QCT 1291-2026《汽车串行器和解串器(SerDes)芯片技术要求及试验方法》_第1页
QCT 1291-2026《汽车串行器和解串器(SerDes)芯片技术要求及试验方法》_第2页
QCT 1291-2026《汽车串行器和解串器(SerDes)芯片技术要求及试验方法》_第3页
QCT 1291-2026《汽车串行器和解串器(SerDes)芯片技术要求及试验方法》_第4页
QCT 1291-2026《汽车串行器和解串器(SerDes)芯片技术要求及试验方法》_第5页
已阅读5页,还剩119页未读 继续免费阅读

付费下载

下载本文档

版权说明:本文档由用户提供并上传,收益归属内容提供方,若内容存在侵权,请进行举报或认领

文档简介

1模型(HBM)IEC61709电子设备可靠性采用统计方法的电子组件预计失效率的指南(Electric2示例:远端串行器或解串器,摄像头传感器,屏端控制侧的器件。注:一定数量I²C数据长度一般为32字节、256字节或1024字节。全局引脚globalpin34缩略语 5.2.1链路建立45.3.1高速串行接口5.3.2配置接口5.3.3业务接口——YUV:YUV4228bit;—RGB:RGB888。5—RGB:RGB10-10-10。5.4.2音频业务6 注:传输信道包括线端连接器、线缆和线间连接器,由供需双方协商确定其选型。7限制等级整个芯片由供需双方商定由供需双方商定1Ω/150Ω直由供需双方商定由供需双方商定表2射频抗扰度要求抗扰度试验等级b整个芯片满足等级Arc²由供需双方商定由供需双方商定b如被测芯片不能满足用户规定的等级,应测试到芯片支持的最大抗扰阈抗扰度试验等级b电容隔直法满足等级Arc²由供需双方商定b如被测芯片不能满足用户规定的等级,应测试到芯片支持的最大抗扰阈高速引脚1.满足等级Crc°;2.在1kHz下被测引脚对地RCL,试验前后测试值不超过±20%。等级Ⅲ(6kV)或由如被测芯片不能满足等级Ⅲ,应测试到芯片支持的最大抗扰阈值。8电网络被测点金属只打空气放电;具体点位用户规定。1.满足等级Cic⁵;2.在1kHz下被测引脚对地RCL,试验前后测试值不超过±20%。9最小平均剪切力最小剪切力38454675896789球形键合最小拉力球形键合最小拉力楔形键合最小拉力223最小剪切力6.1.2试验环境1标引序号说明:1——串行器;2——解串器;3——测试线缆;6.1.3试验环境2标引序号说明:1——解串器1;2——解串器2;3——串行器;4——测试线缆;图1试验环境1图2试验环境26.1.4试验环境3标引序号说明:1——串行器1;2——串行器2;3——串行器3;6——测试线缆;7——上位机;8——解串器输出的视频接口数M。图3试验环境36.1.5试验环境4标引序号说明:2——示波器;3——测试线缆;6.1.6试验环境5标引序号说明:3——测试线缆;6.1.7试验环境6图4试验环境4图5试验环境53——测试线缆;4—上位机。图6试验环境66.2.1试验准备6.2.3通过准则6.3.3通过准则6.4.3通过准则6.5.3通过准则6.6.1.3通过准则6.6.4.3通过准则6.7.1.3通过准则6.7.2.3通过准则6.7.4突发模式读操作远端I²C端口试验6.7.4.3通过准则6.7.5.3通过准则字节);6.7.8批量传输模式读操作远端I²C端口试验字节)6.7.11广播方式写操作多个远端I²C端口试验数据字节);6.8.4远端GPI0同步误差试验6.9SPI控制试验字节);6.11.1.3通过准则6.11.2I²C读操作远端SPI端口6.11.2.3通过准则字节);6.11.4SPI写操作远端I²C端口6.11.5SPI读操作远端I²C端口6.11.5.3通过准则6.11.6.3通过准则6.12.1串行器请求休眠6.12.1.3通过准则6.12.2.3通过准则6.12.3.3通过准则6.12.4.3通过准则同轴线故障注入同轴线束故障类型1同轴线开路2一一3一一4同轴线短路5一一6一一7一一6.14.1.3通过准则6.14.2.3通过准则e)根据公式(4)和公式(5),分别计算符号(+1)和符号(-1)的最大输出电压顶降:6.14.5.3通过准则6.15.1.3通过准则(规范性)0123选步骤);注:可根据器件特性视情况调整试验时间和温度,以确保去除所有水分。