.0140.0140.0140.0160.0160.0160.0155.0155.0150.0148.0130.0SSD(PCIe4.0)512GB62.068.068.080.088.088.088.088.088.0100.0100.0100.098.098.095.093.088.0SSD(PCIe4.0)1TB110.0115.0115.0130.0145.0145.0145.0145.0145.0170.0170.0170.0165.0165.0160.0156.0145.0SSD(PCIe4.0)2TB220.0235.0235.0250.0260.0260.0260.0260.0260.0300.0300.0300.0295.0295.0290.0280.0270.0LPDDR（手机）LPDDR4X96Gb70.070.085.085.085.092.092.092.0120.0120.0140.0140.0140.0140.0140.0140.0140.0LPDDR4X64Gb53.053.068.068.068.075.075.075.090.090.0103.0103.0103.0103.0103.0103.0103.0LPDDR4X48Gb45.045.058.058.058.061.061.061.071.071.080.080.080.080.080.080.080.0LPDDR4X32Gb37.037.042.042.042.045.045.045.058.058.060.060.060.060.060.060.060.0LPDDR4X16Gb19.019.022.022.022.024.024.024.030.030.031.031.031.031.031.031.031.0eMMC（手机）eMMC8GB5.19.010.010.012.015.015.015.015.018.020.020.020.020.020.020.020.020.0eMMC16GB5.110.011.011.013.016.016.016.016.019.021.021.021.021.021.021.021.021.0eMMC32GB5.111.512.512.514.517.017.017.017.022.023.023.023.023.023.023.023.023.0eMMC64GB5.113.013.013.015.019.019.019.019.023.025.025.025.025.025.025.025.025.0eMMC128GB5.123.023.023.025.028.028.028.028.031.031.031.031.031.031.031.031.031.0eMMC256GB5.140.040.040.044.050.050.050.050.058.058.058.058.058.058.058.058.058.0eMCP（手机）eMCP(eMMC+LPDDR4X)64GB+32Gb50.050.055.057.061.064.064.064.081.083.083.083.083.083.083.083.083.0eMCP(eMMC+LPDDR4X)128GB+32Gb60.060.065.067.070.073.073.073.089.089.091.091.091.091.091.091.091.0eMCP(eMMC+LPDDR4X)128GB+48Gb68.068.081.083.086.089.089.089.0102.0102.0111.0111.0111.0111.0111.0111.0111.0UFS（手机）UFS2.264GB14.014.014.018.020.020.020.020.025.027.027.027.027.027.027.027.027.0UFS2.2128GB24.024.024.028.030.030.030.030.033.033.033.033.033.033.033.033.033.0UFS2.2256GB42.042.042.048.052.052.052.052.060.060.060.060.060.060.060.060.060.0UFS2.2512GB60.060.060.068.072.072.072.072.090.090.090.090.090.090.090.090.090.0uMCP（手机）uMCP(LPDDR4X+UFS2.2)4GB+128GB61.061.066.070.072.075.075.075.091.091.093.093.093.093.093.093.093.0uMCP(LPDDR4X+UFS2.2)6GB+128GB69.069.082.086.088.091.091.091.0104.0104.0113.0113.0113.0113.0113.0113.0113.0uMCP(LPDDR4X+UFS2.2)8GB+128GB77.077.092.096.098.0105.0105.0105.0123.0123.0136.0136.0136.0136.0136.0136.0136.0u95.0110.0116.0120.0127.0127.0127.0150.0150.0163.0163.0163.0163.0163.0163.0163.0存场 （色表格涨白表格持）Q1渠道市场价格与货期仍持续增长，4场数据，渠道市场方面，尽管此前市场传出个别原厂及存储品牌厂商上调SSDSSDNAND和DRAMDRAM60%在面对同业杀价的情况下而跟进下修DDR4昌子 （色表格涨货长绿代价平及期稳黄代价下及缩）3、合约价格：预计二季度NAND涨幅超过DRAM，手机、PC等领域价格也将持续走高ND合约价二季度涨幅高于R预计26Q2DRAM合约价环增58-63%，NAND合约价环增70-75%。