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AlGaN基深紫外LED的制备方法及表征分析目录TOC\o"1-3"\h\u24687AlGaN基深紫外LED的制备方法及表征分析 [14]。图2-2Bragg衍射示意图及相关氮化物的Bragg信息REF_Ref5980\r\h[15]1.1.4Hall表征Hall测试是通过霍尔效应测试仪来测量和研究半导体器件和半导体材料电学特性。Hall测试可以得到外延材料中载流子浓度、迁移率等信息，并计算出电阻率、Hall系数等REF_Ref4066\r\h[16]。根据这些信息，可以分析出半导体外延材料的电学特性，将其与实验预期进行对比还可以得到实际的掺杂效果。1.1.5SEM表征扫描电子显微镜（SEM）可以通过用高能电子束轰击样品表面来获得样品的表面形貌信息，其原理是被高能电子束轰击时，被轰击的区域会产生二次电子、电磁辐射等。扫描电子显微镜通过对二次电子的收集和分析，从而得到样品表面的形貌信息。通过对X射线的收集分析也可以得到样品表面化学组分信息。图2-3扫描电子显微镜1.1.6AFM表征原子力显微镜（AFM）是一种基于库仑力的扫描方式，原子力显微镜利用一个对库仑力十分敏感的尖锐针尖，对样品的表面进行扫描，通过在库仑力作用下针尖的上下摆动来描绘样品的三维表面形貌，原子力显微镜可以以纳米级分辨率获得表面形貌结构信息及表面粗糙度信息，并且与扫描电子显微

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