CN113851076B 一种led显示屏驱动芯片的恒流源选段检测模组及控制方法 （成都利普芯微电子有限公司）

U,2021.11.16A,2012.01.04A,2019.08.06A,2019.01.04A,2020.05.12一种LED显示屏驱动芯片的恒流源选段检测本发明涉及一种LED显示屏驱动芯片的恒流芯片的第一电流镜输入通道形成R_EXT电流镜的MOS管，以及与R_EXT电流镜连接的电流检测模调的MOS管组件构成，用于连接输入电流I0以及I0的镜像电流Icmp[x]；电流检测模块将镜像电流Icmp[x]与参考电流[IRB，IRT]进行比较，当Icmp[x]不在参考电流[IRB，IRT]的区间范围内2与恒流源驱动芯片的第一电流镜输入通道形成R_EXT电流镜的MOS管，以及与R_EXT电R_EXT电流镜用于产生输入电流I0的镜像电流电流检测模块将镜像电流Icmp[x]与参考电流[2.根据权利要求1所述的一种LED显示屏驱动芯片的恒流源选段检测模组，其特征在两比较器分别与逻辑电路连接，两比较器的基准端分别输入参考电流IRB和参考电流所述逻辑电路根据比较结果输出控制指令，调节R_EXT电流镜的镜像比例A[X]，直至3.根据权利要求2所述的一种LED显示屏驱动芯片的恒流源选段检测模组，其特征在4.根据权利要求3所述的一种LED显示屏驱动芯片的恒流源选段检测模组，其特征在5.根据权利要求4所述的一种LED显示屏驱动芯片的恒流源选段检测模组，其特征在6.根据权利要求5所述的一种LED显示屏驱动芯片的恒流源选段检测模组，其特征在7.根据权利要求6所述的一种LED显示屏驱动芯片的恒流源选段检测模组，其特征在所述逻辑电路直接与开关元件连接用于控制MOS管组件中MOS管8.根据权利要求7所述的一种LED显示屏驱动芯片的恒流源选段检测模组，其特征在39.根据权利要求8所述的一种LED显示屏驱动芯片的恒流源选段检测模组，其特征在10.根据权利要求9所述的一种LED显示屏驱动芯片的恒流源选段检测模组，所述第一第一电流镜与一个或多个第二电流镜顺次连接，连接在末第一电流镜与一个或多个第二电流镜分别连接，每个第二4[0001]本发明涉及恒流源控制领域，具体涉及一种LED显示屏驱动芯片的恒流源选段检那么所以PM1的源漏电流大小为I1＝K*VRE[0007]恒流源通道开启时，放大器AMP3、AMP_C分别将NM1、NM_C0的漏端电位钳位至恒流大小(绝对值)为IOUT＝J*K*VREF/[0009]一般的恒流源驱动芯片的恒流通道的输出恒流范围都比较宽(对于市场上的绝大NM_C0的参数需要满足在最大的输出电流下可以正常的工作，那么输出电流最小的时候，5[0021]本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种LED显示屏驱动芯片的恒流源[0024]与恒流源驱动芯片的第一电流镜输入通道形成R_EXT电流镜的MOS管，以及与R_6保证电流镜中各MOS管的|VGS|(VGS的绝对值)都处于一个较大的值，电流镜的精度不会随[0031]两比较器分别与逻辑电路连接，两比较器的基准端分别输入参考电流IRB和参考关元件连接用于控制MOS管组件中MOS[0050]一种LED显示屏驱动芯片的恒流源选段检测控制方法，用于驱动芯片的恒流源选7了电流镜中各MOS管的|VGS|(VGS的绝对值)都处于一个较大的值，电流镜的精度不会随输8[0069]本发明旨在提供一个输出电流控制的检测方案，一种LED显示屏驱动芯片的恒流[0070]与恒流源驱动芯片的第一电流镜输入通道形成R_EXT电流镜的MOS管，以及与R_保证电流镜中各MOS管的|VGS|(VGS的绝对值)都处于一个较大的值，电流镜的精度不会随9际电路如图4所示是由多个P型MOS管并联组成的，通过控制PM0中MOS管接入数量即可调节设计Icmp[1]＝Icmp[2]＝Icmp，在实际应用中也可以设计为不同，例如设计Icmp[1]＝k*逻辑电路与处理器或寄存器连接，处理器或寄存器与开关元件连接用于控制MOS管组件中[0087]在本发明提供的一种LED显示屏驱动芯片的恒流源选段检测模组中，电流检测模块的作用主要是用于实现镜像电流Icmp[x]的采样比较，也就是说凡是本领域已知的采用中，仅需要一个R_EXT电流镜即可，也就是将采样电流Icmp直接送入处理器中即可完成比[0101]一种LED显示屏驱动芯片的恒流源选段检测控制方法，用于驱动芯片的恒流源选[0110]参考图6和图7所示，分别是本发明的在共阳LED显示屏驱动芯片恒流源中的实例相应的选段控制信号(SP[L:1]和SN[L:1])和镜像比例控制信号(SP[L:1])，选段控制信号=VDD。制信号SP[L:1]和SN[L:1]发生改变，芯片工作的电流段由第X段变为第X-1段，PM0[L:1]、下，选段控制信号SP[L:1]和SN[L:1]发生改变，芯片工作的电流段由第X段变为第X+1段，PM0[L:1]、NM_C0[L:1]中MOS管开启的数量增多，镜像比例由A[X]变为A[X+1]，镜像电流其技能降低芯片内部功耗，也能保证使各MOS管的|VGS|(VGS的绝对值)都处于一个较大的行的改动和变化不脱离本发明的精神和范围，则都应在本发明所附权利要求的保护范围