根据TrendForce2026DRAM原厂积极将产能转向HBM、ServerDRAM58-63%NANDFlashAI、70-75%。图37：26Q2存储器价格预测TrendForcePC端26Q2价格将持续坚挺。TrendForce①PC：PCOEMPCAIAIServerServer需求上升，大容量RDIMMServerDRAM2026DRAMDRAM升。预计26Q2消费类DRAM合约价环增45-50%TrendForce步退出成熟DDR42026DRAM45-50%。图38：DRAM合约价（月度，美元）DDR516Gb2Gx8 DDR516GBSO-DIMMDDR58GBSO-DIMM DDR48Gb1Gx8 DDR416Gb2Gx8 DDR48Gb512Mx16 DDR48GBSO-DIMMDDR416GBSO-DIMMDDR3/4GB/256Mx160（更新至2026年3月）NAND：服务器端需求持续旺盛，当前NANDTrendForce年第二季NANDFlashQLCAIServer保持强劲，PCNANDFlash需求AISSD2027年底或2028CSPPCClientSSDServer持续缩减对ClientSSDeMMC/UFSEnterpriseSSD图39：NAND合约价（月度，美元）DDR516GBSO-DIMM DDR58GBSO-DIMM DDR516Gb2Gx8 DDR416GBSO-DIMMDDR48GBSO-DIMM DDR416Gb2Gx8 DDR3/4GB/256Mx162019-072019-102019-072019-102020-012020-042020-072020-102021-012021-042021-072021-102022-012022-042022-072022-102023-012023-042023-072023-102024-012024-042024-072024-102025-012025-042025-072025-102026-01（更新至2026年3月）供需紧缺或将延续至2027年26Q1或延续至年。26Q1同步突破历史纪录，DRAMASP环比上涨mid-60%、NANDASP环比上涨mid-70%，业绩超出市场预期；各原厂已积极与客户推进多年期战略协议（SAC/NBM/LTA），20292027年甚至更久，行业有望迎来史上持续时间最长的上行周期之一。月单月营收普遍创历史新高。（（）受AI需求带动，26Q126Q1102DNAND及利基DRAM1、原厂：26Q1营收与利润再创新高，签署多年期协议业绩能见度提高海外存储大厂26Q22026NANDDRAMNAND供需202660%区间上调至mid-70s2027midtohigh-teens的BiCS26Q1TBEB10%；④希捷：lowmid-teensEBmid-20%。三星海力士美光闪迪三星海力士美光闪迪西部数据希捷26Q1营收133.9万亿韩元52.58万亿韩元238.6亿美元59.5亿美元33.37亿美元31.12亿美元同比69%198%196%251%45%44%环比43%60%75%97%11%10%26Q1业绩具体表现情况81.7+225%/环比74.8+292%/ 环 比+101%DRAM：26Q1出货量环比持平，ASP环比上涨mid-60%；NAND：26Q1出货量环比下降约10%，ASP环比上涨mid-70%亿美元，同比207%/环比74%；NAND：营收50+169%/ 环 比+82%数据中心：营收14.67比+645%/环比+233%；边缘计算：营收36.63+295%/环比+118%；消费级：8.2+44%/环比-10%29.72环比1.79+31%/+1.86+24%/环比+11%数据中心：营收25亿美元，同比+55%/环比+12%；6.12+2%26Q2业绩指引26Q2预计营收327.5-342.5亿美+260%/40%26Q2预计营收77.5-82.5亿美元，中值同比+321%/环比+34%26Q2预计营收35.5-37.5亿美+40%/环比+9%26Q2预计营收33.5-35.5+41%/环比+19%各公司法说会26Q1涨且AI年。三星电子：HBM业务收入预计26年同比增长3倍，2027年行业供需缺口26Q1133.9+69%/环比率61.2%，同比+25.7pcts/环比+14pcts，营业利润57.2万亿韩元，同比+756%/环比+185%，创历史新高，其中存储业务收入74.8万亿韩元，同比+292%/环比+101%26Q3HBM4的收入将占HBM20272026海力士：26Q1业绩再创新高，当前现货价波动并非市场见顶信号。26Q152.58+198%/环比+22pcts/环比+10pcts40.35+398%/环比+165%72%77%+31pcts/+31pctsDRAMNAND市场在整体DRAM时性现象；美光：26Q1营收与毛利率大超预期，已成功签署五年期协议。26Q1（FY26Q2）营收238.6亿美元，同比+196%/环比+75%，大超此前指引（8-1o-P毛利率749%3pcs181cs，产品结构优化与成本管控成效。运营利润率为69.0%，同比+44pcts/环比+22pcts。公司持续与客户推进战略客户协议，该协议不同于以往的261RM供不应求将至07261营收1550866，同比+83pcts/+19pctsQ24季也会延续，DRAM供不应求将至2027年。图40：四大存储原厂营收（亿美元）及累计同比情况1,200