时间时间(h)121年4周168骷153168小时472小时a塑封材料水汽扩散活化能为0.40eV~0.48eV时也可使用该方法进行试验。b塑封材料水汽扩散活化能为0.30eV~0.39eV时也可使用该方法进行试验。预热最低温度(Tsmin)预热最高温度(Tsmax)预热时间(ts)升温斜率(TL到Tp)液相温度(TL)封装体峰值温度(Tp)Tp≥Tc(见表A.4)TL以上的保持时间(tp)在指定分类温度(Tc5℃以内的保持时间(tp)降温斜率(Tp到TL)25℃到峰值温度的时间封装分类温度(Tc)注:V代表体积,体积包括封装体的外部尺寸,不包括外部端子和/或非一体式散最大升温斜率=3CIs时间℃时间ha气压为参考试验条件。℃蒸汽压力时间h℃蒸汽压力时间h12试验前后进行外观检查,按照A.6.1的方法在室温下进行功能/电气参数检查。功℃时间h注:如果使用热电偶测量温度,宜使用导热胶或铝箔胶带,确保温度测量的准确性。最低温度Ts(min)℃最高温度Ts(max)℃最高/低温度下保持时间0≥1或≥52≥1或≥52≥1或≥522≥1或≥53≥1或≥5a可任选一个条件进行试验。b采用铜线键合,试验循环数是金线的2倍。℃℃停留时间温度转换时间0123℃h01陶瓷封装试验前后进行外观检查,按照A.6.1的方法进依次在室温和表A.1规定的最高工作℃试验持续时间h电压0123c可使用更高的电压,从电压和温度获得更高的寿命加速度,但该电压不应超过芯片的绝对最大额定电压。时长(h)中最短时间中最短时间中最短时间℃试验持续时间h电压0123a在相应的环境温度下芯片的结温不应超过芯片的绝对最大额定结温。在进行本试验时,如果芯的结温不低于芯片最大工作条件下的结温,但低于绝对最高额定结温,可使用结温代替环b到达试验条件时开始计算试验持续时间,腔体开始降温时停止计算试验持续时c供需双方可协商确定使用更高的电压,从电压和温度获得更高的寿命加速度,但该电压额定电压。焊盘类别图示1234焊盘分离(推刀抬高高度错误)56分离模式3(键合球分离)e)将钩针置于中跨附近。a)在干燥环境中(推荐用干燥氮气),最高100℃烘焙不超过1h;注:样品自老化设备中取出后的2h内,若不进行可焊性试验,在试验前需将其存贮在一个干燥的广口瓶或干氮箱中,且最长不超过72h。A适用B适用C适用D适用E默认选用表A.17蒸汽温度m平均沸点℃蒸汽温度范围℃试验时,应使用Sn96.5Ag3.0Cu0.5(SAC30质量分数(2号助焊剂)二乙胺盐酸盐(CAS660-68-4)异丙醇(IPA)(CAS67-63-0)图A.5基准平面最低的焊球共面度锡球直径锡球直径剪切力工具推刀推刀抬高高度锡球高度器件基板锡球分离模式类别图示12345级别电压范围U电源引脚供电压电流试验负电流电压试验a可对所有非电源、地引脚施加该电流(除NC引脚)。b对所有电源施加该电压,可对所有非电源、地引脚施加该电压(除NC引脚)。A.6.6故障分级A无B之前,没有电镀或烘培后缓解的样品。C(采用PCB为载具)D(采用PCB为载具)按照A.2.7的方法进行温度循环试验,其中最低温度为-40℃或-55℃,最高温注1:鲁棒平均值取数据中值Q2。样本量是奇数时,数据中值Q2取中间数据点;样本量是偶数时,数据中值Q2取两个中间数据点的平均值。注2:鲁棒标准差=(Q3-Q1)/1.35。参数1.35对于样本量小于20的情况是不精确的。Q1取排名数据的1/4,Q3取排名 (规范性)B.1总则B.2.1一般要求B.2.3技术安全概念及硬件详注1:技术安全概念在芯片设计中可单独体现为硬件的技术安全概念或软件技术安全概念。