CN113851457B 一种无离子注入抗辐照功率晶体管及其制备方法 （深圳技术大学）_第1页
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一种无离子注入抗辐照功率晶体管及其制一种无离子注入抗辐照功率晶体管及其制衰减，使底层氧化硅层受辐射的影响大幅度降入工艺才能制造出抗辐照功率晶体管且成本高2在所述N+硅衬底上表面为外延生长设定厚度的浓基区，在浓基+硅衬底的底面设有背面金属化层；所述薄二氧化硅层的厚度值为1000Å-2000Å;所述抗辐照阻挡层的厚度值为2000Å-2500Å;所述抗辐照吸收层的厚度值为4000Å-503采用干氧氧化工艺，在1000℃-1050℃的高温炉中，在硅片有源区的表面进行热氧化采用高温低压化学气相淀积LPCVD工艺，在650℃-750℃的LPCVD炉中，在低压10.如权利要求6所述的一种无离子注入抗辐照功率晶体管的制备方法，其特征在于，采用低温等离子化学气相淀积PECVD工艺，在350℃-400℃的PECVD炉中，在真空状态4为理想的方法是生产功率晶体管时应将硅片热氧化厚度控制在氧化层厚度化层穿通，对于NPN晶体管通常基区氧化层的厚度取值为700OA以上才能确保芯片进行高时在二氧化硅中的扩散系数为可算得结深x1-1t.[0009]发射区主扩散：设主扩散温度为1050℃、时间为10min+60min+10min+120min=200min＝12000s，温度1050℃时在二氧化硅中的扩散系数为Dio-lx10"m'/s,可算得[0011]若是人为将氧化层控制在范围内是会出现基区、发射区穿通现象无5扩散时不出现氧化层穿通，对于NPN晶体管通常基区氧化层的厚度取值为以上才能确保芯片进行高温发射区扩散时不会出现发射区穿通现象.因此在确保生产功率晶体管抗辐照能力较为理想的方法是生产功率晶体管时将硅片热氧化厚度控制在氧化层厚度大幅度提升。[0017]在所述N+硅衬底1上表面外延生长设定厚度的浓基区2，在浓基区2中部区域高温6[0019]发射极金属电极8即为功率晶体管发射极E，基极金属电极9即为功率晶体管基极用将功率晶体管生产过程在有源区上生成的厚度值为70OOA以上的氧化层通过光刻方法7同时采用厚度尽可能薄的薄二氧化硅层，使其受辐照产生的电子空穴对快速被扫出氧化[0052]将功率晶体管生产过程在有源区上生成的厚度值为以上的氧化层通过光刻方法刻蚀掉后在有源区采用低温氧化(1000℃-1050℃、时间:30min)干氧方法或淀积二℃-750℃,)和PECVD低温(400℃)双层异质氮化硅结构。采用薄氧化层+双层异质氮化硅结[0055]采用干氧+湿氧+干氧的氧化工艺，在1180℃左右的高温炉中，按10min+60min+8[0064]二、薄氧化硅层+双层异质氮化硅(高致密性氮化硅+低致密性氮化硅)+聚酰亚胺限于以上实施例,这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。对于所属领域的普通技术

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