三星电子（存储业） 海力士 美光 南亚科 累计同比

250%0

200%150%100%50%0%-50%10Q110Q310Q110Q311Q111Q312Q112Q313Q113Q314Q114Q315Q115Q316Q116Q317Q117Q318Q118Q319Q119Q320Q120Q321Q121Q322Q122Q323Q123Q324Q124Q325Q125Q326Q1博 （：光收自年分）图41：存储原厂季度毛利率情况 图42：存储原厂季度净利率情况

三星电子 海力士 美光 南亚科

三星电子 海力士 美光 南亚科 博 （：光自年分） 博 （：光自年分）分业务来看，海力士与美光DRAM业务收入占比均在七到八成，26Q1DRAM与NAND价格环比分别增长约mid-60%、mid-70%。1）海力士：①DRAM：26Q1出货量环比持平，符合公司此前指引，公司在供应受限下优先向HBM和128GB及以上高密度服务器模块分配产能。ASPDRAMmid-60%。②NAND：26Q110%少分立器件销售以及转向高附加值产品导致生产提前期延长所致。ASP方面，受益于全线产品强劲定价，NANDASP环比上涨mid-70%；2）DRAM：FY26Q2188+207%/环比mid-60%营50+169%/环比增长high-70%。图43：海力士季度营收占比拆分 图44：美光季度营收占比拆分

DRAM NAND 其他

DRAM NAND 其他2019Q12019Q32020Q12020Q32021Q12021Q32022Q12022Q32023Q12023Q32024Q12024Q32025Q12025Q32026Q12019Q22019Q42019Q12019Q32020Q12020Q32021Q12021Q32022Q12022Q32023Q12023Q32024Q12024Q32025Q12025Q32026Q12019Q22019Q42020Q22020Q42021Q22021Q42022Q22022Q42023Q22023Q42024Q22024Q42025Q22025Q4海外NAND/HDD厂：受益AI家已签至2028年及以后。协议涵盖27财年超三分之一的位元生产量。FY26Q359.50+251%/+97%，（44-48），BiCShigh-teens，主要是为了建立更高的库存水位，以支持下季度强劲的BiCS8QLC需求、Stargate放量以及为近期签署的新商业模式做准备；Non-GAAP毛利率78.4%，同比+55.9pcts/环比+27.5pcts，超此前指引（65%-67%）。关于RPO420110202750%以上；西部数据：部分LTA已延伸至2029年，预计长期数据存储增长CAGR将超过25%。FY26Q333.37+45%/环比+11%），利率为505%10pcs/+44cs（78CAGR25%LTA，公20282029LTAEB可能设有随新容量节点或新能力引入而调整定价的阶段性机制；希捷：FY26Q3营收与利润持续增长，公司与客户合作已延伸至2028年及FY26Q331.12+44.07%/引（28-30亿美元）；Non-GAAP毛利率为47%，同比+10.8pcts/环比+4.8pcts37.5%+14pcts/环比20272028图45：海外NAND/HDD厂季度营收及累计同比情况（亿美元）0

闪迪 西部数据 希捷 累计同比

120%100%80%60%40%20%0%-20%20Q120Q220Q120Q220Q320Q421Q121Q221Q321Q422Q122Q222Q322Q423Q123Q223Q323Q424Q124Q224Q324Q425Q125Q225Q325Q426Q1博 （：收据换自年）图46：海外NAND/HDD厂毛利率情况 图47：海外NAND/HDD厂净利率情况10

闪迪 西部数据 希捷

10

闪迪 西部数据 希捷 博 （：利数转为然） 博 （：利数转为然）2、台厂：利基缺货持续或将延续至27年，存储涨价趋势持续611）26Q126Q1409.67196%AI应用快速扩展，市场对高效能与高容量存储的需求持续升温；创见信息：26Q1营收创单季历史新高，传统存储器仍供不应求。136100%76.39%61.6%大AI年第1261.1163.76%DRAM68%7.1%DRAM及NANDFlash40%十铨：26Q12026195.5820262与NANDFlash图48：群联电子季度营收及同情况（亿美元） 图49：创见信息季度营收及同情况（亿美元）群联电子 同比8765432110Q111Q110Q111Q112Q113Q114Q115Q116Q117Q118Q119Q120Q121Q122Q123Q124Q125Q1