安全机制电源上电复位(欠压监控器)电源尖峰电压钳位(限制器)限流器时钟时钟频率监控时钟频率监控改进的校验和存储器签名存储块复制存储块复制存储器内置自检测(MBIST)存储器内置自检测(MBIST)存储器内置自检测(MBIST)易失性存储器随机访问存储器(RAM)跨步测试随机访问存储器(RAM)跨步测试存储块复制随机访问存储器(RAM)模式测试存储块复制存储器内置自检测(MBIST)随机访问存储器(RAM)模式测试存储器内置自检测(MBIST)模拟和数字输入/输出通过在线监控进行失效探测编码保护多通道并行输出受监控的输出输入比对/表决(1oo2、2003或者更好的冗余)模数转换器(ADC)衰减探测模数转换器(ADC)通道卡滞探测多通道并行输出受监控的输出输入比对/表决(10o2、2003或者更好的冗余)多通道并行输出受监控的输出输入比对/表决(loo2、2003或者更好的冗余)硬件支持的自检(单通道)软件多样化冗余(单硬件通道)堆栈上溢出/下溢出探测具有独立时间基准,无时间窗口的看门狗具有独立时间基准和时间窗口的看门狗软件多样化冗余(单硬件通道)硬件冗余(例如:双核锁步、非对称冗余、编码处理)硬件冗余(例如:双核锁步、非对称冗余、编码处理)不可接受的B.2.6.2测试目的功能安全测试目的包括:失效模式类型失效模式影响失效模式影响B.3评估方法123在SEooC背景下,是否定义了功能需求(例如,CPU核、支持D4是否定义了顶层安全需求?5顶层安全需求的属性是否具备?(例如,需求ID、ASIL等级、状态等)6顶层安全需求定义的是否合理?7是否定义了顶层安全状态?8顶层安全状态的属性是否具备?(例如,状态ID、ASIL等级、状态等)9顶层安全状态定义的是否合理?是否定义了约束和假设?是否清晰描述了SEooC与其他系统元素或组件之间的交互信息(例如,供电电源是否清晰定义了非功能需求(例如,环境条件、使用寿命、质量要求等)?对于等级为ASIL(B)、C和D的安全目标,是否定义了硬件的度量指标.对于等级为ASIL(B)、C和D的安全目标,SPFM、LFM、PMHF等硬件度量指标的值12345如果在系统层面开发阶段的系统架构设计对安全要求进行ASIL等级分解,分解67技术安全概念是否消除已识别出的引起失效的内部原因和外部原因,或在必要89a)模块化;适当的颗粒度水平;中?对于使相关项实现或维持安全状态的每个安全机制的定是否定义了充分的安全机制,以防止随机硬件故障的适用性:本要求适用于ASIL(A)、(B)、为了避免多点失效,用于探测多点故障的安全机制的诊适用性:本要求适用于ASIL(A)、(B)、对于专门用于防止双点故障变成潜伏故障的安全机制的开发适用性:本要求适用于ASIL(A)、(B)、是否根据系统架构设计,定义了充分的探测、控制或减技术安全需求规范中安全机制的定义是否与安技术安全要求是否全部分配给以系统、硬件或软件作为实施技术的每个系统架构设计要素的ASIL等级是否继承其实现的技术安全要求的最高如果适用,技术安全要求是否包含因实施ASIL分技术安全要求的定义和管理是否符合安全要求的是否定义在系统架构设计过程中识别出的对生产、运行、服务是否对技术安全要求进行验证,以提供其在给定系统边界条件下的正确性、1是否在流程上定义了芯片硬件设计过程的要求(包括芯片架构234所定义的硬件安全要求是否与硬件架构保持了追溯性和一致性,并保持到芯5给它的所有要求中最高的ASIL等级?如果一个芯片要素是由ASIL等级低于要素ASI6789在进行硬件详细设计时,为避免常见的设计缺陷,是否运用相扰、噪声因素、来自硬件组件的其他硬件元器件或其所在1234是否在芯片硬件架构度量的计算中考虑了永久故障和5是否确定芯片架构度量评估的基础输入,包括芯片类型、面积、工艺、67是否在芯片硬件架构度量的计算中参考了可靠性89是否将发生在安全相关硬件要素上的每个

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明,都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等,如果需要附件,请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸,网页内容里面会有图纸预览,若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间,仅对用户上传内容的表现方式做保护处理,对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑,并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容,请与我们联系,我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

评论

0/150

提交评论