100%80%60%40%20%0%-20%-40%-60%

3.53.02.52.01.51.00.50.0

创见信息 同比

200%150%100%50%0%10Q111Q110Q111Q112Q113Q114Q115Q116Q117Q118Q119Q120Q121Q122Q123Q124Q125Q1博 博图50：威刚季度营收及同比情（亿美元） 图51：十铨季度营收及同比情（亿美元）威刚 同比65432110Q111Q110Q111Q112Q113Q114Q115Q116Q117Q118Q119Q120Q121Q122Q123Q124Q125Q1

120%100%80%60%40%20%0%-20%-40%-60%

3.53.02.52.01.51.00.50.0

十铨 同比

300%250%200%150%100%50%0%-50%19Q119Q319Q119Q320Q120Q321Q121Q322Q122Q323Q123Q324Q124Q325Q125Q326Q1博 博图52：台股模组厂毛利率对比 图53：台股模组厂净利率对比70%60%50%40%30%20%10%18Q419Q218Q419Q219Q420Q220Q421Q221Q422Q222Q423Q223Q424Q224Q425Q225Q4-10%-20%

群联电子 创见信息威刚 十铨

60%50%40%30%20%10%0%-10%-20%

群联电子 创见信息 威刚 十铨18Q319Q119Q320Q120Q318Q319Q119Q320Q120Q321Q121Q322Q122Q323Q123Q324Q124Q325Q125Q326Q13/4储缺货或将持续至2027整体存储器价格会下跌。群联电子：3NAND位元出货环比增长。3183.17+221%/环比+50%AI推论NAND25%NAND18%创见信息：4月营收创单月历史新高，2027年供应缺口是否改善仍不确定。474.49+594%/年存储234威刚：20274105.56+170%/+0.2%，NANDFlashAI20272026DRAM涨势较早启动，下半年将由NAND接棒续涨，预计2026年下半年-2027DRAM与NAND3月营收环比增长33月营收49.16亿新台币，同比+120%/环比+327%，十铨指出，存储器产业2027图54：群联电子月度营收及同（亿新台币） 图55：创见信息月度营收及同（亿新台币）0

群联电子 yoy

250% 80200% 70150% 60100% 503050% 40300% 20-50% 1016M116M816M116M817M317M1018M518M1219M720M220M921M421M1122M623M123M824M324M1025M525M12

创见信息 yoy

700%600%500%400%300%200%100%0%16M116M816M116M817M317M1018M518M1219M720M220M921M421M1122M623M123M824M324M1025M525M12图56：威刚月度营收及同比（新台币） 图57：十铨月度营收及同比（新台币）0

威刚 yoy

250% 60200% 50150% 40100%50% 300% 20-50% 1016M116M816M116M817M317M1018M518M1219M720M220M921M421M1122M623M123M824M324M1025M525M12

十铨 yoy

600%500%400%300%200%100%0%16M116M816M116M817M317M1018M518M1219M720M220M921M421M1122M623M123M824M324M1025M525M12利基型存储：25Q3各家营收、毛利环比改善，随着大厂逐渐退出利基型市场，存储涨价预计将在25Q4及2026年的各公司业绩上体现更明显。26Q112.09亿美元，同比+37%/环比+18%，毛利率53%，同比+28pcts/环比+12pcts，净利率26%，同比+32pcts/环比+14pcts。公司存储器事业产能利用率持续维持约100%满载水准。202626Q13.31+31%/环比+23pcts/环比17%+31pcts/环比+21pcts31晶豪科：本次存储缺货或将以往更久，2026上半年合约价涨幅至少一倍以261营收233048+pcs/环比+15pcts，净利率28%，同比+31pcts/环比+7pcts，受益于产品组合优302021202625Q425Q40.51+145%/环比+44%22.8%+13pcts/环比+10pcts，净利率4.3%，同比+24pcts/环比+17.5pcts，受益于存储价格上涨与需求旺盛，公司实现扭亏为盈。图58：华邦季度营收及同比情（亿美元） 图59：旺宏季度营收及同比情（亿美元）华邦 同比141210864210Q111Q110Q111Q112Q113Q114Q115Q116Q117Q118Q119Q120Q121Q122Q123Q124Q125Q126Q1

120%100%80%60%40%20%0%-20%-40%-60%

6.05.04.03.02.01.00.0

旺宏 同比

80%60%40%20%0%-20%-40%10Q111Q110Q111Q112Q113Q114Q115Q116Q117Q118Q119Q120Q121Q122Q123Q124Q125Q126Q1博 图60：晶豪科季度营收及同比况（亿美元） 图61：钰创季度营收及同比情（亿美元）3.02.52.01.51.00.50.0

晶豪科 同比

200%150%100%50%0%-50%10Q111Q110Q111Q112Q113Q114Q115Q116Q117Q118Q119Q120Q121Q122Q123Q124Q125Q126Q1

1.00.80.60.40.20.0

钰创 同比

150%100%50%0%-50%10Q111Q110Q111Q112Q113Q114Q115Q116Q117Q118Q119Q120Q121Q122Q123Q124Q125Q1博 图62：台股利基型存储厂商毛率情况 图63：台股利基型存储厂商净率情况

华邦 旺宏 晶豪科 钰创

华邦 旺宏 晶豪科 钰创10Q111Q112Q113Q114Q115Q110Q111Q112Q113Q114Q115Q116Q117Q118Q119Q120Q121Q122Q123Q124Q125Q126Q110Q111Q112Q113Q114Q115Q116Q117Q118Q119Q120Q121Q122Q123Q124Q125Q126Q1月度营收来看，各家3/4月营收均创单月历史新高，利基存储整体需求旺盛，部分利基产品缺货明显且将持续。3D4与NRFlh31501亿新台币，同比+91%/环比+21%，创单月营收新高。受惠于NOR与SLCNAND畅旺需求，高容量产品线整体出货占比持续提升；旺宏：4月营收创历史新高，eMMC459.13+154%/+34%NORNAND（eMMC）1：1GBeMMCMLCeMMC产3年后；446.34+349%/+53%3~6钰创：4413.33+417%/环比+21%图64：华邦月度营收及同比（新台币） 图65：旺宏月度营收及同比（新台币）0

华邦 yoy

150% 70100% 6050% 400% 3010-50% 201016M116M816M116M817M317M1018M518M1219M720M220M921M421M1122M623M123M824M324M1025M525M12

旺宏200%150%100%50%0%-50%16M116M816M116M817M317M1018M518M1219M720M220M921M421M1122M623M123M824M324M1025M525M12图66：晶豪科月度营收及同比亿新台币） 图67：钰创月度营收及同比（新台币）晶豪科 yoy504030201016M116M816M116M817M317M1018M518M1219M720M220M921M421M1122M623M123M824M324M1025M525M12

400% 14300% 12200% 8100% 620% 42-100% 0

钰创 yoy

500%400%300%200%100%0%16M116M816M116M817M317M1018M518M1219M720M220M921M421M1122M623M123M824M324M1025M525M12彭博3、大陆：26Q1利基与模组盈利能力大幅提升，存储价格上涨对公司全年业绩有显著拉动模组厂：26Q1存储涨价对公司营收与盈利能力提升明显，三家模组厂平均单月利润达10亿元左右，盈利能力大幅提升，预计全年业绩有望持续高增。LTA锁定供26Q199.09+133%/55.5%，同比+45.15pcts/环比+24.69pcts，净利率40.16%，同比+43.52pcts/环比+27.93pcts38.6239.42+387%LTAMOU26Q175.38亿元，同比+502%/环比+83%，归母净利润33.46亿元，环比+368%，在AIAI行业景气度持续上行，存储价格持续上涨，公司经营业绩大幅提升；161营收684同比3244899+5822%，扣非归母净利润28.16亿元，同比+1406%/环比+251%。本季公司毛利率53.3%+51.3pcts/+21.4pcts42.4%+24.5pcts。323.14-28.1410.99-13.9948.7%；1-220-22.538.8%3AI图68：江波龙季度营收及同比况（亿元） 图69：江波龙季度归母净利润况（亿元）0

营收 yoy

250%200%150%100%50%0%-50%

021Q121Q221Q121Q221Q321Q422Q122Q222Q322Q423Q123Q223Q323Q424Q124Q224Q324Q425Q125Q225Q325Q426Q1

归母净利润c图70：德明利季度营收及同比况（亿元） 图71：德明利季度归母净利润况（亿元）营收 yoy80706050403020100

600%